vyp.otazky.bip.tr

cí dvou proměnných v pracovním bod P (tj. aproximací tečnou rovinou). Parametry yij a hij nazýváme diferenciální parametry č ty pólu, mají význam derivací. Určujeme je graficky z charakteristik nebo přímo měřením. Jsou funkcí pracovního bodu, kmitočtu a příp. teploty. vstupní odpor h11 = UBE/IB – UCE = konst. a výstupní vodivost h22 = IC/UCE – IB = konst.
26. Proudový zesilovací činitel β=h21e: definice, závislost na kolektorovém proudu (graf), na teplotě (graf), na kmitočtu (graf), na koncentraci příměsí v emitoru a v bázi:
= IC/IB – UCE = 0; proudový zesilovací činitel z oblasti báze do oblasti kolektoru. Je definován jako poměr změny proudu kolektoru iC k odpovídající změně proudu emitoru iB při konstantním napětí mezi kolektorem a emitorem uCE. Obr. 5.39
27. Statický Ebersův-Mollův model: schéma zapojení, parametry, princip, zjednodušení pro aktivní normální režim, dynamický odpor emitoru a báze:
EM model je založen na superpozici normálního a inverzního režimu tranzistoru za ředpokladu lineárního gradientu nosičů náboje v bázi. Všeobecně se pro vystižení principu a popis EM modelu užívá náhradní zapojení dle obr. 5. 8a (platí pro tranzistor NPN, pro PNP se "obrátí" diody a orientace obvodových veličin). Vychází se ze skutečnosti, že každý přechod tranzistoru se může chovat jako samostatná dioda. Tranzistorový jev je do modelu zaveden pomocí proudových zdrojů, jejichž proudy jsou řízeny proudy diodami druhého přechodu (tj. "do kříže"). Model pracuje ve všech čtyřech oblastech činnosti tranzistoru. Dynamický odpor emitoru je nepřmo úměrný stejnosměnému proudu iE emitoru. Předpoklady: - báze tranzistoru je zhotovena z nedegenerovaného polovodiče; - úroveň injekce minoritních nosičů je tak nízká, že neovlivňuje podstatně vodivost báze; - velikost stejnosměrného napětí kolektoru je mnohem větší než hodnota UT; - zanedbatelný úbytek napětí na odporu báze, což znamená, že proud procházející bází do kolektoru (závěrný proud kolektorového přechodu) je velmi malý; - zanedbatelná rekombinace na povrchu tranzistoru; - homogenní rozložení proudové hustoty v celé ploše přechodů PN.
28. Mezní kmitočty bipolárního tranzistoru: definice, graf závislosti |h21e |, |h21b |na kmitočtu:
U linearizovaného tranzistoru můžeme definovat tzv. mezní kmitočty. Se vzrůstajícím kmitočtem klesá schopnost tranzistoru zesilovat. Způsobuje to konečná doba průchodu nosičů proudu oblastí báze. Se vzrůstajícím kmitočtem se také proud kolektoru zpožďuje za proudem emitoru. Situaci názorně ukazuje obr., kde jsou definovány jednotlivé mezní kmitočty. Z něj je patrné, že až do určitých kmitočt jsou proudové zesilovací činitele kmitočtově nezávislé a rovny h21b = alfa0 = konst. a h21e = beta0 = konst. Dále se pak jejich velikost s rostoucím kmitočtem zmenšuje.
29. Stabilizace pracovního bodu bipolárního tranzistoru: vysvětlení mechanismu stabilizace pro různá zapojení:
jednotranzistorový nízkofrekvenční zesilovač: odstraněním rezistoru RE, tj. záporné zpětné vazby, zesílení stupně výrazně vzrostlo. Se zařazeným kapacitorem CE působi rezistor jako záporná zpětná vazba jen pro stejnosměrné napětí (teplotní stabilizace pracovního bodu).
MBED PBrush

 EMBED PBrush