Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

přednáška 10

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

tor – možnosti sepnutí
Při velké strmosti vzrůstu U
AK
- nežádoucí
Kapacitou C
BC
projde proudový impuls
Stejné jako vnucení proudu I
G

UMEL FEKT VUT V BRNĚ J.Boušek / Elektronické součástky / P10
2

FEKT VUT v Brně ESO / P10 / J.Boušek 7
Tyristor – spínací charakteristika
Pro spolehlivé sepnutí musí být I
G0
poměrně velký
U
AKBR
se zmenší při větším I
G
Vliv teploty
FEKT VUT v Brně ESO / P10 / J.Boušek 8
Tyristor – potlačení nežádoucího sepnutí
Emitory T
1
Přechody EB zkratovány kontaktem katody
R
P2
R
P1
R
P2
odvádí “parazitní “ proudy
U
GK
= (R
P1
I
G
+ U
BE
) > 1V !!!!!
U
GK
>1V
T
1
T
2
FEKT VUT v Brně ESO / P10 / J.Boušek 9
Tyristor – vliv proudového zesílení
Při malém I
E
(I
C
) nestačí proudový
zesilovací činitel na uzavření zpětné
vazby:
a) Pro spolehlivé sepnutí musí být I
G
poměrně velké
b) Tyristor vypne již při I
H
>0
(I
H
–vratný proud)
Proudový zesilovací činitel se výrazně
zvětšuje po překročení U(Br)
FEKT VUT v Brně ESO / P10 / J.Boušek 10
Tyristor – vyráběné typy a jejich parametry
Integrované:
Tyristorový můstek. Tyristorový polomůstek. Tyristor + dioda …
Optotyristory: Galvanické oddělení, pouze nízké kmitočty.
Tyristory GTO : Možnost vypnutí záporným impulsem I
G
.
(Gate Turn Off)
Zpětně závěrný tyristor - většina používaných typů.
Zpětně propustný - pro obvody s rezonančními kmity:
- paralelní dioda
-při průchodu U
AK
nulou dioda převezme proud I
A
a tyristor vypne
FEKT VUT v Brně ESO / P10 / J.Boušek 11
Tyristor – výstupní charakteristika
Sepnutí při I
G
>I
G0
Rozepnutí při I
A
< I
H
Závěrný směr (vliv I
G
)
FEKT VUT v Brně ESO / P10 / J.Boušek 12
Triak
Zkratování diod kontakty A
1
,A
2
:
-závěrně pólovaný
přechod se zkratuje
-přechod v propustném
směru zůstane funkční
(viz katoda tyristoru)
Pětivrstvá struktura
Tyristor + dioda v zapojená v závěrném
směru (při obou polaritách napětí)

UMEL FEKT VUT V BRNĚ J.Boušek / Elektronické součástky / P10
3

FEKT VUT v Brně ESO / P1

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 501,74 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály