- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
Mluvené slovo z přednášek na papíře
X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů
Hodnocení materiálu:
Vyučující: Mgr. Ivana Pilarčíková
Popisek: nemusíte si psát, doslova je to napsáno zde ;-)
Materiál není původně ode mě, našel jsem ho jinde na netu, tak předávám k dalšímu použití :-D
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiállina
Je dokonale tekutá(tj. bez viskozity) a dokonale nestlačitelná.
Kapalné skupenství je přechodem mezi plynným a pevným skupenstvím. Molekuly kapaliny se krátkodobě sekupují do krystalové mřížky, která se hned rozpadá, říkáme, že kapaliny mají pseudokrystalickou strukturu.
Závislost teploty a objemu u kapalin
ΔV=V0βΔtβ – teplotní součinitel roztažnosti
ΔV=Vt-V0 = V0 βΔt
Vt=V0(1+βΔt)
Závislost hustoty a objemu u kapalin
ρ=ρ0(1- βΔt)
Vypařování:
Kapaliny se vypařují za každé teploty.
Molekuly kapaliny, které jsou na povrchu se odtrhávají a dostávají se nad hladinu. Zároveň molekuly, které jsou ve formě plynu se kondenzují a stávají se součástí kapaliny.
Sytá pára – je to pára nad kapalinou, která vznikne při rovnováze mezi vypařováním a kondenzací.
Var kapaliny
Var je teplota, kdy tlak syté páry nad kapalinou se vyrovná s vnějším tlakem a kapalina se odpařuje z celého objemu.
Povrchové napětí
σ = F / l [Nm-1]- povrchové napětí
Částice na povrchu kapaliny jsou vtahovány dovnitř kapaliny přitažlivými silami. Díky tomu se kapaliny snaží zaujmout co nejmenší povrch vzhledem ke svému objemu. Kapaliny vytváří kuličky.
Definice povrchového napětí
Povrchové napětí je síla působící k povrchu kapaliny kolmo na délkovou jednotku zvolenou v libovolném směru.
Mezifázová napětí
Kapaliny dělíme na skučivé a neskučivé, podle přilnavosti k povrchu.
Viskozita
τ = η dy/dv
η[Pa s]- dynamická viskozita
J = η / ρ [m2/s2]- kinetická viskozita [: mí :]
Úvod do Elektrotechnických materiálů – přednáška 4
Pevné látky - krystaly
Kapalné krystaly
Tekuté krystaly jsou složité organické látky, které vykazují optickou anizotropii v blízkosti bodu tání.
Organické látky mají dlouhé lineární molekuly.
Podle charakteru dlouhých lineárních molekul lze rozdělit na:
Nematické - vláknité
Cholesterické- lístkovité krystaly
Smektické
Tuhé skupenství
Je energeticky nejchudší a geometricky nejuspořádanější.
Struktury tuhého skupenství:
- krystalická
- amorfní (podchlazené kapaliny)
- krystalicko – amorfní
Krystalická
Částice jsou pravidelně rozmístěny v prostoru a každá má stejné okolí (všude je struktura pravidelná).
Při zvýšení teploty dochází k rozrušení vazeb v celém objemu.
Krystalicko-Amorfní
Uspořádání částic není v celém objektu stejné. Jsou tam oblasti, kde je struktura krystalická, ale mezi nimi je struktura amorfní.
Amorfní části jsou lineární řetězce spojené van der Waalsovými silami.
Amorfní
Jsou to výhradně organické látky. Mají tak vysokou viskozitu, že ztuhnou ještě před bodem tuhnutí. (Navenek vypadají jako tuhá látka, ale strukturu mají jako kapalina – pryskyřice, sklo,…)
Amorfní látky dělíme na 2 základní skupiny
- Organické- lineární - nenasycené – řetězce mají mezi sebou pouze jednoduché vazby
- nenasycené – mezi atomy uhlíku jsou vazby násobné
- cyklické- izocyklické – v cyklu (kruhu) jsou pouze atomy uhlíku
- heterocyklické – cyklus tvoří nejen atomy uhlíku (nejčastěji O, N, S)
Lineární mají rovné řetězce, cyklické mají řetězce uskupené do kruhu.
- Makromolekulární – polymery
Vyrábějí se reakcí, která se nazývá polymerace, z výchozích látek, které se nazývají „monomeru“
Polymerace má 3 fáze
- iniciace – začátek reakce, kdy z monomerů vznikají radikály (částice, které mají jeden nespárovaný elektron)
- propagace – je to větvení řetězců, tzn reakce radikálů (radikály se vážou mezi sebou do dlouhých nebo cyklických makromolekul)
- terminace – ukončení reakce, kdy spolu buďto zreagují radikály mezi sebou navzájem, čímž se vyruší, nebo přidání cizí látky, která zreaguje s radikály a tím reakci ukončí.
Izomerie – některé látky, které mají stejný sumární vzorec mají odlišné vlastnosti.
Př.: chlorpropan – C3H7Cl
CH3 – CH2 – CH2ClneboCH3 – CH – CH3
Cl
Krystalový stav
Krystal
Krystal je nerostný jedinec omezený přirozenými a původními plochami, jež jsou výrazem jeho vnitřní struktury.
Na krystalu rozeznáváme 3 geometrické prvky Vrcholy, Hrany a Plochy.
Prvky souměrnosti krystalů – rovina, osa, střed.
Elementární buňka
Elementární buňka je rovnoběžnostěn definovaný pomocí 3 základních translačních vektorů a úhly mezi nimi.
Vektory a,b,c a úhly se nazývají parametry elementární buňky.
Elementární buňka může být buď primitivní nebo složená.
Primitivní buňka - má uzlové body (částice) pouze ve vrcholech.
Složená má uzlové body i jinde než ve vrcholech.
- Bazálně centrovaná
Má uzlové body navíc ve středech 2 rovnoběžných protilehlých stěn.
- Prostorově centrovaná buňka
Jeden nadbytečný uzel na průsečíku tělesových úhlopříček
- Plošně centrovaná
Body navíc ve středech všech stěn.
Krystalografické soustavy
- Skripta strana 37 – tabulka se soustavami
Koordinační číslo
Udává počet nejbližších sousedních atomů k danému atomu.
Koeficient (činitel) zapnění
Nb – počet atomů na buňku
Va – objem atomu
Vb – objem buňky
Hustota krystalů
[kg/m3]
Př.:
Prostorově centrovaná krystalická mřížka složená z atomů jednoho druhu o poloměru R. Atomy umístěné na tělesové úhlopříčce krychle se vzájemně dotýkají. Dokažte, že koeficient zaplnění při tomto uspořádání je:
Př.:
Spočtěte hustotu diamantu, je-li mřížkový parametr
a=0,3568 nm
M(C) = 12 gmol-1
Př.:
Diamant je uhlík, který krystalizuje v tzv. diamantové mřířce s parametrem a=3,568*10-10mm
Stanovte počet atomů v 1m3 diamantů.
Počet el. Buňek v 1m3 = 1 / (3,568*10-10)3 = 2,2015 * 1028
Počet atomů v 1m3 = 8*2,2015*1028=1,7612*1029
Př.:
Hustota krystalu NaCl je 2,18*103 kg/m3. Určete mřížkový parametr krystalu.
M(Na) = 23 g/mol
M(Cl) = 35,45 g/mol
4 atomy Na
4 atomy Cl
Př.:
Vypočtěte molární koncentraci atomu niklu, který má plošně centrovanou krystalovou mřížku.
Parametr a = 0,352 nm
Úvod do Elektrotechnických materiálů – přednáška 5
Typy krystalových mřížek
Molekulové
– částice jsou celé molekuly, které jsou spojeny van der Walsovými
- tyto krystaly jsou měkké a snadno se deformují
- tuto mřížku mají všechny organické krystaly
Iontové mřížky
- v rovnovážných polohách jsou ionty spojené silnými iontovými vazbami
- krystaly jsou tvrdé, ale snadno se rozpadají působením polárních rozpouštědel
- tyto krystaly nevedou proud
Kovové mřížky
- v rovnovážných polohách jsou kationy kovu, mezi nimi je elektronový oblak
- snadno se deformují, vedou teplo i proud
Kovalentní mřížky
- v rovnovážných polohách jsou umístěny atomy spojené kovalentní vazbou
- tyto krystaly jsou velmi tvrdé a nevedou prou, protože podstatě nemají volné valenční e-
Vrstevnaté mřížky
- atomy jsou silnými vazbami uspořádány do vrstev, které jsou spojeny slabými van der Walsovými vazbami
- snadná štěpitelnost vrstev
- vedou proud
Poruchy krystalů
Dělení podle lineární velikosti:
makroskopické – větší než 10-5m
mikroskopické – 10-5-10-7 m
Submikroskopické- H3O+ + Cl-
Slabé elektrolyty
CH3COOH CH3COO- + H3O+
Míru disociace určuje stupeň disociace α
α =(0,1)
α=
Disociační rovnováha
Obecná disociační rovnováha:
BA A- + B+
K=
Disociace vody
H2O + H2O H3O+ + OH-
K=
Vodivost elektrolytů
G = 1/R[Ω-1]=[S]
R = ρ- ρ = měrný odpor [Ωm]
σ = GK[S/m]- měrná vodivost
Λ = [Sm2/mol]- molární měrná vodivost
Úvod do Elektrotechnických materiálů – přednáška 6
Vodiče první třídy
Elektrickou vodivost kovů způsobuje pohyb volných elektronů v krystalové mřížce za účinku vnějšího elektrického pole.
Pokud nepůsobí na vodič vnější pole, elektrony se pohybují termickou rychlostí.
on.3
EMBED Equation.3 - termická rychlost
me – hmotnost elektronu (9,1*10-31kg)
k – Boltzmannova konstanta (k = 1,380658 * 10-23 J.K-1)
Volné e- mohou být vodivostní, jestli mají Fermiho energii.
Fermiho energie je energie Fermiho hladiny.
Fermiho hladina je nejvyšší obsazená hladina v základním stavu. (nejvýše obsazený orbital)
Fermiho rychlost je rychlost elektronů na Fermiho hladině.
Energie vodivostních elektronů
E=EF=mivF2
vF – Fermiho rychlost
EF – Fermiho energie
Pravděpodobnost obsazení hladiny s energií E elektronem je dána Fermi-Diracovou rozdělovací funkcí (f(E)).
f(E)=
T = 0K
f(E) = 1
Pokud na vodič působí vnější el. pole, tak volné elektrony získávají přídavnou složku rychlosti, tzv. Driftovou (unášivou) rychlost, ta způsobuje vznik elektrického proudu.
Elektrická energie, která se přemění na teplo se nazývá Jouleovo teplo (ztráty), také proto se vodiče při průchodu proudu ohřívají.
Střední Driftová rychlost
τ – střední doba mezi srážkami (relaxační doba)
q – náboj elektronu (1,602*10-19C)
Pohyblivost elektronů
b – pohyblivost e-
E – intenzita el. pole
τ – střední doba mezi srážkami (relaxační doba)
q – náboj elektronu (1,602*10-19C)
Proud protékající vodičem
I= Q / TQ = NLq
Q = NlSq
Q – celkový náboj v elementu vodiče o délce l, resp. Objemu V
N – koncentrace elektronů
I=( = )
I = N*q**S
Proudová hustota ve vodiči
Ohmův Zákon
=σEσ = Nqb
σ =
- proudová hustota
σ – měrná vodivost (konduktivita)
Měrná vodivost
Závisí na dokonalosti krystalové mřížky a na teplotě.
Cizí atomy nebo poruchy krystalů způsobují snížení konduktivity (zvýšení odporu).
Konduktivita je tím větší, čím dokonalejší je krystalová mřížka a čím nižší je teplota.
Technologickými operacemi se tvoří defekty (zhoršení konduktivity). Náprava se dělá žíháním v ochranné atmosféře.
Rezistivita
R – odpor
S – průřez vodiče
L – délka vodiče
ρ = σ-1
Rezistivita je mírou počtu srážek vodivých elektronů s defekty a s kmitajícími částicemi (atomy).
Matthiesenovo pravidlo
ρ = ρs + ρt
ρs - Složka rezistivity závislá na defektech a příměsích
ρt - Složka teplotně závislá (kmity mřížky)
Závislost ρ na T
ρ = ρ0 [1+α(T-T0)]
α – teplotní součinitel rezistivity
α = [K-1]
Př.:
Stříbrným vodičem o d=1mm a délce 100m protéká za T=300K proud 0,4909A při přiloženém napětí 1V. Stříbro má mřížku krychlovou plošně centrovanou a=4,09*10-10m, Fermiho energie Ep=5,45eV a předpokládáme že každý atom přispívá 1 vodivostním elektronem.
me=9,1*10-31kg
a) vypočítejte kolik e- proteče vodičem za 1s
b) vypočtěte rezistivitu a konduktivitu zadaného vodiče
c) vypočtěte velikost střední driftové rychlosti
Koncentrace elektronů je počet elektronů v elementární buňce
d) vypočtěte střední hodnotu Fermiho rychlosti
1eV je kinetická energie, kterou získá elektron při průchodu potenciálovým rozdílem 1V ve vakuu.
e) vypočtěte srážkovou frekvenci nosičů
f) vypočtěte pohyblivost vodivostních elektronů
Př.:
Konstantanový drát (54Cu45Ni1Mu) určité délky a průřezu á při t1=20°C odpor R1=50 a při teplotě t2=100°C odpor R2=49,986. Určete teplotní koeficient odporu.
Vodivé materiály
vodiče a jádra kabelů
materiály kontaktů
odporové materiály – výhradně slitiny kovů, převádějí el. energii na tepelnou
Vodiče a jádra kabelů
Nejlepším vodičem je stříbro, má nejnižší rezistivitu,
Nejčastěji používané materiály:
Měď
Elektrovodná Cu – je omezen počet nečistot na 0,1%
Bronzy (Cu-Sn)- přidávají se další prvky upravující vlastnosti materiálu
Mosazi (Cu-Zn)- přidávají se další prvky upravující vlastnosti materiálu
Bezkyslíkatá Cu- vakuová technika
Měkká Cu- jádra vodičů a kabelů
Tvrdá Cu- Trolejová vedení, akumulátory
Hliník
Elektrovodný hliník- má omezený obsah nečistot na 0,5% nečistot, používá se pro lana pro vnější vedení, konstrukční materiál a ochranný materiál na pláště kabelů
Slitiny Al- Al-Mg-Si-Fe-Zn
- Al-Mg-Si-Fe
- prvky mají zvýšit tvrdost materiálu
Úvod do Elektrotechnických materiálů – přednáška 7
Materiály kontaktů
Kontakty umožňují
spínání obvodů
vedení proudu uzavřeným obvodem
vypínání el. obvodů
Obecně jsou kontakty vždy nejslabším článkem el. obvodu.
Proč jsou rizikovým faktorem?
- Vytváří se kontaktový odpor – při styku 2 kovových kontaktů se vždy objeví odpor, který z části závisí na konduktivitě kontaktu. Vzniká, protože nedokážeme vytvořit úplně hladkou kontaktní plošku. (Proud neprotéká celou plochou kontaktu, ale jen částí, tj. nejvyššími výstupky na kontaktu). Plocha kontaktu také závisí na síle stlačení kontaktu. Dalším důvodem je, že je na kontaktu oxidační (izolační) vrstva, která se dá odstranit různými přípravky.
- Materiály kontaktů
Čisté kovy - Cu, Ag, Ni, W, Mo, Au, Pt
Slitiny- Ag-Cu, Cu-Cr, Cu-Ag-Cd, Au-Ni
Dvojkovové kontakty – nosný kov (většina kontaktu) je z Cu, mosazi, bronzu, oceli a povrchová vrstva je z ušlechtilého kovu (Ag, Au, Pt)
Elektrotechnický uhlík – vyrábí se spékáním koksu, přírodního grafitu, sazí, antracity z s pojivy dehet, smola, při teplotách 1200 – 1400°C.
Elektrografit – je vpodstatě absolutně čistý. Vyrábí se z elektrotechnického uhlíku žíháním za teploty 2700°C, čímž se všechyn nečistoty spálí a získáme čistý uhlík.
- Odporové materiály
- Musejí mít velkou rezistivitu (0,4*10-6 – 1,5*10-6Ωm)
- Musejí mít vysokou mechanickou pevnost při t 500-1600°C
- Musejí být odolné proti oxidaci
- Materiály nízkoodporové
konstantan
nikelin
manganin
vysokotavitelné kovy – Nb, Ta, Mo, W
- Vysokoodporové
Cu-ocel
Nichrom 80
Kanthal
Polovodiče
Jsou to materiály, které se za nízkých teplot chovají jako izolanty a za vysokých teplot jako vodiče.
Vývoj polovodičů vpodstatě začal ve 20 letech 19. stol.
90% aplikací polovodičů je dnes na bázi křemíku.
Dodatek k Pásové teorii: Zakázaný pás u polovodičů může být široký maximálně 2,5eV
Struktura
Nejčastěji používané polovodiče (germanium, křemík) vykazují kovalentní mřížku. Když elektron dostane dostatek termické energie, je schopen vyskočit z vazby do vodivostního pásu, ale zůstane po něm v mřížce díra, tudíž díra také může přenášet proud (ale jen ve valenčním pásu).
Proud v polovodičích vzniká
pohybem elektronů ve vodivostním pásu, proti směru vnějšího pole
pohybem děr ve valenčním pásu ve směru působení vnějšího pole
V polovodičích vždy vzniká dvojice elektron-díra.
Těmto polovodičům se říká vlastní polovodiče – intrinzické polovodiče.
Pokud nepůsobí stále zdroj vytváření volných elektronů, tak po čase dvojice elektron-díra splyne, říkáme, že rekombinují. (elektron skočí do díry a přestane téct proud)
Pokud máme někde díru, tak z okolí díry přeskočí elektron do díry a díra se posune, takovýmto způsobem se díry pohybují, avšak pohybují se o hodně pomaleji než se pohybují elektrony.
Za nižších teplot můžeme vodivost polovodičů zvětšit příměsemi.
Příměrové polovodiče se nazývají nevlastní polovodiče. Příměsi se dostávají do polovodičů difuzí.
Nevlastní polovodiče pak dělíme podle toho jakou příměs do polovodiče dáme.
- prvky z 5. skupiny periodické tabulky – Dusík, Fosfor, Arsen, Antimon, Bizmut
Prvky z 5. skupiny mají ve valenční vrstvě 5 elektronů. (4 se uplatní do vazeb a 5. přechází do vodivostního pásu, kde se z něj stává vodivostní elektron).
Prvky 5. skupiny nazýváme donory.
Střední termická energie je 0,025eV
Těmto polovodičům se říká polovodiče typu „n“ nebo polovodiče s elektronovou vodivostí.
- prvky ze 3. skupiny Bohr, Hliník, Galium, Indium, Khalium
Mají ve valenční vrstvě 3 elektrony. (4 se použijí na vazby => jeden se vezme z mřížky a vznikne nám díra)
Prvky ze 3. skupiny se nazývají akceptory.
Těmto polovodičům se říká polovodiče typu „p“, neboli polovodiče s děrovou vodivostí.
Vodivost nevlastních polovodičů
Při nízké teplotě jsou vpodstatě nositelé proudu vždy s jedním znaménkem (buďto elektrony nebo díry), tato vodivost je ale poměrně malá, nazývá se nevlastní vodivost.
Při zahřívání vzniká vlastní vodivost a při určité teplotě převládne vlastní vodivost nad nevlastní. (Za vysokých teplot probíhá přímá excitace do vodivostního pásu a roste počet dvojic elektron-díra) (Si – 200°C, GE – 100°C)
U nevlastních polovodičů, kde převládá vlastní vodivost bere polovodiče jako intrinzické příměrové polovodiče, tzn. Příměrové polovodiče s vlastní vodivostí.
PN přechod
Je to oblast polovodiče, kde typ P přechází na typ N.
PN přechod se vytvoří tak, že vezmeme polovodič typu P a dáme ho do pece, která má několik set stupňů a dáme ho na masku, v peci je fosfor, ten difunduje do struktury P polovodiče.
Uprostřed část částic zrekombinuje a vytvoří potencionálovou bariéru. Zbylé částice se nahrnou k bariéře a vytváří tak potenciálový rozdíl.
PN přechod je základ polovodičových diod a slouží k usměrňování střídavého proudu na stejnosměrný.
Střední driftová rychlost nosičů
bn/p – pohyblivost elektronů/děr
E – intenzita pole
Fermiho energie (poloha Fermiho hladiny)
- platí pro intrinzické polovodiče
Ec – energie vodivostního pásu
Ev – energie valenčního pásu
mp/n* - efektivní hmotnost díry/elektronu
k – Boltzmannova konstanta (1,38*10-23JK-1)
Efektivní hmotnost je koeficient úměrnosti mezi vnější silou působící na částici a jejím středním zrychlením.
Eg=Ec-Ev
Pohyblivost nosičů náboje
TN(P) – relaxační doba elektronů (děr)
Př.:
Určete driftovou rychlost děr a elektronů ve vzorku GaAs, je-li E=1000Vm-1, bn=0,82m2/Vs a bp=0,04m2/Vs.
Př.:
Stanovte poloho Fermiho hladiny při 300K pro vlastní polovodič InSb, je-li Eg=0,2eV a (mp*/mn*)=20.
Ohmův zákon
- tentýž vztah platí i pro díry
E 1, typ N => )
RH = -1 ρcu=NeM / NA
Ne=
RH =
Optické jevy v polovodičích
1) Fotoelektrická vodivost
Fotoelektrický jev – při interakci světla s prostředím dochází ke vzniku volných nosičů náboje. Může být vnější (elektron opustí krystal polovodiče) nebo vnitřní (elektron zůstane v polovodiči. Nutným předpokladem je absorpce záření.
Fotoelektrická vodivost je podstatě rozdíl konduktivit za osvětlení a za tmy.
Δσ = σO - σT = [q(NNbN + NPbP)]0 – [q(NNbN + NPbP)]T = q (ΔNNbN + Δ NPbP)
σO – konduktivita při osvětlení
σT – konduktivita za tmy
ΔNN,P – koncentrace nadbytečných nosičů generovaná v důsledku osvětlení
2) Elektroluminuscence
Je to opak fotoelektrického jevu.
Vzniká rekombinací elektronu z energeticky vyšší hladiny na energeticky nižší hladinu. Možností rekombinace je celá řada, nás u polovodičů zajímá přímá mezipásmová rekombinace. Elektron přeskočí ze dna vodivostního pásu do maxima valenčního pásu.
- frekvence záření
k – Planckova konstanta
c – rychlost světla (3*108m/s)
λ – vlnová délka
Eg = kf = kc/ λ
Př.: Jaká je maximální vlnová délka světla, která způsobí emisi fotoelektronů u Si, Ge, Sn?
SiEg = 1,12 eV
GeEg = 0,72 eV
SnEg = 0,08 eV
- infračervené světlo
Tenké polovodičové desky
2 technologické postupy:
1) Napařování
- ve vakuu
- souvislá tenká vrstva polovodiče vzniká tak, že se napařovaný materiál zahřeje na bod varu a páry se pak usazují na destičku polovodiče
- nevýhodou je, že se tenká vrstvička udělá všude a je pak zapotřebí čištění
2) Naprašování
- tenká vrstva polovodiče vzniká proudem atomů, ten se uvolňuje z katody polovodiče
Větší trvanlivost má napařená vrstva (u naprášené může dojít k otření prachu a tím k poškození polovodiče).
Polovodičové materiály:- elementární
- sloučeniny- krystalické
- organické
- amorfní
Elementární – Si, GE, Se
- Si
SiO2→SiClH→SiHCl3 Polykrystalický Si → chemická rafinace a zónové tavení → monokrystal
Chemická rafinace- výchozí materiál se převede na sloučeninu, která se snadněji čistí
- vyčištění sloučeniny
- zpětnou reakcí se získá čistší výchozí materiál
Zonální tavení- je založené na rozdílné rozpustnosti nečistot v kapalné a tuhé fázi
Integrované obvody
Ge - fotočlánky, diody, termistory, termočlánky
pracuje do teploty 75°C
Se- usměrňovače, fotočlánky, světelné filmy
Krystalické
- Arsenidy- GaAs- tranzistory, diody, lasery
- pracuje až do teploty 450°C
- InAs
- Fosfory- GaP – diody, lasery, elektroluminiscenční panely
- Antimonity- IzSb, AlSb, gamb
Organické
- kompozity polymerů s kovnými prášky
- polovodičová barviva
Amorfní
- sklovité As-Te-Si-Ge
As-Te-Ga-Ge
- vrstvy Si dotované H
Úvod do Elektrotechnických materiálu – Přednáška 9
Vloženo: 6.06.2009, vložil: Milan Lebeda
Velikost: 459,05 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů
Reference vyučujících předmětu X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů
Reference vyučujícího Mgr. Ivana Pilarčíková
Podobné materiály
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - Příklady z přednášek
- X34ELE - Elektronika - Poznámky z přednášek
- Y16PAP - Právní aspekty podnikání - Poznámky z přednášek
- X31EO2 - Elektrické obvody 2 - Záznamy přednášek
- X35ESY - Elektronické systémy - Řešené příklady z přednášek
- X01MA2 - Matematika 2 - Zápisky z přednášek Tkadlec
Copyright 2024 unium.cz