Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

protokol

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Vyučující: doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

VA-charakteristiky tranzistoru JFET Úloha č. 7
Vypracoval: Václav Kučera
Datum: 30.3.2005
Hodnocení
Úkol: 1. Změřte VA charakteristiky unipolárního tranzistoru (JFET) v zapojení se
společnou elektrodou S 2. JFET v zapojení se společnou elektrodou S jako zdroj proudu řízený napětím
3. Určete pro dané zapojení admitanční parametry NLO
Pokyny pro měření
1. Výstupní charakteristika
ID = f(UDS) / při UGS = konst. (5 křivek)
Nastavte napájecí napětí UCC = 10V
Napětí UGS zvětšujte až do zániku proudu ID. Zjištěné napětí rozdělte na 5 úrovní tak, aby hodnoty odpovídaly pěti charakteristikám s přibližně stejnou vzdáleností v grafu.
Pro takto určené hodnoty UGS proměřte jednotlivé charakteristiky, hodnoty zapište do tabulky a zakreslete je do grafu.
V průběhu měření kontrolujte stabilitu nastaveného UGS.

Obrázek : Zapojení pro měření
Omezení: IDmax = 10mA ; UDSmax = 10V
Poznámka: Vodivý kanál tranzistoru je plně otevřen při nulovém předpětí na elektrodě G(ID = max); Přivedením záporného předpětí na elektrodu G se vodivost kanálu zmenšuje.

2. Převodní charakteristika
(zdroj proudu řízený napětím)
stejné zapojení
ID = f(UGS) / při UDS = konst.
Nastavte UDS = 5V a udržujte toto napětí konstantní.
Napětí UGS zvětšujte, nejlépe po úrovních určených v předchozí úloze.
Naměřené hodnoty zapište do tabulky a vyneste do grafu.
Totéž proveďte pro UDS = 3V
3. Admitanční parametry NLO
Ze změřených charakteristik určete admitanční parametry náhradního lineárního obvodu.

ED Equation.3
Měření a jeho vyhodnocení
Výstupní charakteristika: ID = f(UDS) / při UGS = konst.
UGS = 0V
UDS [V]
0,05
0,15
0,31
0,7
1
2
3
6
8
ID [mA]
0,25
0,66
1,25
2,32
2,77
3,23
3,83
4,3
4,3
UGS = -0,3V
UDS [V]
0,10,20,40,712,53,568 ID [mA]0,30,631,091,521,732,062,133,063,07
UGS = -0,6V

UDS [V]0,10,20,40,712,53,568 ID [mA]0,220,380,630,80,881,041,091,671,7
UGS = -0,9V

UDS [V]0,10,20,40,712,53,568 ID [mA]0,090,130,190,230,260,320,340,380,41
UGS = -1,2V

UDS [V]0,10,20,40,712,53,568 ID [mA]00,010,010,020,020,030,030,040,04

Převodní charakteristika: ID = f(UGS) / při UDS = konst.
UDS = 5V
UGS [V]
-0,1
-0,2
-0,3
-0,4
-0,5
-0,6
-0,7
-0,8
-0,9
-1
ID [mA]
2,8
2,4
1,9
1,58
1,2
0,91
0,63
0,39
0,2
0,1
UDS = 3V
UGS [V]
-0,1
-0,2
-0,3
-0,4
-0,5
-0,6
-0,7-0,8-0,9-1 ID [mA]2,672,271,871,511,140,850,580,360,180,09

Charakteristiky

3. Admitanční koeficienty:
=
=
Závěr: Při tomto měření se projevila chyba vzniklá patrně vadným potenciometrem na zdroji, kdy při požadavku vyššího napětí docházelo k velkému kolísání a

Stáhnout celý tento materiál

1 2 3

Další

Vloženo: 18.05.2009

Velikost: 1,54 MB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujícího doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.

Podobné materiály