Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

přednáška 8

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

ozepnutí
- vysoký opakovací kmitočet
- malý ztrátový výkon rozptýlený na tranzistoru
- malá spotřeba výkonu potřebného ke spínání

Obvyklé zapojení:
- se společným emitorem = spínač proti „zemi“
- saturace = odstranění rozptylu parametrů, malé ztráty

V aktivní oblast - jen speciální případy, velké ztráty.

V oblasti průrazu - jen speciální případy , nestabilita.
Tranzistorový spínač
FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 9
Tranzistorový spínač
I
B
> > I
B
/ β saturace R
V
≈ Ω
U
CES
= 0,2 V až 1 V P
Z
= I
C
. U
CES

I
CE0
při odpojené bázi,
I
CER
při odporu R mezi B a E
R
N
≈ MΩ
Otevřen / sepnutoZavřen / rozepnuto
FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 10
Tranzistorový zesilovač (tř.A):
I bez budícího signálu trvale prochází, tzv. klidový proud !!!!!!!!!!!
Tranzistorový zesilovač
FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 11
td doba zpoždění
(d = delay)

tr doba čela
(r = rise)

t
s
doba přesahu
(s = saturation)

tf doba týlu
(f = fall)
Tranzistorový spínač
FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 12
tr , tf - nabíjení a vybíjení kapacit

ts – odčerpání náboje nadbytečných nosičů z báze
- přechod BC musí přejít z propustného do závěrného stavu
- ts je úměrné poměru proudů báze v přímém a závěrném směru
- proud báze (– I
B ) k rychlému odvedení nosičů nestačí
- u velmi rychlých spínacích tranzistorů rekombinace v bázi !!!!
Celková doba sepnutí (t
d
je obvykle zanedbatelná):
Celková doba vypnutí - až v řádu mikrosekund:

rrdon
tttt ≈+=

fsoff
ttt +=
Tranzistorový spínač

UMEL FEKT VUT V BRNĚ J.Boušek / Elektronické součástky / P8
3

FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 13
3. Nenasycený spínací režim:
- tranzistor v aktivním režimu
-t
off
= t
f
, tj. t
s
= 0
-t
on
je delší (menší I
C
)
Spínač BT - odstranění saturačního zpoždění
Závislost na β
Tranzistor by měl být zapojen
jako přesný proudový zdroj
1. Spínací tranzistor - rekombinace v bázi - zmenší se β (≈ 50).
2. Kapacitor C
B
paralelně s R
B
-při sestupné hraněřídícího napětí
U
B
při uzavírání tranzistoru odvede část nosičů z báze.
FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 14
Spínač BT - odstranění saturačního zpoždění
4. Schottkyho desaturační dioda
Přebytek bázového proudu
přetéká do kolektoru
Nemůže být v hluboké saturaci,
přesto je zajištěno malé U
CE
Příklad:
Obvody TTL (20-25 MHz)
Schottkyho TTL (100 – 120 MHz)
Spínané zdroje – menší ztráty
FEKT VUT v Brně ESO / P8 / J.Boušek 15
Spínač s BT – dynamické

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 794,97 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály