- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
Skripta Analogové el.obvody
BAEY - Analogové elektronické obvody
Hodnocení materiálu:
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálale i na vyích a niích harmonických slokách základního kmitočtu, popřípadě na
zlomkovém kmitočtu ωm/n, a to za nepřítomnosti těchto harmonických sloek v napětí
napájecího zdroje. Vznik intenzivních kmitů na subharmonickém kmitočtu ω/n, kde ω je
kmitočet napětí zdroje zapojeného v obvodu a n = 2, 3, 4, .. . , nazýváme subharmonickou
rezonancí.
Automodulaci rozumíme periodickou změnu amplitudy proudu a napětí v obvodu bez
působení vnějího modulačního signálu.
Přeruovaná rezonance je jev, při něm periodicky vzniká a zaniká rezonance na
jakémkoliv vyím, subharmonickém nebo zlomkovém kmitočtu. Nejčastěji lze přeruovanou
rezonanci pozorovat při automodulaci.
Kmity s neperiodickou obalovou křivkou jsou kmity, jejich obalová křivka má výrazný
neperiodický charakter.
V nelineárních obvodech střídavého proudu, obsahujících nelineární prvky, jejich AV
charakteristiky jsou typu S nebo N, jsou moné klopné jevy. Klopným jevem nazýváme
prudkou (skokovou) změnu výstupní obvodové veličiny při nepatrné plynulé změně vstupní
veličiny nebo některého parametru obvodu.
1.1.8 Platnost některých zákonů pro nelineární a parametrické obvody
Kirchhoffovy zákony. Oba Kirchhoffovy zákony platí j ak pro lineární, tak i pro
nelineární a parametrické obvody, tj.
Ge5
=
=
n
k
k
i
1
0
Ge5
=
=
n
k
k
u
1
0
Rovnice pro nelineární obvod sestavujeme tedy stejným způsobem jako pro obvod
lineární, tj. na základě Kirchhoffových zákonů. Při sestavování rovnic obvodu, obsahujícího
nelineární rezistory, musíme vak brát v úvahu dané AV charakteristiky rezistoru. Je-li
rezistor napěťově závislý s AV charakteristikou i(u), je třeba sestavit rovnici vzhledem k
napětí u. Je-li známa VA charakteristika u(i), sestavujeme rovnici vzhledem k proudu i.
16 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Stejná doporučení platí i pro obvody obsahující nelineární kapacitory s charak-
teristikami q(u) nebo u(q), nebo nelineární induktory s charakteristikami ψ(i) či i(ψ).
Obsahuje-li obvod jak nelineární rezistor, tak i nelineární kapacitor (nebo nelineární
induktor), je třeba sestavit diferenciální vzhledem k té proměnné, která je argumentem v
charakteristice nelineárního kapacitoru (nebo nelineárního induktoru) a je tzv. stavovou
proměnnou. Ostatní proměnné lze určit a po nalezení uvedené proměnné.
Princip superpozice. Princip superpozice platí pro vechny lineární obvody, tedy i pro
parametrické lineární obvody. Dokáeme si toto tvrzení.
U parametrických lineárních obvodů je závislost mezi výstupním signálem y(t) a
vstupním signálem x(t) vyjádřena vztahem
)()()( txtPty = (1.14)
Sestává-li vstupní signál z N sloek
Ge5
=
=+++=
N
n
nN
txtxtxtxtx
1
21
)()(...)()()(
(1.15)
bude výstupní signál (odezva)
)()(...)()()()()()()(
21
txtPtxtPtxtPtxtPty
NN
+++==
Ge5
(1.16)
roven součtu odezev na kadou sloku vstupního signálu
Ge5
=
=+++=
N
n
nN
tytytytyty
1
21
)()(...)()()(
(A17)
Vidíme, e stejně jako u lineárních obvodů s konstantními parametry, odezva
parametrického lineárního obvodu na působení součtu signálů je rovna součtu odezev na
působení kadého signálu zvláť. V tom spočívá princip superpozice.
Pro nelineární obvody princip superpozice neplatí. O tom se snadno přesvědčíme na
příkladě jednoduché nelineární závislosti
2
axy = (1.18)
Sestává-li vstupní signál ze dvou sloek x = x
l
+ x
2
, pak odezva
21
2
2
2
1
2
21
2)( xaxaxaxxxay ++=+= (1.19)
se lií od součtu odezev na kadou sloku branou odděleně (tj. ax
1
+ ax
2
), a to o novou
sloku 2ax
l
x
2
. Odezva na součet dvou sloek vstupního signálu se tedy nerovná součtu odezev
na kadou sloku branou zvláť.
Analogové elektronické obvody 17
Obr. 1.8: Náhrada nelineárního rezistoru zdrojem napětím
To, e pro nelineární obvody princip superpozice neplatí, je jedna z nejdůleitějích
zvlátnosti nelineárních obvodů.
Princip kompenzace. Na základě věty o kompenzaci můeme v nelineárním obvodu
nahradit nelineární proudově závislý rezistor proudově závislým zdrojem napětí, ani by se
změnil stav obvodu. Velikost napětí zdroje se rovná úbytku napětí na nelineárním rezistoru a
jeho smysl je shodný se smyslem proudu procházejícího nelineárním rezistorem (obr. 1.8).
Abychom dokázali tento teorém, vyčleníme z obvodu D jednu větev s nelineárním
rezistorem (obr. 1.8a). Jeho odpor je proudově závislý. Do této větve můeme podle obr. 1.8c
zařadit dva proudově závislé zdroje napětí u
Z
(i) jejich napětí jsou stejně velká, ale opačné
polarity; tím se stav v obvodu nezmění. Kdy bude
)()()( iuiiRiu
z
== (1.20)
pak mezi body 1-1' je rozdíl potenciálů nulový, take můeme tyto body spojit nakrátko
(obr. 1.8d) a ve větvi zbude pouze proudově závislý zdroj napětí u
Z
(i) (obr. 1.8b).
Obdobně můeme napěťově závislý rezistor nahradit napěťově závislým zdrojem
proudu. Řízenými zdroji napětí nebo proudu je moné podle principu kompenzace nahradit
odpovídajícím způsobem i nelineární induktory, popř. kapacitory.
18 FEKT Vysokého učení technického v Brně
1.2 VLASTNOSTI A MODELY OBVODOVÝCH PRVKŮ
1.2.1 Důvody k idealizaci vlastností obvodových prvků
Technické realizace dvojpólových a vícepólových obvodových prvků jsou zaloeny na
vyuití řady fyzikálních jevů, např. zákonitostí pohybu nosičů nábojů ve vakuu, plynném a
pevném prostředí pod působením více či méně sloitých, časově proměnných elektrických a
magnetických polí, závislostí materiálových parametrů na vnějích podmínkách apod. Úkol
vyjádřit elektrické vlastnosti těchto obvodových prvků matematickými modely, které by
vystihovaly jejich chování ve vech moných dynamických situacích je proto neobyčejně
obtíný.
Pro účely analýzy signálů v elektrických a elektronických obvodech reálné obvodové
prvky nahrazujeme modely, sloenými z několika ideálních obvodových prvků tak, aby reálné
prvky i jim odpovídající modely měly v předpokládaných provozních podmínkách přiblině
stejné vlastnosti. U mnoha aplikací vystačíme s nejjednoduími modely těchto prvků, které
dostaneme úplnou abstraktní idealizací jejich elektrických vlastností (jinak řečeno prvním
přiblíením v popisu těchto vlastností). V těchto případech vyetřujeme pouze základní
závislosti mezi elektrickými, resp. magnetickými veličinami - napětím, proudem, nábojem,
celkovým magnetickým tokem. Tyto závislosti charakterizují základní vlastnosti daného
obvodového prvku, a proto pro ně pouíváme názvu charakteristiky.
1.2.2 Lineární, nelineární, neřízené a řízené prvky
Abychom mohli určit základní elektrické vlastnosti dvojpólu či obecně mnohopólu,
musíme znát vztahy mezi jejich základními svorkovými veličinami, tj. napětím u, proudem i,
nábojem q a celkovým magnetickým tokem ψ. Tyto veličiny zjistíme měřením, pomocí
měřidel připojených ke svorkám dvojpólu či mnohopólu. Svorková napětí a proudy lze měřit
přímo, náboje a celkové magnetické toky můeme měřit nepřímo integrováním proudu i(t)
nebo napětí u(t), protoe
Gf2
= dttitq )()(
Gf2
= dttut )()(ψ (1.21)
Pro jednoduchost se budeme nejprve zabývat jen dvojpóly (jednobrany). Z výsledků
měření můeme vytvořit vztahy mezi libovolnou dvojicí veličin (pokud ovem takové vztahy
existují), s výjimkou dvojice i a q a dvojice u a ψ, které jsou sporu vázány vztahy (1.1).
Zbývající kombinace základních veličin vytvářejí tedy čtyři základní vztahy, a to vztah mezi u
a i, vztah mezi u a q, vztah mezi i a ψ a konečně vztah mezi q a ψ. Tyto vztahy odpovídají
čtyřem základním typům dvojpólů. Poslední uvedený vztah má prozatím malý praktický
význam, omezíme se proto jen na první tři případy.
Dvojpól, který je charakterizován vztahem mezi u a i, tedy buď u(i) nebo i(u),
nazýváme ideálním rezistorem. Dvojpól charakterizovaný vztahem mezi u a q, tj. u(q) nebo
q(u), nazýváme ideálním kapacitorem. Závislostí mezi veličinami ψ a i, tj. ψ (i) nebo i(ψ), je
charakterizován ideální induktor. (Poznamenejme, e přívlastek ideální" mnohdy
vynecháváme.)
Výe uvedené základní vztahy, znázorněné graficky jako funkční závislosti
Analogové elektronické obvody 19
)(xfy = (1.22)
kde y a x představuje některou ze základních veličin u, i, q, ψ, nazýváme charak-
teristikami dvojpólů.
Charakteristiky u(i) budeme nazývat voltampérovými (VA) charakteristikami;
charakteristiky i(u) ampérvoltovými (AV) charakteristikami. Obdobně budeme rozliovat u
kapacitorů coulombvoltové (CV) charakteristiky q(u) a voltcoulombové (VC) charakteristiky
u(q) a u induktorů ampérweberové (AWb) charakteristiky i(ψ) a weberampérové (WbA)
charakteristiky ψ (i).
V obecném případě jsou tyto závislosti nelineární a takové dvojpóly nazýváme
nelineární dvojpóly. Jsou-li tyto závislosti lineární, říkáme pak takovým dvojpólům lineární.
Pro nelineární dvojpóly budeme pouívat schematických značek uvedených na obr. 1.9.
V praxi existuje řada dvojpólů, jejich vlastnosti výrazně závisejí na určité vnějí
fyzikální veličině p. Takové dvojpóly nazýváme řízené dvojpóly a nezávisle proměnnou
fyzikální veličinu p nazýváme řídicí veličina. Tato veličina můe být elektrická (proud,
napětí) nebo neelektrická (teplota, osvětlení, tlak, síla, rychlost, atd.).
Obr. 1.9: Schématické značky a) nelineárního rezistoru, b) nelineárního kapacitou,
c) nelineárního induktoru
Základní charakteristiky řízených dvojpólů lze tedy obecně vyjádřit funkční závislostí
),( pxfy = (1.23)
která popisuje zakřivenou plochu v trojrozměrném zobrazení. Abychom si usnadnili
měření a grafické znázorňování těchto závislostí, vyjadřujeme si je zpravidla soustavou křivek
s konstantními hodnotami řídicí veličiny p nebo soustavou křivek s konstantními hodnotami
nezávisle proměnné x.
Řízený dvojpól můeme tedy definovat jako dvojpól, jeho základní charakteristika
závisí v kadém okamiku na hodnotě řídicí veličiny p.
Dostáváme tak tři typy řízených dvojpólů:
1. Řízený rezistor charakterizovaný závislostí i(u, p) nebo u(i, p);
2. řízený kapacitór charakterizovaný závislostí q(u, p) nebo u(q, p) a
3. řízený induktor charakterizovaný závislostí i(ψ, p) nebo ψ (i, p).
20 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Pro tyto dvojpóly budeme pouívat schematické značky uvedené na obr. 1.10.
Obr. 1.10: Schématické značky
a) nelineárního řízeného rezistoru
b) nelineárního řízeného kapacitoru
c) nelineárního řízeného induktoru
Obr. 1.11. Schématické značky lineárních řízených a)rezistorů, b)kapacitorů,
c)induktorů
U některých dvojpólů můe být charakteristika (1.23) vyjádřena ve tvaru
xpPpxfy )(),( == (1.24)
kde veličina y je (při konstantní hodnotě veličiny p) přímo úměrná velikostí veličiny x.
Takové dvojpóly budeme nazývat lineární řízené dvojpóly a značit je ve schématech symboly
uvedenými na obr. 1.11.
Poznamenejme, e v obecném případě mohou vlastnosti dvojpólů záviset na několika
vnějích fyzikálních veličinách (p
1
, p
2
, ..., p
N
). Základní charakteristiky budou vyjadřovat
funkční závislosti typu
),...,,;(
21 N
pppxfy = (1.25)
My se vak v dalím omezíme pouze na dvojpóly řízené jednou veličinou.
Analogové elektronické obvody 21
1.2.3 Charakteristiky a parametry dvojpólů
Lineární dvojpóly. Lineární neřízené dvojpóly j sou charakterizovány přímkou
procházející počátkem pravoúhlých souřadnic v rovině y-x (viz obr. 1.12). V obecném případě
jsou tedy charakteristiky vyjádřeny analyticky vztahem
Pxy = (1.26)
kde P = y/x je konstantní veličina nazývaná parametr dvojpólu (prvku). Tento parametr
můe být kladný nebo záporný. Je-li kladný, mluvíme o prvku s kladným parametrem; je-li
záporný, mluvíme o prvku se záporným parametrem (obr. 1.12b). Poznamenejme, e lineární
dvojpóly jsou zcela charakterizovány jen jejich parametrem P.
Řízené lineární dvojpóly. Za lineární řízené dvojpóly povaujeme takové dvojpóly,
jejich parametry výrazně závisejí na určité fyzikální veličině p, avak nezávisejí na
obvodových veličinách.
Obr. 1.12: Charakteristiky lineárních prvků: a)s kladným parametrem (P>0), b) se
záporným parametrem (P> R
0
, take časovou konstantu určuje prakticky jen R
B
.
Ve zjednodueném modelu je dalí zesilovací" část dále rozdělena řízeným zdrojem proudu
na dvě nezávislé části, pro výsledný externí přenos platí
Obr. 3.25: Tranzistor s kondenzátory v zapojení a)SS, b)SE
Obr 3.26: Lineární model zapojení SS a SE s kondenzátory
,
Ca
ZC
uex
IU
UI
KA =
kde
EEm
EE
m
a
C
pCGg
pCG
g
U
I
++
+
=
(3.57)
Analogové elektronické obvody 135
Obr. 3.27: Asymptoty modulu přenosu samostatné a) vstupní části a b) zesilovací
části a kombinací R
E
C
E
v emitoru
Kmitočtový průběh modulu přenosu I
c
/ U
a
je znázorněn na obr. 3.27 b). Třetí člen
externího přenosu má kmitočtovou závislost modulu obdobnou k závislosti K podle obr. 3.27
a). Jeho charakteristická časová konstanta je C
c
(R
c
+R
Z
). Vechny tři dílčí kmitočtové
závislosti mají na sobě vzájemně nezávislé časové konstanty. Výsledná kmitočtová závislost
externího přenosu napětí vznikne pouhým sloením závislostí dílčích. Volbou časových
konstant lze zajistit, aby asymptota modulu přenosu měla maximální sklon 40dB/dek nebo
60dB/dek.
Chování zesilovače s bipolárním tranzistorem se od předelého lií tím, e ne-
zanedbatelné g
be
tranzistoru spojuje vstupní a střední část modelu do nerozdělitelného bloku.
Jeho kmitočtová závislost se proto nedá ručně v obecném tvaru analyzovat. Proto se musíme
spokojit jen se spekulativními odhady, kterými určíme moný a jen Přibliný vztah hlavních
parametrů modelu k dolnímu meznímu kmitočtu této části modelu.
Předpokládejme, e v zapojení SE:
1. Odpor R
B
= R
B1
|| R
B2
znatelně nezatěuje signálový obvod, tj. I
b
→ I
0
,
2. napětí U
e
podle obr. 3.26 je vyvoláno proudem I
e
= I
b
β
3. v oblasti dolního mezního kmitočtu se R
E
ji neuplatní, take celý signálový proud I
e
teče přes C
E
,
4. nebudeme brát v úvahu samostatný člen R
C
C
C
R
z
na výstupu.
Za těchto zjednoduujících předpokladů bude dolní mezní úhlový kmitočet
be
EB
dE
gR
CC
/1
//1
0
+
+
=
β
ω
(3.58)
Při výběru kondenzátorů se dá za rozumnou povaovat volba C
E
≈ h
21e
C
B
. Při zapojení SB
a SC lze postupovat obdobně s následujícími výsledky
m
BE
dB
gR
CC
/1
//1
0
+
+
=
β
ω
(3.59)
136 FEKT Vysokého učení technického v Brně
z
BE
dC
R
CC β
ω
//1 +
=
(3.60)
Znovu připomínáme, e v obvodech s kondenzátory a s bipolárními tranzistory se dá jen
odhadovat dolní mezní kmitočet vstupní části včetně tranzistoru bez nároků poznat skutečný
průběh modulu a fáze přenosu pod dolním mezním kmitočtem. Dá se jen očekávat e průběh
modulu můe měnit strmost od 20 do 40dB/dek.
Poznatky o chování základních zapojení s vazebními a blokovacími kondenzátory
• Vazební kondenzátory galvanicky od sebe oddělují zdroj signálu, zesilovací blok a
zátě.
• Blokovací kondenzátory zkratují blokovaný uzel se zemí pro dostatečně vysoké
kmitočty (viz vliv C
E
na obr. 3.25 a 3.26), tzn. e Z
E
≈ 0 platí pro střední a horní
kmitočtové pásmo externího přenosu.
• Vechny tyto kondenzátory omezují kmitočtové pásmo maximálního přenosu zdola.
• Dolní mezní kmitočet je vymezen vztahy (3.57) a (3.60) a můe být rozhodujícím
způsobem ovlivněn kterýmkoliv kondenzátorem.
• Na kmitočtech dostatečně vysokých proti dolnímu meznímu (tj. alespoň o řád
vyích), se vechny kondenzátory chovají vůči signálovým veličinám jako zkrat.
• Ve zvlátních případech lze v zapojení SS a SE pouít CE pro kompenzaci poklesu
modulu přenosu v oblasti horního mezního kmitočtu, přitom jsou odpovídající
časové konstanty velmi malé, take se ve středním pásmu CE chová jako rozpojený
obvod.
3.3.2 Zesilovací stupně s induktivní a rezonanční zátěí
V průběhu existence radiotechniky prola zapojení těchto zesilovačů řadou významných
změn. Zpočátku byly hojně pouívány nízkofrekvenční zesilovače s transformátorovou
vazbou mezi stupni a vysokofrekvenční zesilovače s jednoduchými paralelními rezonančními
obvody zapojenými jako zátě základního zesilovacího stupně s triodou. Ukázalo se, e při
pouití zesilovacích triod měly tyto stupně značné sklony k parazitním oscilacím [29], [32].
Jak snadno zjistíme, model kadé cívky obsahuje nejen indukčnost L
s
, ale také sériový
ztrátový rezistor R
s
a paralelní parazitní kapacitor C. .Ze-li tedy cívka nebo transformátor
připojen jako zátě v kolektoru (drainu) tranzistoru, chová se zátě jako rezonanční obvod a
pro vyjádření provozního přenosu napětí stupně SS lze pouít jednoduchý lineární model
podle obr. 3.28 a). Provozní přenos napětí pak lze popsat vztahem
()
ssrp
m
a
k
uS
LjRCjG
g
U
U
A
ωω +++
−
==
/1
(3.61)
Modul přenosu dosahuje svého maxima při kmitočtu velmi blízkém ke kmitočtu
rezonančnímu, při něm je imaginární sloka nulová. Pro rezonanční kmitočet přiblině platí
Thomsonův vztah
Analogové elektronické obvody 137
rs
r
CL
1
=ω
(3.62)
a při nulové imaginární sloce A
uS
(jω), tj. při očekávané rezonanci platí
()
2
/
srsp
m
r
m
uSr
LRG
g
G
g
A
ω+
−
=
−
=
(3.63)
Modul A
uSr
. je maximem kmitočtové závislosti, která je znázorněna v horní části obr.
3.28 b). Na tomté obrázku dole je znázorněn i kmitočtový průběh fáze.
Obr. 3.28: a) model, b) kmitočtové závislosti modulu a fáze provozního přenosu napětí
zesilovače SS (SE) s rezonanční zátěí
Dosud uvedené vztahy umoňují jen velice zjednoduený pohled na vlastnosti
idealizovaného zesilovače, u něho se nemůe projevit ani zpětný přenos zesilovací součásti
ani vlastnosti vstupní části zesilovače. Pokud bychom potřebovali úplný obrázek o lineárních
vlastnostech zesilovače, museli bychom vyetřit jeho externí přenos. Tento postup musejí
uplatnit vichni, kteří mají takový zesilovač spolehlivě navrhnout a analyzovat. Na tomto
místě se spokojíme jen se zjitěním, kdy můe dojít k nestabilitě takového zesilovače. Postačí
138 FEKT Vysokého učení technického v Brně
nám zjistit, kdy je do vstupu zesilovače vlivem průchozí kapacity C
p
reflektována negativní
odporová sloka. Úpravou rovnice (3.26) dostaneme
())(1)( ωωω jACjjY
uSpaS
−=
(3.64)
Charakter zátěe zesilovače se mění s kmitočtem. Při rezonančním kmitočtu má zátě
charakter odporový, při kmitočtech vyích kapacitní, při kmitočtech niích induktivní.
Zjednodueně lze pak předpokládat, e bude moné A
us
rozloit na reálnou a imaginární
sloku podle vztahu
()())()()( ωωω
uSuSuS
AjAjA ℑ+ℜ=
(3.65)
Z výrazu (3.61) zjistíme, e imaginární sloka je kladná při kapacitním charakteru
zátěe a záporná při induktivním charakteru zátěe. Dosazením do (3.64) dojdeme k závěru,
e zátě kapacitního charakteru v zapojení SS a SE reflektuje do vstupu zesilovače pozitivní
odporovou sloku, zátě induktivního charakteru negativní odporovou sloku. Imaginární
sloka admitance Y
as
(jω) pak má v celém kmitočtovém rozsahu kapacitní charakter. Dalím
rozborem bychom mohli zjistit, e zesilovači bude hrozit největí nebezpečí rozkmitání, bude-
li do vstupu té připojen paralelní rezonanční obvod se stejným rezonančním kmitočtem.
Kmitočet parazitních oscilací pak bude blízký k dolnímu meznímu kmitočtu provozního
přenosu A
us
(jω).
Je-li jakýmkoliv způsobem zabráněno zpětnému přenosu v zesilovacím bloku, jsou
frekvenční charakteristiky jednotlivých zesilovacích stupňů na sobě nezávislé a při zatíení
jednoduchým rezonančním obvodem odpovídají průběhům z obr. 3.28 b). Připomeňme si
vitou terminologií a charakteristické vlastnosti zesilovačů s rezonančními obvody.
Rezonanční křivka je ve skutečnosti geometricky souměrná vhledem ke kmitočtu f
r
, take
platí
hdr
fff = . Obvykle se vak geometrická souměrnost nahrazuje souměrností
aritmetickou, tj. f
h
- f
r
= f
r
- f
d
. Pro íři přenáeného pásma B platí B = f
h
-
Vloženo: 28.05.2009
Velikost: 2,77 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu BAEY - Analogové elektronické obvody
Reference vyučujících předmětu BAEY - Analogové elektronické obvody
Podobné materiály
- BFSL - Finanční služby - Skripta
- BPC1 - Počítače a programování 1 - Skripta Počítače a programování
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analaogové el.obvody-lab.cvičení
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analogové el.obvody- počítačová a laboratorní cvičení
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analogové el.obvody-počítačová cvičení
- BASS - Analýza signálů a soustav - Signály a systémy skripta
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta Dskrétní signály a diskrétní systémy
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta Spojité systémy 2.část
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta Spojité systémy
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Skripta Diagnostika a testování el.systémů
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Skripta Diagnostika a zkušebnictví
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Skripta Speciální diagnostika
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Elektrotechnický seminář
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Elektrotechnika 1 - Laboratorní a počítačová cvičení
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Elektrotechnika 1
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Technická dokumentace
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta elektrotechnika II
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta laboratorní cvičení 2006
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta laboratorní cvičení 2008
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta počítačové cvičení 200
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Učitelská skripta
- BELF - Elektrické filtry - Skripta Analýza el. obvodů programem
- BELF - Elektrické filtry - Skripta Elektrické filtry
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Skripta Elektotechnické materiály a výrobní procesy
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Skripta Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - lab. cvičení
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Skripta Materiály v elektrotechncie
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky - Laboratorní cvičení
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky 2002
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky 2007
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky
- BFY1 - Fyzika 1 - Skripta Fyzikální seminář
- BFY1 - Fyzika 1 - Skripta Průvodce studia předmětu Fyzika 1
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta kmity
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta Optika
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta termofyzika
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta Vlny
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematický seminář
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematika 1 Počítačová cvičení Maple
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematika 1
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematika 3
- BMA2 - Matematika 2 - Skripta matematický seminář
- BMA2 - Matematika 2 - Skripta Matematika I
- BMA2 - Matematika 2 - Skripta Matematika II
- BMA3 - Matematika 3 - Skripta Matematika 3
- BMA3 - Matematika 3 - Skripta Sbírka Matematika 3
- BMFV - Měření fyzikálních veličin - Skripta Měření fyz.veličin - návody do lab.cvičení
- BMPS - Modelování a počítačová simulace - Skripta Modelování a počítačová simulace- Počítačová cvičení
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD Laboratorní cvičení
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD část materiály v elektrotechnice
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD část Technická dokumentace - počítačová a konstrukční cvičení
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD část technická dokumentace
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Měření v elektrotechnice - Lab.cviceni -skripta
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Skripta Meření v elektrotechnice- návody k lab. cvič.
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Skripta Měření v elektrotechnice - lab.cvičení II
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Skripta Měření v elektrotechnice - laboratorní cvičení
- BPC2 - Počítače a programování 2 - Skripta 2008
- BPC2 - Počítače a programování 2 - Stará skripta
- BPIS - Praktikum z informačních sítí - Skripta
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Blažek 1975
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Elektr.přístroje část II
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Lab.cv. Vysoké napětí
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Vysoké napěti el.stroje
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Vysoké napětí část I.
- BVPA - Vybrané partie z matematiky - Skripta Vybrané partie z matematiky
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Učitelská skripta laboratoře
- BPIS - Praktikum z informačních sítí - skripta
- BESO - Elektronické součástky - nová skripta
- AMA2 - Matematika 2 - skripta
- BEKE - Ekologie v elektrotechnice - Něco ze zkoušek, skripta atd..
- BRR2 - Řízení a regulace 2 - Skripta Řízení a regulace 2
- BVPM - Vybrané partie z matematiky - BVPM - skripta k předmětu
- BEPO - Etika podnikání - BEPO (XEPO) - Skripta
- BNAO - Návrh analogových integrovaných obvodů - Skripta BNAO 2010
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - BEVA 2 skripta - přednášky a sbírka úloh.zip
- BMPT - Mikroprocesorová technika - BMPT 2011 zadani PC cviceni + skripta s ucivem
- ABSN - Biosenzory - Skripta
- ALDT - Lékařská diagnostická technika - Skripta
- BMVA - Měření v elektrotechnice - Skripta BMVA
- MTOC - Theory of Communication - Teorie sdělování-skripta
Copyright 2025 unium.cz


