- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálL
mensi prikon, vetsi hustota na cipu, mensi naklady, pomalejsi, vetsi rozsah napajeciho napeti, mensi rozsah frekvenci, vyssi logicky zisk, odolnejsi vuci ruseni
napajeni pro TTL a CMOS:TTL +4,5 az 5,5V, CMOS +3 az +18V
Zapojit J-K jako T... vstupni signal zaroven do J a K, vystup z Q
Zapojit J-K jako D... vstup D do J a !D do K, vystup z Q, do C CLK
Zapojit D jako T... !Q privezt do D, vystup z Q, do C CLK
Dekoder se 3 adresovacima vstupama (ma 8 vystupu), pripojit k pameti pro adresovani po KB
podle me staci propojit A=A10,B=A11,C=A12, ostatni Ax na zem
Pubeh na AKO, ob05
schema AKO + promenna strida,ob25
beta=R1/(R1+R2),T1=T/2,2*beta=(1+beta)(1-e^(T1/tau)),e^(T1/tau)=(1+beta)/(1-beta),T1=tau*ln((1+beta)/(1-beta)),T=2*T1,f=1/T
Posuvny registr z D, ob03
Posuvny registr z JK, ob17
Asynchronni citac z JK, ob21
Synchronni citac z JK, ob22
Asynchronni citac z D, ob23
Obvod pro rozsireni a zuzeni pulzu, urcit Tvyst
ob02, pro prodlouzeni MKO, ti=k*tau=k*R*C, k zavisi na parametrech TTL, obvykle k.=1, pro zkraceni vlivem zpozdeni hradel
BJT,IGBT,MOSFET-char, vlastnosti
Bipolar Junction Transistor...spinani vyssich vykonu
Insulated Gate Bipolar Transistor...vysoke vykonove zesileni, napeti 100-1000V, Ic 1-100A
MOSFET...rychle spinani,400V/100A
porovnani statickych spinacich vlastnosti ob06, J je proudova hustota, neboli kolektorovy proud na plochu cipu, Uzb je veliost zbytkoveho napeti na spinaci v sepnutem stavu
Filtr se spinanym kondikem, ob10
spinanim 2 spinacu vznika fiktivni odpor, je preladitelny spinaci frekvenci,Rekv=Ts/C
(spinani 2. negovane oproti 1.), Ts=1/fs=t1+t2,Q(t1)=C*u1,Q(t2)=C*u2,deltaQ=C(u1-u2)=i*Ts,i=(u1-i2)/(Ts/C)
Prevodnik I->U, ob10
Zapojeni integracu 7490,74193,RS z NANDu,JK, ob16
Aliasing
SCF propousti frekvence ws-w
Vloženo: 23.04.2009
Velikost: 23,60 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu X35ESY - Elektronické systémy
Reference vyučujících předmětu X35ESY - Elektronické systémy
Podobné materiály
- X02FY1 - Fyzika 1 - Další příklady Bednařík
- X35ESY - Elektronické systémy - Další tahák na zkoušku (optimalizace pro TI-89)
- 36APC - Automatizace projektování číslicových systémů - VHDL Tahák
- X01MA2 - Matematika 2 - Tahák Tkadlec
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - Tahák
- X31EO2 - Elektrické obvody 2 - Tahák
- X35ESY - Elektronické systémy - Tahák na zkoušku
- Y01ALG - Úvod do algebry - tahák - definice ke zkoušce - TheBigOne
- X01MA1 - Matematika 1 - - Matika1 - vzorce (tahak)
- 34EL - Elektronika - tahak na pisomku
- X36PJV - Programování v jazyku Java - tahak html
- X36PJV - Programování v jazyku Java - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- X12BP1 - Bezpečnost v elektrotechnice 1 - tahak z becpecnosti
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak na konstanty
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - mikro tahak - vzorec
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak na priklady
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak teoria
- X13KAT - Konstrukce a technologie - tahak na 2. test
- X37SAS - Signály a systémy - tahak na 2. test
- X12MTE - Materiály a technologie pro elektroniku - tahak na skusku MTE
- X02FY1 - Fyzika 1 - Tahák zkouškových příkladů
- X02FY1 - Fyzika 1 - Souhrn materiálů na zkoušku
- A3B02FY1 - Fyzika 1 pro KyR - Vypracované otázky na zkoušku
Copyright 2025 unium.cz


