vyp.otazky.bip.tr

tupní odpor l0 kiloohmů až 20 kiloohmů. Proudový zesilovací činitel bývá v rozmezí 10 až 500 (i více) podle druhu tranzistoru. Výstupní signál je vzhledem k vstupnímu fázově natočen o 180° (je v protifázi). Charakteristickou vlastností tranzistoru v zapojení se společným emitorem je jeho výkonové zesílení (je dáno součinem napěťového a proudového zesílení), největší ze všech uvedených zapojení, dosahující hodnoty až 20000; Zapojení se společným kolektorem (SC) má velký vstupní odpor (až 1 Megaohm i více), který vypočteme násobením zatěžovacího odporu RZ proudovým zesilovacím činitelem. Výstupní odpor je malý (v rozmezí několika desítek až stovek ohm). Výstupní napětí je se vstupním ve fázi. Protože výstupní napětí tu má přibližně stejnou velikost jako vstupní, nazývá se toto zapojení též emitorový sledovač . Používá se k dosažení nezávislosti výstupního napětí na zatěžovacím odporu RZ (tj. tam, kde vyžadujeme poměrně velký vstupní a malý výstupní odpor). Výkonové zesílení bývá až 500; Zapojení se společnou bází (SB) má proudové zesílení menší než 1, napěťové až 1000 a výkonové až 200. Vstupní odpor dosahuje pouze 100 ohmů až 1 000 ohmů, výstupní naopak až 1 Megaohm. Ani zde nedochází k fázovému natočení procházejícího signálu. Dnes se používá spíše výjimečně , v minulosti se běžně zapojení SB používalo ve vysoko-frekvenčních obvodech kvůli vyššímu meznímu kmitočtu (uvidíme později, že mezní kmitočet f je řádově větší než mezní kmitočet f ) a umožnilo dosáhnout zvláště malý vstupní odpor, který byl podmínkou ke stabilní činnosti vysokofrekvenčního zesilovače; Porovnáme-li výše uvedená zapojení tranzistoru podle jejich hlavních vlastností, zjistíme, že nejvýhodnější vlastnosti má zapojení se společným emitorem (SE), a to se také nejčastěji používá. Jedině u tohoto zapojení se setkáváme s proudovým, napěťovým i výkonovým zesílením. Rozdíl mezi velikostí vstupního i výstupního odporu je u zapojení SE nejmenší (to je výhodné při spojování několika tranzistorových zesilovacích stupňů), zapojení SC má vstupní odpor mnohem menší než výstupní, zapojení SB má naopak vstupní odpor mnohem menší.
23. Vstupní a výstupní charakteristiky tranzistoru v zapojení SE, SB, SC – grafy:
SE: 24. První a druhý průraz tranzistoru: fyzikální mechanismus, znázornění v charakteristikách, závislost průrazného napětí UBRCE na zapojení smyčky EB:
Při zatížení tranzistoru "vysokým" napětím dochází průchodem proudu oblastí prostorového náboje přechodu C-B k lavinové nárazové ionizaci. Dochází k průrazu tranzistoru, který označujeme jako tzv. první průraz; V případě tranzistorů však může dojít k destrukci součástky i při podstatně nižším ztrátovém výkonu než PCmax, k tzv. druhému průrazu. Druhý průraz se projeví prudkým poklesem napětí uCE , ztrátou schopnosti řízení proudem báze, což má za následek zničení součástky.
25. Bipolární tranzistor jako dvojbran: hybridní parametry – jejich význam, grafické určení z charakteristik,
výpočet h11E , h22E , linearizovaný ekvivalentní obvod:
Hybridní parametry (h-parametry) se běžně užívají pro nízké kmitočty, uvažujeme je jako skalární veličiny. Poznamenejme, že k těmto rovnicím bychom došli pomocí Taylorova rozvoje daných funk