Přednášky

LEDU SOUČÁSTKY .............................................................................. 74 
OBR. 10.9: DIALOGOVÉ OKNO PRO ULOŽENÍ VZHLEDU SOUČÁSTKY .......................................... 75 
OBR. 10.10: SCHÉMA ZAPOJENÍ SOUČÁSTKY REPREZENTUJÍCÍ ZADANOU LOGICKOU FUNKCI .... 75 
OBR. 11.1: PŘÍKLAD ÚPRAVY MODELU SOUČÁSTKY .................................................................. 77 
OBR. 11.2: ÚPRAVA ČASOVÉHO MODELU DIGITÁLNÍHO PRVKU ................................................. 77 
OBR. 11.3: SCHÉMA ZAPOJENÍ INVERTORU S UPRAVENÝM ČASOVÝM MODELEM ....................... 77 
OBR. 11.4: UPRAVENÝ ČASOVÝ MODEL HRADLA AND ............................................................. 78 
Modelování a simulace v mikroelektronice 7
OBR. 11.5: SCHÉMA ZAPOJENÍ HRADEL PRO DEMONSTRACI VZNIKU KONVERGENČNÍHO HAZARDU
79 
OBR. 11.6: ZOBRAZENÍ VZNIKU KONVERGENČNÍHO HAZARDU .................................................. 79 
OBR. 11.7: ÚPRAVA MODELU PRO DEMONSTRACI KRITICKÉHO HAZARDU ................................. 80 
OBR. 11.8: SCHÉMA ZAPOJENÍ PRO DEMONSTRACI KRITICKÉHO HAZARDU ................................ 80 
OBR. 11.9: ZOBRAZENÍ KRITICKÉHO HAZARDU ......................................................................... 81 
OBR. 11.10: SCHÉMA ZAPOJENÍ PRO VYTVOŘENÍ KUMULATIVNÍHO HAZARDU ........................... 82 
OBR. 11.11: ZOBRAZENÍ KUMULATIVNÍHO HAZARDU ................................................................ 82 
OBR. 11.12: UPRAVENÝ MODELPRO VZNIK REKONVERGENČNÍHO HAZARDU ............................. 83 
OBR. 11.13: SCHÉMA ZAPOJENÍ PRO DEMOSTRACI REKONVERGENČNÍHO HAZARDU .................. 83 
OBR. 11.14: ZOBRAZENÍ REKONVERGENČNÍHO HAZARDU ......................................................... 83 
OBR. 12.1: SCHÉMA A PRINCIP ČINNOSTI INTEGRAČNÍHO A/D PŘEVODNÍKU [2] ........................ 85 
OBR. 12.2: SCHÉMA ZAPOJENÍ RS KLOPNÉHO OBVODU ............................................................. 85 
OBR. 12.3: KOMPLETNÍ SCHÉMA ZAPOJENÍ INTEGRAČNÍHO A/D PŘEVODNÍKU .......................... 87 
OBR. 12.4: SCHÉMA ZAPOJENÍ ZDROJE SIGNÁLU K INTEGRAČNÍMU A/D PŘEVODNÍKU .............. 88 
OBR. 12.5: VÝSLEDNÉ CHARAKTERISTIKY INTEGRAČNÍHO A/D PŘEVODNÍKU ........................... 88 
OBR. 12.6: VÝSLEDNÉ CHARAKTERISTIKY INTEGRAČNÍHO A/D PŘEVODNÍKU PŘI ZMĚNĚ
MĚŘENÉHO ANALOGOVÉHO NAPĚTÍ ................................................................................... 89 
OBR. 14.1: DIALOGOVÉ OKNO PROGRAMU PSPICE MODEL EDITOR ........................................... 91 
OBR. 14.2: DIALOGOVÉ OKNO VÝBĚRU TYPU SOUČÁSTKY ........................................................ 91 
OBR. 14.3: PŘÍKLAD MODELU SOUČÁSTKY ................................................................................ 92 
OBR. 14.4: PŘEVOD MODELU NA SOUČÁSTKU PRO PROGRAM ORCAD CAPTURE ........................ 92 
OBR. 14.5: VOLBA PŘIDÁNÍ KNIHOVNY DO AKTUÁLNÍHO PROJEKTU V PROGRAMU ORCAD
CAPTURE 93 
OBR. 15.1: VÝPIS CHYBY PŘI PROBLÉMECH S KONVERGENCÍ [1] ............................................... 97 
8 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Seznam tabulek
TAB. 10.1: PRAVDIVOSTNÍ TABULKA REALIZOVANÉ LOGICKÉ FUNKCE ..................................... 68 

Modelování a simulace v mikroelektronice 9
1 Zařazení předmětu ve studijním programu
Modelování a simulace v mikroelektronice je povinný předmět pro studenty prvního
ročníku magisterského studia oboru Mikroelektronika. Je zaměřen na podrobnější analýzu
elektronických obvodů a mikroelektronických struktur a navazuje na znalosti získané
především z bakalářského kurzu Modelování a počítačová simulace (BMPS). Předpokládá se
aktivní znalost základních zákonů a principů teoretické elektrotechniky, metod analýzy
lineárních a nelineárních obvodů, jakož i znalost vlastností a funkce základních
elektrotechnických součástek.
Výuka tohoto kurzu je vedena v simulačním prostředí Cadence PSpice. V průběhu
kurzu musí studenti vypracovat individuální projekt jenž je nezbytným základem pro získání
zápočtu. Kurz je ukončen zkouškou z probraného rozsahu problematiky modelování a
simulací.
1.1 Úvod do předmětu
Tento studijní text je zaměřen na podporu počítačových cvičení předmětu Modelování a
simulace v mikroelektronice čemuž odpovídá i dělení do 12 kapitol dle jednotlivých
počítačových cvičení. V každé kapitole je seznam příkladů řešených na počítačových
cvičeních spolu s postupem získání a částečnými výsledky. U každé úlohy jsou definovány
požadované výsledky, které má student získat v průběhu řešení dané úlohy.
Náplň kurzu jde od základů ovládání simulačního nástroje a možností získávání
výsledků, přes simulace analogových obvodů, včetně vytváření behaviorálních modelů
součástek, digitálních simulací a tvorbou modelů digitálních prvků, až po simulace smíšených
analogově-digitálních obvodů.
V příloze tohoto výukového textu jsou podrobné návody pro vytváření analogových
součástek, digitálních prvků, seznam konvergenčních problémů a způsobů jejich řešení a
slovník používaných pojmů.
1.2 Osnova cvičení
• Základní postupy, charakteristiky prvků
• Stejnosměrné analýzy
• Střídavé analýzy
• Časové analýzy
• Statistické analýzy a optimalizace
• Hierarchické modelování
• Základní digitální simulace
• Digitální zdroje
• Digitální simulace – realizace logické funkce
• Digitální simulace nejhoršího případu
• Smíšené digitálně-analogové simulace

10 FEKT Vysokého učení technického v Brně
2 Základní postupy, charakteristiky prvků

Cíle cvičení
Cílem tohoto cvičení je osvojení základních postupů při simulaci elektronických
obvodů, kreslení schématu, typy výsledků analýz a způsoby vykreslení stejnosměrných
charakteristik polovodičových prvků.
• Práce s programem ORCAD CAPTURE
• založení nového projektu,
• hledání součástky v knihovnách,
• umístění součástek,
• nastavení parametrů součástek,
• propojování součástek,
• pojmenování uzlů, umístění měřicích sond,
• nastavení simulací,
• spouštění simulací,
• získání výsledků simulací,
• práce s programem ORCAD PROBE,
• přidávání grafů,
• editace os,
• práce s kurzory.

Řešené úlohy:
• Dělič R-R (.OP analýza)
• Odporová síť R-2R (výstupní textový soubor)
• Stejnosměrné charakteristiky polovodičové diody (.DC analýza, PROBE)
• Stejnosměrné charakteristiky bipolárního tranzistoru (výstupní textový soubor)
• Stejnosměrné charakteristiky tranzistoru MOS (práce s modely)
2.1 Odporový dělič
Zadání
Proveďte stejnosměrnou analýzu odporového děliče. Určete napětí v jednotlivých
uzlech pro V1=10. Určete velikost náhradního odporu (na svorkách zdroje).
Postup
• Nakreslete schéma. Jména prvků v knihovně: VDC, R, GND_ANALOG. Změňte
hodnoty součástek. Označte uzly. Uložte schéma. Spusťte simulaci.
• Po úspěšné simulaci se ve schématu objeví hodnoty nastaveného pracovního bodu.
• Otevřete výstupní textový soubor a porovnejte a) netlist se zadáním, b) výsledky .OP
analýzy se zadáním.
• Nejčastější chyby při kreslení schématu:
• Chybějící referenční uzel (GND_ANALOG)
• Desetinná čárka místo tečky
• Mezera mezi hodnotou a násobitelem
Modelování a simulace v mikroelektronice 11
• Upravte postupně schéma, aby obsahovalo uvedené chyby a najděte odpovídající
chybovou hlášku ve výstupním souboru.
Výsledky OP analýzy

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
(1) 10.0000 (2) 4.7619 (3) 0.0000

Netlist
* Schematics Netlist *
V_V1 1 0 10V
R_R1 1 2 1.1k
R_R2 2 0 1k
Schéma

Obr. 2.1: Schéma odporového děliče

2.2 Odporová síť R-2R
Zadání
Určete napětí v jednotlivých uzlech pro V1=10. Určete velikost náhradního odporu (na
svorkách zdroje).
Netlist
* Schematics Netlist *
V_V1 5 0 10V
R_R1 5 4 1k
R_R2 0 4 2k
R_R3 4 3 1k
R_R4 0 3 2k
R_R5 3 2 1k
R_R6 0 2 2k
R_R7 2 1 1k
R_R8 0 1 1k
Schéma

Obr. 2.2: Schéma odporové sítě R-2R

Výsledky OP analýzy

NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
(1) .6250 (2) 1.2500 (3) 2.5000 (4) 5.0000
NODE VOLTAGE
(5) 10.0000

12 FEKT Vysokého učení technického v Brně
2.3 Model křemíkové diody
Zadání
Ověřte model spínací Si diody (MBD101/DIODE) pomocí V-A charakteristik. Zjistěte
saturační proudy různých modelů diod.
Postup
• Nakreslete schéma. Použijte diodu MBD101. Označte uzly. Uložte schéma. Spusťte
simulaci.
• Analysis->Setup->DC Sweep,

Obr. 2.3: Nastavení stejnosměrné simulace
• Propustný směr: Name= V1; Start Value= 0.01; End Value= 1; Increment= 0.01
• Závěrný směr: Name= V1; Start Value= 0; End Value= -3; Increment= 0.01

Netlist
V_V1 0 1 0.65V
D_D1 1 0 MBD101

Schéma

Obr. 2.4: Schéma zapojení diody v propustném
směru
Výsledky analýzy
propustný směr
.DC LIN V_V1 0.01 1 0.01
závěrný směr
.DC LIN V_V1 0 -3 0.01
Modelování a simulace v mikroelektronice 13

Obr. 2.5: Výstupní charakteristika diody v
propustném směru

Obr. 2.6: Výstupní charakteristiky diody v
závěrném směru

2.4 Výstupní charakteristiky bipolárního tranzistoru
Zadání
Vykreslete výstupní charakteristiky tranzistoru Q2N2222. Výstupními charakteristikami
bipolárního tranzistoru v zapojení se společným editorem se rozumí parametrický vějíř grafů
závislosti kolektorového proudu Ic=f(Uce) s bázovým proudem Ib jako parametrem.
Postup
• Analysis -> Setup -> DC Sweep, Voltage Source; Linear Name= V1; Start Value= 0;
End Value= 12; Increment= 0.1

Obr. 2.7: Nastavení druhého zdroje u stejnosměrné analýzy
• Nested Sweep Current Source; Linear Name= I1; Start Value= 0; End Value= 100u;
Increment= 20u
14 FEKT Vysokého učení technického v Brně

Obr. 2.8: Nastavení proudového zdroje u stejnosměrné analýzy
Netlist
* Schematics Netlist *
I_I1 0 1 DC 50uA
V_V1 2 0 12V
Q_Q1 2 1 0 Q2N2222
Schéma

Obr. 2.9: Schéma zapojení bipolárního tranzistoru

Modelování a simulace v mikroelektronice 15

Výstupní charakteristiky

Obr. 2.10: Výstupní charakteristiky bipolárního tranzistoru
2.5 Výstupní charakteristiky unipolárního tranzistoru
Zadání
Vykreslete výstupní charakteristiky unipolárního tranzistoru NMOS. Jméno prvku
v knihovně je MbreakN. Substrát tranzistoru NMOS je nutné připojit na uzel s nejzápornějším
potenciálem (v tomto jednoduchém příkladě zem). Tranzistor musí mít zadanou velikost
kanálu. Pomocí změny atributů součástky nastavte například W=10u a L=5u. (tedy šířka
kanálu je 10 mikronů a délka kanálu je 5 mikronů).
Netlist
V_Vds 1 0 5V
V_Vgs 2 0 2V
M_M1 1 2 0 0 MbreakN
+ L=5u
+ M=10u
Schéma

Obr. 2.11: Schéma zapojení unipolárního
tranzistoru NMOS
16 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Výstupní charakteristiky

Obr. 2.12: Výstupní charakteristiky unipolárního tranzistoru

Pokuste se vykreslit převodní charakteristiky tranzistoru NMOS s logaritmickým
měřítkem na ose proudu.
Modelování a simulace v mikroelektronice 17
3 Stejnosměrné analýzy

Cíle cvičení
Cílem cvičení je osvojení práce s jednotlivými stejnosměrnými analýzami, teplotní
analýza, řízené zdroje, nastavení pracovního bodu.
Řešené úlohy:
• Odporový můstek (.TF analýz, .SENS analýza)
• Řízené zdroje napětí a proudu (prvky E, F, G, H)
• Teplotní analýza (.TEMP analýz, parametr TEMP v .UC a .STEP analýze)
• Nastavení pracovního bodu zesilovače (globální parametry, vyhledávací příkaze
PROBE)
• Odporový model
3.1 Odporový můstek
Zadání
Proveďte stejnosměrnou analýzu odporového můstku. Odpor R2 je teplotně závislý
R=1k(1+10-3*∆T).
• Určete napětí v jednotlivých uzlech pro V1=10V, proud zdrojem a dodávaný příkon.
• Určete citlivost výstupního napětí V(2,3) na velikosti jednotlivých odporů.
• Zjistěte vliv napájecího napětí V1 na velikost výstupního napětí V(2,3).

Postup
• Nakreslit schéma.
• Hodnotu odporu R2 nastavit na "1k TC1=10m".
• Zkontrolovat povolení analýzy .OP (Analysis - Setup - Bias Point Detail); implicitně
je povolena
• Citlivostní analýza (Analysis - Setup - Sensitivity); výstupní proměnná = V(2,3).
• Přenosová funkce (Analysis - Setup - Transfer Function); výst. proměnná = V(2,3);
zdroj = V1.
• Uložit. Spustit simulaci (nenastavovat sondy).
• Najít výsledky ve výstupním souboru (Analysis - Examine Output).
18 FEKT Vysokého učení technického v Brně

Obr. 3.1: Nastavení simulace pracovního bodu
Popis
V tomto příkladu se teplotní závislost odporu zadávala přímo do pole velikost hodnoty
odporu. Tímto způsobem lze zadat pouze lineární teplotní koeficient TC1. Složitější teplotní
závislost je nutno definovat pomocí odporového modelu, jak ukazuje následující příklad.
Výsledkem přenosové funkce je závislost výstupní obvodové veličiny (tedy rozdíl napětí mezi
uzly 2 a 3) na změně napětí zdroje (V1). Je zřejmé, že na výstupu vyváženého můstku bude
nulové napětí nezávisle na velikostí napětí napájecího. Vstupní i výstupní odpor je 1 kOhm.
Výsledkem citlivostní analýzy je závislost vstupní obvodové veličiny (opět rozdíl napětí na
výstupu můstku) na změně velikostí odporu v obvodu. Například první řádek výstupní
tabulky. Udává jmenovitou hodnotu odporu R1 (1 kOhm), citlivost dV(2,3)/dR1=25m
V/Ohm, a normalizovanou citlivost 25m V/% (tedy na procento velikosti změny odporu, v
tomto případě na 10 Ohmů). Výsledky analýz .TF a .SENS jsou (podobně jako pro analýzu
.OP) pouze v textovém výstupu.

Netlist
* Schematics Netlist *
V_V1 1 0 10V
R_R2 1 3 1k TC1=10m
R_R3 2 0 1k
R_R4 0 3 1k
R_R1 2 1 1k
Schéma
Obr. 3.2: Schéma zapojení odporového můstku

Modelování a simulace v mikroelektronice 19
3.2 Řízení zdroje
Zadání
Na výstup můstku z předchozího příkladu připojte ideální rozdílový zesilovač napětí
V(OUT)=Av*V(2,3).
• Nastavte jeho zesílení tak, aby pro rozsah teplot 27-127°C bylo výstupní napětí v
rozsahu 0-10V.

Netlist
* Schematics Netlist *
R_R1 2 1 1k
R_R5 0 OUT 1k
R_R3 2 0 1k
V_V1 1 0 10V
R_R4 0 3 1k
E_E2 OUT 0 2 3 X
R_R2 1 3 1k TC1=10m
Schéma

Obr. 3.3: Schéma zapojení řízeného zdroje

Postup
• Doplnit řízený zdroj (Draw - Get new part - E); zesílení = 10
• Doplnit zátěž Rz.
• Nastavit analýzu DC. Rozmítat zdroj napětí V1; seznam hodnot = 10V
• Nastavit .TEMP analýzu (Analysis - Setup - Temperature); seznam teplot = 27 127
• Umístit sondu na výstup OUT. Spustit simulaci.
• Měnit zesílení řízeného zdroje až bude odpovídat rozsah výstupního napětí.

3.3 Teplotní analýza
Zadání
Pro zesíleni z předchozího příkladu vykreslete závislost V(OUT)=fce(T) pro rozsah
teplot 270,3,0) }
X_S3 END 0 N00761 0 SCHEMATIC1_S1
U_DSTM1 STIM(1,1) $G_DPWR $G_DGND CLOCK IO_STM +IO_LEVEL=0 0 0
+500nS 1 REPEAT FOREVER +500nS 0
+ +500nS 1 ENDREPEAT
X_U3A S1 CLOCK N01688 $G_DPWR $G_DGND 7400 PARAMS:
+ IO_LEVEL=0 MNTYMXDLY=0
X_U7 ZERO END $G_DPWR $G_DGND BUF
X_U4A S2 CLOCK N01734 $G_DPWR $G_DGND 7400 PARAMS:
+ IO_LEVEL=0 MNTYMXDLY=0
X_U1 COUNT $D_HI $D_HI N02070 $D_HI $D_HI $D_HI $D_HI +$D_HI D0 D1 D2 D3
+ N02376 $G_DPWR $G_DGND 74161 PARAMS:
+ IO_LEVEL=0 MNTYMXDLY=0
X_U5A N01688 N01734 COUNT $G_DPWR $G_DGND 7400 +PARAMS: IO_LEVEL=0
MNTYMXDLY=0
X_S1 S1 0 N00761 Vin SCHEMATIC1_S1
X_U12 START N02070 $G_DPWR $G_DGND INV
X_HB2_U1A RESET RESET HB2_1 $G_DPWR $G_DGND 7400 +PARAMS:
IO_LEVEL=0 MNTYMXDLY=0
X_HB2_U2A ZERO ZERO HB2_2 $G_DPWR $G_DGND 7400 +PARAMS: IO_LEVEL=0
MNTYMXDLY=0
Modelování a simulace v mikroelektronice 87
X_HB2_U3A HB2_1 HB2_3 S2 $G_DPWR $G_DGND 7400 +PARAMS: IO_LEVEL=0
MNTYMXDLY=0
X_HB2_U4A S2 HB2_2 HB2_3 $G_DPWR $G_DGND 7400 +PARAMS: IO_LEVEL=0
MNTYMXDLY=0
.subckt SCHEMATIC1_S1 1 2 3 4
S_S1 3 4 1 2 _S1
RS_S1 1 2 1G
.MODEL _S1 VSWITCH Roff=1e6 Ron=1.0 Voff=0.0V Von=3V
.ends SCHEMATIC1_S1

Schéma

Obr. 12.3: Kompletní schéma zapojení integračního A/D převodníku

6. Pro realizaci komparátoru můžete využít blok pro behaviorální modelování ABM1
s hodnotou definovanou podmínkou IF(V(%IN)>0,3,0). Hodnota 3 V na výstupu při
splnění podmínky postačuje pro buzení následných logických obvodů a nezpůsobuje
kritické konvergenční chyby při časové simulaci, pro přílišnou změnu napětí. (PSpice
při simulaci sleduje trendy jednotlivých napětí a při příliš rychlém růstu některé
z hodnot ukončí simulaci).
7. Ověřte správnost realizace AD převodníku.
8. Použijte vytvořené interní schéma pro zapojení převodníku do testovacího obvodu.
9. Na vstup AD převodníku přiveďte proměnné vstupní napětí a ověřte kompletní funkci
převodníku.
10. Určete požadované parametry tohoto převodníku.

88 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Netlist
* Schematics Netlist *
V_V1 IN 0 5Vdc
U_DSTM1 STIM(1,1)
+ $G_DPWR $G_DGND
+ N11537
+ IO_STM
+ IO_LEVEL=0
+ 0s 1
+ 10u 0
+ REPEAT 10 TIMES
+ +550u 1
+ +1u 0
+ ENDREPEAT
Schéma
Obr. 12.4: Schéma zapojení zdroje signálu k integračnímu A/D
převodníku
Výsledky

Obr. 12.5: Výsledné charakteristiky integračního A/D převodníku
Modelování a simulace v mikroelektronice 89

Obr. 12.6: Výsledné charakteristiky integračního A/D převodníku při změně měřeného
analogového napětí

90 FEKT Vysokého učení technického v Brně
13 Seznam použité literatury
[ 1 ] PSpice User’s Guide, Second Edition 31 May 2000, Cadence Design Systems, Inc,
1985-2000.
[ 2 ] Vrba a kol., Teorie vzájemného převodu analogového a číslicového signálu, FEKT
VUT Brno, 6.11.2006.

Modelování a simulace v mikroelektronice 91
14 Příloha I: Vytvoření modelu součástky do programu
Orcad Capture z formátu PSpice netlist
 
Požadavky
• Popis modelu součástky v PSpice netlist
Postup 
1. Spusťte PSpice Model Editor

Obr. 14.1: Dialogové okno programu PSpice Model Editor
2. Pomocí volby File a New vytvořte novou knihovnu
3. Vytvořte nový model součástky. Model, New

Obr. 14.2: Dialogové okno výběru typu součástky
4. Zadejte libovolný název (Název bude pozděli upraven v závislosti na obsahu Vašeho
netlistu).
92 FEKT Vysokého učení technického v Brně
5. Nyní máte dvě možnosti v závislosti na druhu Vaší součástky. V případě že Vaše
budoucí součástka odpovídá některé z předpřipravených modelů. V případě že pro
Vaši součástku není vhodný vzor vyberte libovolnou volbu.
6. Přepněte se do zápisu netlistu. Volba View a Model Text.
7. Nahraďte text netlistu Vaším textem z knihovny Vámi požadované součástky.
8. Text netlistu musí začínat klíčovým slovem .SUBCKT a musí končit klíčovým slovem .ENS
9. Komentáře se zadávají pomocí *a

Obr. 14.3: Příklad modelu součástky
10. Po uložení se automaticky změní název Vaší součástky podle textu zadaného
v definici .SUBCKT
11. Dále převeďte knihovnu .lib do knihovny pro Capture .olb přes volbu File, Create
Capture Parts

Obr. 14.4: Převod modelu na součástku pro program Orcad Capture
12. Nyní máte součástku připravenou pro použití v PSpice Capture
13. Nezapomeňte přidat Vaší knihovnu do aktuálního projektu. Volba Place Part a Add
Library. Teď už by jste měli najít Vaší součástku v seznamu součástek a už ji můžete
libovolně umístit a editovat.
Modelování a simulace v mikroelektronice 93

Obr. 14.5: Volba přidání knihovny do aktuálního projektu v programu Orcad Capture
 
94 FEKT Vysokého učení technického v Brně
15 Příloha II: Konvergenční problémy
Při hledání pracovního bodu, stejnosměrné a časové analýze musí simulační program
řešit soustavu nelineárních rovnic jednotlivých součástek v daném obvodu a jejich
vzájemných vazeb. Řešení těchto rovnic vychází z iterakční metody a je založeno na Newton-
Raphson algoritmu. Tento algoritmus určí prvotní aproximaci a dalšími iterakcemi zpřesňuje
výsledné hodnoty až po dosažení konvergence výstupních napětí a proudů ke stejné hodnotě.
Bohužel v některých případech není možné nalézt výsledné řešení a vzniká problém
s konvergencí, který ukončí pávě probíhající simulaci.
Prin