Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

Laboratorní cvičení 7

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

polární tranzistory. Řídicí elektrodou tranzistorů typu FET teče buď jen velmi malý proud ekvivalentní proudu diody v závěrném směru, nebo je tato řídicí elektroda izolovaná od řízeného obvodu vrstvičkou SiO2, takže jí neteče prakticky žádný proud (představuje ss odpor o velikosti cca 1012  ).
Historicky první vznikly tranzistory s izolovanou řídicí elektrodou (hradlem) a závěrně pólovaným přechodem PN, tzv. tranzistory JFET (junction FET). Princip funkce tohoto tranzistoru je naznačen na obrázku 41.
Obrázek : Princip funkce unipolárního tranzistoru JFET
Základem je polovodičová destička s nevlastní vodivostí typu N opatřená na obou koncích neusměrňujícími přívodními kovovými kontakty a mají, ve srovnání s bipolárním tranzistorem, význam emitoru a kolektoru . Do horní i dolní stěny základní destičky je vytvořena difúzí silně dotovaná vrstva obráceného typu vodivosti (P+) nazvaná hradlo (G- gate). Obě části hradla jsou spolu vodivě spojeny. Hradlo tvoří řídící elektrodu tranzistoru. Prostor mezi částmi hradla se nazývá kanál.
Jsou-li hradlo G i drain D spojeny s elektrodou source S (UDS =UGS = 0) vytvoří se v okolí hradla vyprázdněná oblast A, která se nesymetricky rozšiřuje do oblasti N s nízkou dotací. Tloušťku vyprázdněné oblasti je možno měnit napětím přiloženém k přechodu. Přiložíme-li tedy mezi hradlo a source napětí UGS tak, aby přechod byl polarizován ve zpětném směru, můžeme obě vyprázdněné oblasti rozšířit, čímž zúžíme vodivou část kanálu a zvětšíme jeho odpor. Přitom přívodem hradla neprochází téměř žádný proud (řádově pA).
Při nulovém nebo velmi malém napětí UDS je vyprázdněná část kolem části hradla rovnoměrná a proud při vzrůstu UDS se zvyšuje lineárně. Při dalším zvyšování napětí UDS začíná kladné napětí připojené v místě drainu na kanál vodivosti typu N působit jako předpětí HRADLO- KANÁL ve zpětném směru a tím rozšiřovat vyprázdněnou oblast. Toto rozšíření je největší v blízkosti drainu, neboť napětí mezi kanálem a hradlem se v důsledku napěťového úbytku působeného proudem ID ve směru od D k S zmenšuje. Výsledkem je nerovnoměrné rozložení vyprázdněné oblasti podél hradla.
Při maximálním zúžení kanálu však stále prochází nasycený proud ID v důsledku velkého rozdílu potenciálů mezi S a D a v důsledku průchodu nosičů podél siločar elektrického pole přechodu PN - nasycená oblast (saturace). Z tohoto popisu vycházejí následující VA charakteristiky JFETu (obr.42).
Obrázek : VA-charakterisky JFETu
Podobně jako u bipol

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 28.05.2009

Velikost: 1,59 MB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály