Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

přednáška 1

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

VUT V BRNĚ J.Boušek / Elektronické součástky / P1
2

FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 7
E
V
E
E
C
ZAKÁZANÝ
PÁS > 3 eV
VODIVOSTNÍ
PÁS
VALENČNÍ
PÁS
ZAKÁZANÝ PÁS
VODIVOSTNÍ
PÁS
VALENČNÍ
PÁS
ZAKÁZANÝ PÁS
ČÁSTEČNĚ
ZAPLNĚNÝ
VODIVOSTNÍ
PÁS
VALENČNÍ
PÁS
PÁSY SE
PŘEKRÝVAJÍ
C
E
E
V
E
C
E
E
V
E
C
E
E
V
E
izolant
polovodič
monovalentní
bivalentní
kov
kov
Elektrická vodivost pevných látek
Aby se elektron účastnil vedení elektrického proudu musí být jeho
energie na některé z energetických hladin ve vodivostním pásu.
Energie potřebná k uvolnění elektronu je dána šířkou zakázaného
pásu mezi vodivostním a valenčním pásem.
!! O elektrické vodivosti pevných látek rozhoduje pásová struktura !!
FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 8
Odlišná závislost na teplotě a osvětlení
FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 9
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
+ -
Intrinzický polovodič
Dokonalý krystal bez poruch a příměsí (?)

Stejné vzdálenosti atomů a úhly vazeb

Energetické pásy jsou u všech atomů
deformovány stejným způsobem !!!!!!!
Ionizační (aktivační) energie:
- k uvolnění elektronu
- odpovídá E
G
.

Elektron ji získá:
Z tepelných kmitů krystalové mříže
Od fotonu při osvětlení (E
f
> E
G
)
Od jiného elektronu (E
e
> E
G
)
E
G
.
FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 10
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
Si Si Si Si
+ -
Díra je fiktivní nosič elektrického proudu,
kterému přisuzujeme kladný náboj.
Uvolněný elektron zanechá volnou vazbu

Volná vazba se může přesunout k jinému atomu

Přeskakováním elektronu ve vazbách se mění
náboj u příslušného atomu – krystalem se
pohybuje „díra“ s kladným nábojem
Ke každému uvolněnému elektronu (-q) je vygenerována díra (+q).

Celkový náboj se nezmění !!!!!
Dva nosiče elektrického proudu
FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 11
n = p = n
i

n ….koncentrace elektronů
Energie elektronů nabývá hodnot ve vodivostním pás (E > EC )

p..…koncentrace děr
Energie elektronů nabývá hodnot ve vodivostním pásu (E < E
V
)

n
i
…intrinzická koncentrace nosičů

T = 300 K
Si….. n
i
= 10
16
m
-3
= 10
10
cm
-3

Ge …n
i
= 10
19
m
-3
= 10
13
cm
-3

Intrinzická koncentrace nosičů
FEKT VUT v Brně ESO / L1 / J.Boušek 12
Nevlastní polovodiče
Intrinzické polovodiče - omezené použití
(Fotoodpor, teplotní čidlo, pasivační vrstvy…)
Pro použití v elektronice – polovodiče nevlastní
Záměrně upravujeme jejich vodivost přidáváním příměsí
-Při výrobě kr

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 498,48 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály