přednáška 7

í I
EN
podle U
BE
E-M model T- modely:

E
BE
T
BE
ENEN
r
U
U
U
II
∆
≈
∆
=∆

ET
EN
BE
EN
e
rU
I
U
I
g
1
≈=
∆
∆
=
Lineární a linearizované modely BT
FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 26
Modely BT vycházející ze čtyřpólových parametrů
Tranzistor je modelován jako dvojbran.
Hybridní parametry:

2121111
uhihu +=

2221212
uhihi +=
h
11e
= r
B
= U
T
/I
B
(vstupní odpor)

h
22e
= 1/r
C
= I
C
/(U
E
+ U
CE
) (výstupní vodivost)
U
E
je Earlyho napětí
h
21e
= β (proudový zesilovací činitel)
h
12e
- z katalogu, nebo změřit (zpětný napěťový přenos)

h
21e
≈ ∆I
C
/∆I
B
je parametr v hybridních rovnicích !!!!
h
21E
≈ I
C
/I
B
je statický proudový zesilovací činitel !!!!
pro zapojení SE
FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 27
Diferenciální parametry čtyřpólu ( h
ij
):
- mají význam derivací
- získáme z charakteristik nebo měřením

vstupní impedance při výstupu nakrátko:
h
U
I
U
11
1
1
2
−
− konst.

zpětný napěťový činitel při vstupu naprázdno:
h
U
U
I
12
1
2
1
−
− konst.


proudový zesilovací činitel při výstupu nakrátko:
h
I
I
U
21
2
1
2
−
− konst.

výstupní admitance při vstupu naprázdno:
h
I
U
I
22
2
2
1
−
− konst.


Modely BT vycházející ze čtyřpólových parametrů
(hybridní parametry)
Malá písmena !!!!
FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 28

2221212
uyuyi +=

2121111
uyuyi +=
y
11e
= 1/ h
11e
= 1/ r
B
= I
B
/U
T
(vstupní vodivost)

y
22e
= 1/r
C
= h
2e
(výstupní vodivost)

y
21e
= ∆I
C
/ ∆U
BE
; pro U
BE
= ∆I
B
. r
B
= ∆I
B
. 1/y
11e
= ∆I
C
/β . 1/y
11e

()()
e
eC
C
e
y
yI
I
y
11
11
21
.
/1./
β
β
=
∆
∆
≈
(strmost převodní charakteristiky)
Pro oblast nízkých kmitočtů (neuplatní se parazitní kapacity):
y
21e
= β . y
11e
= β /.r
B
= 1 /.r
E
= I
E
/ U
T
y
12e
- z katalogu, nebo změřit („zpětná vodivost“)
Modely BT vycházející ze čtyřpólových parametrů
Admitanční parametry
Pro zapojení SE
FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 29
1) Admitance v daném pracovním bodě jsou frekvenčně závislé:
nutné stanovit pro každý použitý kmitočet zvlášť

2) Dosazením U
T
≈ 25 mV a I
E
≈ I
C
:
y
21e
= I
E
/ U
T
= I
E
/ 25 mV ≈ 40 [V
-1
]I
E
≈ 40 I
C
[S]

3) g
e v T-modelu lze přepočítat (
β ≥ 40):

yg
ee21
≈

y
g
e
e
11
≈
β

h
e21
≈ β

( )yg I r
I
U
I
ee C e
C
T
C
21 0
00
40
25
≈≈ ≈ −,resp.
mV
Modely BT vycházející ze čtyřpólových parametrů
(admitanční parametry)
FEKT VUT v Brně ESO / P7 / J.Boušek 30
Frekvenčně nezávislý popis funkce tranzistoru:
- kapacity mezi elektrodami, sériový odpor R
bb’
.
- zesilovací schopnosti g
m
(≈y
21
)
,
vstupní a výstupní vodivost
Proud přes kapacitu C
b‘c
se odčítá od vstupního proudu:
- do přívodu báze vtéká větší proud než do “vnitřní báze” (I
BE
)
- větší U
BE
úbytek I
B
. R
bb’
proud I
BE
se zvětší nepatrně
- vysoký mezní kmitočet zmenšováním R
bb’
. C
b‘c
Giacolletův model BT