Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

protokol

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Vyučující: doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

rochází nasycený proud ID v důsledku velkého rozdílu potenciálů mezi S a D a v důsledku průchodu nosičů podél siločar elektrického pole přechodu PN - nasycená oblast (saturace). Z tohoto popisu vycházejí následující VA charakteristiky JFETu (obr.42).
Obrázek : VA-charakterisky JFETu
Podobně jako u bipolárních tranzistorů používáme ke stanovení parametrů zesilovače malého signálu s tranzistorem JFET náhradního lineárního obvodu (NLO). K popisu je vhodné použít admitančních rovnic dvojbranu, jelikož soustava rovnic se zjednoduší pouze na jednu rovnici vzhledem k prakticky nulovému proudu hradla IG. Soustava koeficientů se tak ze stavu nakrátko a naprázdno zjednoduší pouze na dva - y21S a y22S ( pro zapojení se společnou elektrodou S).
Admitanční rovnice náhradního lineárního obvodu
Obrázek : Náhradní lineární obvod
Potom:
V porovnání s bipolárními tranzistory mají unipolární tranzistory větší impedance,vyžadují menší řídící příkon,ale mají rovněž menší výstupní výkon.Pro aplikace např. v logických obvodech je tato okolnost výhodná.V planárním provedení zaujímá JFET asi pět krát menší plochu než bipolární tranzistor a je tedy vhodný pro velkou integraci.Strmost JFETů je menší než u bipolárních tranzistorů,což se projevuje nepříznivě při velmi rychlém zpracování informací (daná kapacita se nabíjí pomaleji), kde mají bipolární tranzistory lepší parametry.Neobyčejně velká vstupní impedance JFETů umožňuje speciální aplikace a relativně malá teplotní závislost umožňuje pracovat i při velmi nízkých teplotách. Šum JFETů je u středních frekvencí menší než šum bipolárních tranzistorů.
Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brně
Elektronické součástky - laboratorní cvičení
FAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
A
P+
P+
N
UDS
UGS
výstupní
převodní
ID
Výstupní vodivost (S (
přenosová admitance strmost (S (, (mA/V(

přenosová admitance strmost (S (, (mA/V(
Výstupní vodivost (S (
A
UGS [V]
0
-2
-4
-10
UDS[V]
ID
[mA]
UGS[V]
-10
UDsat
hranice saturace
pro unipolární tranzistor
iG = y11suGS + y12suDS
iD = y21suGS + y22suDS
pro obecný dvojbran
i1 = y11u1 + y12u2
i2 = y21u1 + y22u2
uDS
y21uGS
uDS
uGS
iD
iG = 0
1/y22
uGS
iD
+
-
G
D
S
iG
G
S
S
D
Definuje přenosovou admitanci v přímém směru při výstupu nakrátko, která se číselně rovná hodnotě změny výstupního proudu nakrátko při jednotkové změně vstupního napětí. Označuje se jako strmost – rozměr (S (, (mA/V(
Definuje přenosovou vodivost nakrátko a je rovna hodnotě změny výstupního proudu při jednotkové změně výstupního napětí a vstupu nakrátko – rozměr (S (.

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Vloženo: 18.05.2009

Velikost: 1,54 MB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujícího doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.

Podobné materiály