Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

Tranzistor JFET

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

7. Tranzistor řízený elektrickým polem:
1. Tranzistor JFET s kanálem typu N má IDSO = 12mA, Up = - 4V. Hradlo je uzemněno přes odpor RG = 180k, emitor je uzemněn přes odpor RS = 150 ohmů. Předpokládejte, že tranzistor pracuje v oblasti saturace. a) Vypočtěte pracovní bod tranzistoru a strmost tranzistoru v tomto pracovním bodě. b) Navrhněte RD takové, aby tranzistor pracoval v saturaci při napájecím napětí UN = 7V.
Odporem RG je zajištěno, že UG = 0. Na odporu RS vzniká úbytek napětí URS = RS. ID = - UGS. a) UGS určíme z rovnice RS ID = RS.IDSS(1 - UGS / Up)2 = - UGS. Řešíme analyticky nebo graficky (- UGS ~ 1V), proud kolektoru ID = IDSS (1 - UGS / Up)2 ~ 6,8 mA a strmost, gm = (2IDSS / UP) . (1 - UGS / Up) ~ 4,5 mS .
b) Pro saturační režim musí být splněno UDS = UDSSAT > UGS – UP = 3 V. Maximální hodnota RD je proto RDMAX = (UDD - UDSSAT - IDRS) / ID = 430ohmů, z řady 420ohmů.
Poznámka: Při přemostění odporu RS kapacitou dosáhneme AU = - gm. RDMAX = - 1,88 !!! Zvolíme-li větší odpor RDMAX přejde tranzistor při daném proudu ID do aktivního režimu a strmost se zmenší. Zvolíme-li menší proud, abychom zajistili saturační režim, strmost se rovněž zmenší. Pro velké zesílení je nutné podstatně zvýšit napájecí napětí.

Stáhnout celý tento materiál

1 2 3

Další

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 36,00 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály