Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

Tranzistor JFET

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

osiči tak, aby vznikla inverzní vrstva propojující oblast S a D. Při zvyšování UGS dojde nejprve k odpuzení majoritních nosičů – náboj na hradle bude v rovnováze s ionizovanými atomy příměsí v blízkosti hradla. Při překročení určitého napětí je náboj na hradle takový, že pro jeho kompenzaci musí být k izolaci hradla přitaženy i minoritní nosiče ze substrátu. V tomto okamžiku vzniká inverzní vrstva = kanál = vodivé propojení oblastí S a D.
b) V obvodu hradla musí být dělič, kterým se nastaví UGS > UP.
4. Vysvětlete pojem "tranzistor s trvalým kanálem". Nakreslete zapojení pro nastavení pracovního bodu zesilovače s tímto tranzistorem (tř. A).
V izolaci hradla se mohou vyskytnout poruchy, které zachycují elektrony – v materiálu hradla je zabudovaný náboj. Pokud je náboj zabudovaný v izolaci hradla takový, že jsou pro zajištění nábojové rovnováhy k izolaci hradla přitaženy i minoritní nosiče existuje v tranzistoru vodivý kanál i bez napětí přiloženého na elektrodu G. Napětím UGS můžeme potom vodivost kanálu zvětšovat i zmenšovat. Trvalý kanál může vzniknout a) záměrně pro určitý typ tranzistoru b) při chybě ve výrobním procesu c) při programování pamětí typu EPROM, EEPROM atd. Typické zapojení zesilovače viz schéma pro příklad 2.

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 36,00 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály