Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

protokol

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Vyučující: doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

nebylo možno ustálit napětí přesně na požadované hodnotě. Také se projevila chyba přechodových odporů přívodních vodičů. Jinak měření proběhlo bez větších komplikací. Námi zjištěné admitační koeficienty y21S a y22S nám vyšly: y21S = S a y22S = S.
Teoretické poznámky
Princip funkce unipolárního tranzistoru
Potřeba aktivního prvku v pevné fázi s vysokým vstupním odporem vedla k objevu a konstrukci tzv. tranzistorů řízených polem, jinak nazývaných FET (z anglického field effect transistor). Jsou to tranzistory, jejichž fyzikální princip funkce je odlišný od principu, na kterém pracují bipolární tranzistory. Řídicí elektrodou tranzistorů typu FET teče buď jen velmi malý proud ekvivalentní proudu diody v závěrném směru, nebo je tato řídicí elektroda izolovaná od řízeného obvodu vrstvičkou SiO2, takže jí neteče prakticky žádný proud (představuje ss odpor o velikosti cca 1012  ).
Historicky první vznikly tranzistory s izolovanou řídicí elektrodou (hradlem) a závěrně pólovaným přechodem PN, tzv. tranzistory JFET (junction FET). Princip funkce tohoto tranzistoru je naznačen na obrázku 41.
Obrázek : Princip funkce unipolárního tranzistoru JFET
Základem je polovodičová destička s nevlastní vodivostí typu N opatřená na obou koncích neusměrňujícími přívodními kovovými kontakty a mají, ve srovnání s bipolárním tranzistorem, význam emitoru a kolektoru . Do horní i dolní stěny základní destičky je vytvořena difúzí silně dotovaná vrstva obráceného typu vodivosti (P+) nazvaná hradlo (G- gate). Obě části hradla jsou spolu vodivě spojeny. Hradlo tvoří řídící elektrodu tranzistoru. Prostor mezi částmi hradla se nazývá kanál.
Jsou-li hradlo G i drain D spojeny s elektrodou source S (UDS =UGS = 0) vytvoří se v okolí hradla vyprázdněná oblast A, která se nesymetricky rozšiřuje do oblasti N s nízkou dotací. Tloušťku vyprázdněné oblasti je možno měnit napětím přiloženém k přechodu. Přiložíme-li tedy mezi hradlo a source napětí UGS tak, aby přechod byl polarizován ve zpětném směru, můžeme obě vyprázdněné oblasti rozšířit, čímž zúžíme vodivou část kanálu a zvětšíme jeho odpor. Přitom přívodem hradla neprochází téměř žádný proud (řádově pA).
Při nulovém nebo velmi malém napětí UDS je vyprázdněná část kolem části hradla rovnoměrná a proud při vzrůstu UDS se zvyšuje lineárně. Při dalším zvyšování napětí UDS začíná kladné napětí připojené v místě drainu na kanál vodivosti typu N působit jako předpětí HRADLO- KANÁL ve zpětném směru a tím rozšiřovat vyprázdněnou oblast. Toto rozšíření je největší v blízkosti drainu, neboť napětí mezi kanálem a hradlem se v důsledku napěťového úbytku působeného proudem ID ve směru od D k S zmenšuje. Výsledkem je nerovnoměrné rozložení vyprázdněné oblasti podél hradla.
Při maximálním zúžení kanálu však stále p

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 18.05.2009

Velikost: 1,54 MB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujícího doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.

Podobné materiály