Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

Laboratorní cvičení 03

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

lastností diody je vedení elektrického proudu pouze jedním směrem (IF). Při zapojení v tomto tzv. propustném směru, kdy na anodě je kladné napětí proti katodě (UF).
Je-li dioda zapojena v tzv. závěrném směru je přiložené napětí (UR) pólováno opačně, tj. na anodě (-), na katodě (+) a proud jí prakticky neprotéká (pouze malý závěrný proud IR).

Obr. 3.: Zapojení diody Obr. .: Zapojení diody
v propustném směru v závěrném směru
Základní informace o vlastnostech polovodičové diody poskytuje její voltampérová charakteristika. Závislost proudu na napětí je u polovodičových diod nelineární – exponenciální.
Je dána Shockleyho rovnicí ideální diody:
kde:
UT - teplotní napětí, které je rovno kT/q,
k - Boltzmanova konstanta (1,38.10-23JK-1s-1),
q - náboj elektronu (1,602.10-12C),
T - absolutní teplota [K]
(UT pro 300K je přibližně 26 mV)
U - napětí na přechodu PN [V]
I - proud procházející přechodem [A]
I0 - saturační proud (pro Si 10-15 – 10-9 A, pro Ge 10-8 – 10-2 A)
m - multiplikační činitel (není-li uveden, předpokládá se m=1, pro Si m=2)

Saturační proud závisí na:
koncentraci příměsí NA, ND,
ploše přechodu A,
na teplotě T (jednak přímo a exponenciálně přes vlastní koncentraci ni),
na době života minoritních nosičů n a p.
Obr. .: Význačné hodnoty na VA-charakteristice
Označování parametrů diod
Přehled parametrů běžně používaných diod :
Germaniová dioda:
rychlé spínání (velká pohyblivost nosičů b),
malé prahové napětí (0,3 V až 0,5 V),
malé závěrné napětí, nízká mezní teplota (75°C),
poměrně velké závěrné proudy (v důsledku velkého ni), a tím značná teplotní závislost.

Křemíková dioda:
poměrně pomalé spínání (malá pohyblivost b!!),
velké prahové napětí (0,5 V až 1,1 V),
vysoké závěrné napětí,
vysoká mezní teplota (150°C),
malé závěrné proudy (vlivem poměrně malého nI), a tím malá teplotní závislost.
Schottkyho bariérová dioda
Obsahuje kovový kontakt na polovodiči N (nejčastěji Si nebo GaAs), čímž vzniká závěrná vrstva takového druhu, že při pólování v přímém směru prochází

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 28.05.2009

Velikost: 1002,00 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály