Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

Laboratorní cvičení 04

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

Jedním z mezních parametrů diody, který určuje její užitné vlastnosti je dynamický parametr označovaný jako doba závěrného zotavení trr (Reverse Recovery). Udává, jak rychle dioda dokáže přejít z propustného do závěrného režimu a blokovat průchod proudu. Dioda se tedy stává nevodivou až po uplynutí doby závěrného zotavení trr.
Pro Schottkyho diody a diody GaAs je trr řádově 10-12s. Tuto dobu lze stanovit z časové závislosti iD(t). Zotavovací dobu je možné také určit z průběhu výstupního napětí u2 (viz první úloha zadání), které je obrazem proudu protékajícího diodou. Pro její určení se používá např. tečny k překmitu, nebo časový interval pro pokles na 1/10 velikosti překmitu.
Při změně polarity napětí na diodě pokles proudu pokračuje i do záporných hodnot, protože dochází k postupnému odčerpávání injektovaných minoritních nosičů náboje, které se v diodě nahromadily při propustné polarizaci. Tzn., že postupně dochází k opětnému rozšíření oblasti prostorového náboje.

CT
Sériový usměrňovač
RP
Napětí u2 je obrazem proudu I. A,B – vstupy osciloskopu G - generátor funkcí
CD
D
RS
LS
RP - svodový odpor diody (uplatní se
v závěrném směru)
CD - difúzní kapacita (uplatní se
v propustném směru)
CT - bariérová kapacita (uplatní se
v závěrném směru)
RS - odpor materiálu diody a odpor
přívodů (10-1 - 102 Ω)
LS - indukčnost přívodů
D - ideální dioda
Cp - bariérová a difuzní kapacita CT + CD
Rd - dynamický odpor diody
RP
Rd
Cp
RS
α
IF1
UF1

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Vloženo: 28.05.2009

Velikost: 338,00 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály