Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

protokol_optoelektronicke_soucastky6

BFY1 - Fyzika 1

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

FYZIKÁLNÍ
Jméno
Kód
PRAKTIKUM
Petr Švrčina
Katedra fyziky
Ročník
Obor
Skupina
Oddělení
FEI VUT BRNO
2.
EVM
2C - 25
L2
Spolupracoval
Měřeno dne
Odevzdáno dne
Příprava
Opravy
Učitel
Hodnocení
Název úlohy
Číslo úlohy
Charakteristiky základních optoelektronických součástek
33
Teoretický úvod:
Luminiscenční dioda
Luminiscenční dioda LED je zdrojem elektromagnetického záření v oblasti viditelného světla a nebo v blízké infračervené oblasti. Základním materiálem pro výrobu luminiscenčních diod jsou polovodičové sloučeniny. Luminiscenční dioda je tvořena přechodem PN, který je v provozu polarizován v propustném směru. Energetický diagram přechodu PN s vnějším napětím, přiloženým v propustném směru je na obr. 1.Nosiče proudu injektované do oblasti přechodu rekombinují, čímž vzniká záření určité vlnové délky. Frekvence emitovaného fotonu splňuje podmínku :
(1)
kde Planckova konstanta h = 6,62.10-34 J.s, h = h/2, elementární náboj e = 1,6.10-19 C a kde eU je rozdíl Fermiho kvasienergií oblastí N a P.
Nejjednodušší uspořádání luminiscenční diody je na obr. 2. Světlo vzniká v těsné blízkosti přechodu PN, prochází oblastí P a přes ochrannou vrstvu (OV) vystupuje do okolí. Energie vyzařovaného světla závisí na hloubce, v níž se nachází přechod PN, na proudu diodou a na úhlu pod nímž záření z diody vystupuje.

K detekci dopadajícího elektromagnetického záření lze užít buďto běžnou fotodiodu, fotodiodu PIN nebo fototranzistor. Energetický diagram fotodiod v podstatě odpovídá obrázku 1, avšak situace je odlišná tím, že záření na přechod dopadá a je absorbováno. V oblasti přechodu se objeví dvojice nosičů elektron – díra, které jsou vnitřním elektrickým polem , jež je zde přítomno, od sebe odděleny. Tím se zvětšuje počet minoritních nosičů (elektronů v oblasti P a děr v oblasti N). Následkem nárůstu koncentrace minoritních nosičů se posunou energetické hladiny hranic pásů a na přechodu PN se objeví napětí.
K popisu vlastností luminiscenčních diod se používá několik charakteristik.
Voltampérová charakteristika luminiscenční diody popisuje vztah mezi napětím na diodě Ul a proudem I1, který diodou protéká. Voltampérovou charakteristiku reálné diody lze přibližně popsat rovnicí
EMBED Equation.3 (2)
Zde I0 je nasycený závěrný proud, Boltzmannova konstanta k = 1,3

Stáhnout celý tento materiál

1 2 3

Další

Vloženo: 18.05.2009

Velikost: 85,00 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BFY1 - Fyzika 1
Reference vyučujících předmětu BFY1 - Fyzika 1