- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
vyp.otazky.pol.prechody
BESO - Elektronické součástky
Hodnocení materiálu:
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálPolovodičové přechody
5. Difúzní napětí přechodu pn – jak vzniká, na čem závisí, přibližné hodnoty pro Si, Ge, GaAs:
V důsledku existence elektrického pole vznikne v oblasti přechodu rozdíl potenciálů - tzv. kontaktní potenciál, často nazývaný také difúzní napětí [built-in voltage], protože příčinou jeho vzniku je difúzní proud. Značíme jej UD. Opatříme-li oblast typu N i P polovodiče např. kovovými kontakty, vznikne vlivem rozdílné koncentrace elektronů v kovu a v polovodiči difúzní napětí i na přechodech mezi kovovými kontakty a oběma oblastmi polovodiče. Protože se tato difúzní napětí na jednotlivých přechodech vzájemně ruší, mezi kovovými kontakty nenaměříme žádné napětí a PN přechod nebude dodávat do obvodu žádný proud.
6. Pásový diagram přechodu pn v rovnovážném stavu, s napětím v propustném směru, při plném otevření v propustném směru, v závěrném směru:
Energetický pásový diagram a) propustně a b) závěrně pólovaného PN přechodu
7. Voltampérová charakteristika ideálního přechodu pn – Shockleyho rovnice (význam symbolů ), graf, vliv teploty na charakteristiku v propustném a závěrném směru:
I = I0 * (exp U/UT-1) --- I – proud procházející diodou, I0 – saturační proud, U – přiložené napětí, UT – teplotní napětí = kT/q; Ampérvoltová charakteristika ideálního PN přechodu je na obr. Vidíme, že v závěrném směru pro
U |UT| je exp(U/UT) >> 1 a potom I ( I0 (exp U/UT)
8. Saturační proud přechodu pn – závislost na teplotě , koncentraci donorů a akceptorů , na šířce zakázaného pásu, přibližná velikost pro Si, Ge, GaAs:
saturační proud roste s teplotou T (ni roste exponenciálně s teplotou T); klesá s rostoucí koncentrací v bázi diody ND nebo NA; klesá se šířkou zakázaného pásu EG (ni klesá exponenciálně s EG); u Si = 10-12 až 10-8 A a zdvojnásobí se při zvýšení teploty o 6 K, Ge = 10-5 až 10-3 A a zdvojnásobí se při zvýšení teploty o 10 K
9.
Vloženo: 10.05.2009
Velikost: 2,04 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz
