Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

přednáška 2

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

Nepřímá (postupná)
- nosiče zachyceny pomocí rekombinačních center
- rekombinace při setkání díry a elektronu
- u polovodičů s nepřímou pásovou strukturou

Nepřímá rekombinace u povrchu polovodiče
- nezakončené vazby
- nečistoty
- krystalové poruchy
Rekombinace nosičů
ESO / L2 / J.Boušek 14
Za jednotku času v jednotkovém objemu:
G [m
-3
s
-1
]počet generovaných nosičů
R [m
-3
s
-1
] počet rekombinovaných nosičů
Tepelná rovnováha: G = R
p
0
n
0
= n
i
2
rovnovážný stav (s indexem "0")
Porušení tepelné rovnováhy: n = n
0
+ ∆n ; p = p
0
+ ∆p
(∆n a ∆p koncentrace nerovnovážných nosičů)
Injekce nosičů - nosiče dodávány (vstřikovány) np > n
i
2
Úroveň injekce:
nízká (∆n > n
0
)
Extrakce nosičů - nosiče odsávány np < n
i
2
.
Porušení tepelné rovnováhy
ESO / L2 / J.Boušek 15
Depletiční oblast
Přechod PN v rovnovážném stavu
ESO / L2 / J.Boušek 16
Elektrony v N: n
n
= N
D
= 10
19
m
-3
Elektrony v P: n
p
= ni
2
/ N
A
= 10
32
m
-6
/ 10
20
m
-3
= 10
12
m
-3
Rozdíl koncentrace 7 řádů difúze elektronů do oblasti P !!!!!
V oblasti N zůstávají ionizované příměsi (N
D
+)
Díry v P: p
p
= N
A
= 10
20
m
-3
Díry v N: p
p
= ni
2
/ N
D
= 10
32
m
-6
/ 10
19
m
-3
= 10
13
m
-3
Rozdíl koncentrace 7 řádů difúze děr do oblasti N !!!!
V oblasti P zůstávají ionizované příměsi (N
A
+)
Přechod PN v rovnovážném stavu
Koncentrace příměsí : N
D
= 10
19
m
-3
N
A
= 10
20
m
-3
Ionizované příměsi vytvoří prostorový náboj !!!!!!!!!
ESO / L2 / J.Boušek 17
Náboj v depletiční oblasti
Elektrické pole
Potenciál
ESO / L2 / J.Boušek 18
Přechod PN v rovnovážném stavu
Hustota prostorového náboje na je daná koncentrací příměsí.
Šířka přechodu je větší v oblasti s menší koncentrací příměsí.
Na přechodu vzniká elektrické pole:
Emax je v metalurgickém přechodu !!!!
Průběh elektrického pole určuje průběh potenciálu.
Vlivem prostorového náboje vzniká mezi oblastmi P a N
difúzní napětí.

UMEL FEKT VUT V BRNĚ J.Boušek / Elektronické součástky / P2
4

ESO / L2 / J.Boušek 19
Pásový diagram přechodu PN
Difúzní proud majoritních nosičů
Driftový proud
minoritních nosičů
Generace v přechodu
Rekombinace v přechodu
Energetická
bariéra
ESO / L2 / J.Boušek 20
Pásový diagram přechodu PN
Poloha E
F
v oblastech P a N musí odpovídat typu vodivosti
(posun E
F
směrem k E

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 240,76 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály