Příručka SNAP

výsledky semisymbolické
analýzy, nulové body a póly a vzorce impulsní a přechodné charakteristiky.
____________semisymbolic______________
Multip. Coefficient = 6.28318530000000E+0006
1.00000000000000E+0000
--------------------------------------
6.28321671592650E+0006
1.00000000000000E+0000 * s
_______________zeros__________________
none
_______________poles__________________
-6.28321671592650E+0006
___________step response______________
9.99995000025000E-0001
-9.99995000025000E-0001*exp(-6.28321671592650E+0006*t)
___________pulse response_____________
6.28318530000000E+0006*exp(-6.28321671592650E+0006*t)

V složkách a je pak možné pracovat s grafy v kmitočtové a časové oblasti.

Pokusme se nyní idealizovat model operačního zesilovače volbou hraničních parametrů A = ∞, ft
=∞, Ro = 0. Máme na výběr 3 možnosti jak to udělat:
1. Symbolické parametry ponecháme beze změny a přiřadíme jim pouze numerické parametry.
Pak symbolický výsledek bude beze změny, ke změně dojde počínaje semisymbolickou
analýzou.
Tvorba vlastního zadání – příklady 1 až 4
23
2. Některé symbolické parametry ponecháme beze změny, ostatní přepíšeme jejich numerickými
hodnotami. Tím dosáhneme částečné modifikace (zjednodušení) symbolického výrazu.
3. Místo všech symbolických parametrů zapíšeme přímo numerické parametry. Pak se změny
promítnou maximální měrou již do symbolických výsledků. Tím dosáhneme maximální úpravy
symbolického vzorce.

První možnost: definování numerických hodnot k symbolickým parametrům:
Všimněte si že program umožňuje pracovat i se symbolem nekonečna (inf). Po analýze se objeví
následující výsledky:
_____________symbolic_________________
6.28319*A*ft
--------------------------------------
6.28319*A*ft +6.28319*ft
+s*( A )
____________semisymbolic______________
1.00000000000000E+0000
--------------------------------------
1.00000000000000E+0000
_______________zeros__________________
none
_______________poles__________________
none
___________step response______________
1.00000000000000E+0000
___________pulse response_____________
+ 1.00000000000000E+0000*Dirac(0)

Výsledky semisymbolické analýzy ukazují, že v případě ideálního operačního zesilovače se obvod
chová jako ideální sledovač napětí s přenosem 1.

Druhá možnost: některé parametry jsou definovány jen numericky:
Symbolický výraz bude nyní popisovat vliv ft na přenos za předpokladu nekonečného zesílení A a
nulového výstupního odporu Ro:
_____________symbolic_________________
6.28319*ft
--------------------------------------
6.28319*ft
+s*( 1 )
neboli sf fK
t
t
V += p
p
2
2
Třetí možnost: všechny parametry jsou definovány jen numericky:
Pak symbolický výsledek dává přímo hodnotu 1.
Tvorba vlastního zadání – příklady 1 až 4
24
Příklad 3. Obvod s několika součástkami stejného typu.
Nakreslete schéma obvodu podle obrázku (viz též vzorový příklad demindtr.cir). Podle článku
SUNG-Gi Yan et al.: Fully Symmetrical, Differential- Pair Type Floating Active Inductors.
ISCAS'97 HongKong 1997, Vol.1, pp. 93-96
se obvod chová vzhledem k vstupním svorkám jako paralelní uspořádání rezistoru, kapacitoru a
induktoru.
Tranzistory jsou typu „Transistor_Pi“. Jejich parametry zadejte následovně:
Fyzikální význam jednotlivých parametrů (podrobnosti viz Prvky z
knihovny Snapu):
rbe .. střídavý odpor báze-emitor
gm .. transkonduktance Ic/Ube
gce .. střídavá vodivost kolektor-emitor
Cbe .. kapacita báze-emitor
Cbc .. kapacita báze-kolektor
Cce .. kapacita kolektor-emitor

Analýza tedy bude provedena za zjednodušujícího předpokladu, že oba tranzistory budou mít
nekonečný odpor rbe, nulovou vodivost gce a nulové kapacity Cbc a Cce. Zbývající parametry gm a
Cbe mají sice u obou tranzistorů stejné velikosti, v symbolech jsou však odlišeny indexy, abychom
mohli v symbolickém výsledku identifikovat jejich vlivy.
Postup řešení: spočítáme vstupní impedanci a zjistíme, zda je ji možno interpretovat jako paralelní
spojení součástek typu R, C a L.
Poznámka: Počítáme-li jen vstupní impedanci, pak do obvodu není nutné kreslit součástku „Out“
označující výstupní bránu. V Snapu je však možné analyzovat dva druhy vstupní impedance:
s výstupem naprázdno nebo nakrátko. Pokud ve schématu nemáme vyznačenu výstupní bránu,
můžeme analyzovat pouze vstupní impedanci při výstupu naprázdno. Pokus o analýzu obvodových
funkcí, které vyžadují definování výstupní brány, pak povede k chybovému hlášení „The function is
not available because INPUT or OUTPUT was not defined.“.
Provedeme analýzu vstupní impedance (Zin, open). Prohlédneme si první část výsledků:
_____________symbolic_________________
s*( Cbe2 )
--------------------------------------
gm1*gm2
+s*( gm1*Cbe2 )
+s^(2)*( Cbe1*Cbe2 )
____________semisymbolic______________
Multip. Coefficient = 2.00000000000000E+0011
1.00000000000000E+0000 * s
--------------------------------------
4.00000000000000E+0020
2.00000000000000E+0010 * s
1.00000000000000E+0000 * s^(2)

kterou lze interpretovat vzorcem
21020
11
21
2
2121
2
10x210x410x2 ss
s
CCsCsggg
sCZ
bebebemmm
be
in ++=++=
Tvorba vlastního zadání – příklady 1 až 4
25
Vstupní admitance tedy bude
sssCgsCggsC CCsCsgggZY bem
be
mm
be
bebebemmm
in
in
12
1211
2
21
2
21
2
2121 10x51.0
10x500
11 −
− ++=++=
++==
a lze ji interpretovat jako paralelní řazení induktoru o indukčnosti
nHggCL
mm
be 5.0
21
2 ==
rezistoru o odporu
Ω== 101
1mg
R
a kapacitoru o kapacitě
pFCC be 51 == .

Modifikujeme-li parametry tranzistoru Q2 podle obrázku, dosáhneme shody odpovídajících
symbolických parametrů. Symbolický výraz pro vstupní impedanci nyní bude
_____________symbolic_________________
s*( Cbe1 )
--------------------------------------
gm1^(2)
+s*( gm1*Cbe1 )
+s^(2)*( Cbe1^(2) )

Výhodu takového zjednodušování oceníme například v režimu krokování: Krokováním parametru
gm1 současně krokujeme stejné parametry obou tranzistorů.

Příklad 4. Vazby mezi parametry různých součástek.
V předchozím příkladu jsme se seznámili s nejjednodušším typem takovýchto vazeb: parametry gm
a Cbe tranzistoru Q2 byly stejné jako parametry gm a Cbe tranzistoru Q1. Obecně je možná vazba
mezi parametry y a x součástek v tomto tvaru:
caxy /=
kde a a c jsou libovolné reálné konstanty.
Nakresleme schéma zatíženého děliče napětí podle obrázku. Standardně jsou parametry součástek
pouze symbolické a jsou definovány zástupnými symboly %.
Pak přenos napětí vyjde
_____________symbolic_________________
R2*R3
--------------------------------------
R2*R3 +R1*R3 +R1*R2

Víme-li, že ve skutečnosti R2 je například vždy dvakrát větší
než R1, pak parametr R2 zapíšeme takto:
Výsledky symbolické analýzy se příslušně změní:
_____________symbolic_________________
2*R3
--------------------------------------
3*R3 +2*R1
Položíme-li navíc i podmínku R3=2*R1, změní se přenos na konstantu 1/2:
_____________symbolic_________________
0.5
--------------------------------------
1
Prvky z knihovny SNAPu
26
Prvky z knihovny SNAPu

Schématické značky jsou definovány v souboru SNAP.LIB.
Matematické modely jsou definovány v souboru SNAP.CDL.
Maticový popis je vyjádřen zkráceným schématem dle vzoru:


prvek označení značka parametry model maticový popis
vstup input

-
výstup output

-
rezistor R

R - odpor
R
ba
VbVa
IbIa

RRI
RRI
VV
b
a
ba
11
11
−
−
konduktor G

G - vodivost
G
ba
VbVa
IbIa

GGI
GGI
VV
b
a
ba
−
−
kapacitor C

C - kapacita
C
ba
VbVa
IbIa

sCsCI
sCsCI
VV
b
a
ba
−
−
induktor L

L - indukčnost
L ba
VbVa
IbIa

sLsLI
sLsLI
VV
b
a
ba
11
11
−
−
2
.
0 I
V
V
V
V
yxwvu
tsrqp
onmlk
jihgf
edcba
I
I
I
I
d
c
b
a
d
c
b
a
= ⇒ .
2
yxwvu
tsrqpI
onmlkI
jihgfI
edcbaI
IVVVV
d
c
b
a
dcba

Prvky z knihovny SNAPu
27
obvod
s vzájemnou
indukčností
M

Lp – primární indukčnost
Ls – sekundární indukčnost
M – vzájemná indukčnost
M
ca
VbVa
IcIa
LpLs
b d
VcVd
IbId
Ip Is

s
p
d
c
b
a
spdcba
sLsM
sMsL
I
I
I
I
IIVVVV
11
11
1
1
1
1
−
−
−
−

transformátor Trans-
former

n – transformační poměr
N2/N1
T
ca
VbVa
IcIa
N1N2
b d
VcVd
IbId
I1 I2
11
1
1
2
−−
−
−
nn
I
I
nI
nI
IVVVV
d
c
b
a
dcba

dvojný kapacitor FDNR

D – dvojná kapacita
D
ba
VbVa
IbIa
DsDsI
DsDsI
VV
b
a
ba
22
22
−
−
tranzistor s H-
parametry
Transistor
_He

h11e, h12e, h21e, h22e –
H-parametry transistoru
v zapojení se společným
emitorem
1121122222
112121
111212
1111
/
/
/
/1
hhhhy
hhy
hhy
hy
−=
=
−=
=

Q
VcVeVb
e
c
b
Ic
Ib
Ie

2221121122122111
22212221
12111211
yyyyyyyyI
yyyyI
yyyyI
VVV
e
c
b
ecb
+++−−−−
−−
−−

Prvky z knihovny SNAPu
28
tranzistor s Y-
parametry
Transistor
_Ye

y11e, y12e, y21e, y22e –
Y-parametry transistoru
v zapojení se společným
emitorem Q
VcVeVb
e
c
b
Ic
Ib
Ie

2221121122122111
22212221
12111211
yyyyyyyyI
yyyyI
yyyyI
VVV
e
c
b
ecb
+++−−−−
−−
−−

tranzistor –
zjednodušený
model pro
výpočty v nf
pásmu
Transistor
_RS

rin – vstupní odpor B-E
S – strmost Ic/Uce
rout - výstupní odpor C-E
VcVeVb
e
cb
IcIb
Ie
rin rout
S*Vbe

SrrrrSI
rSrSI
rrI
VVV
outinoutine
outoutc
ininb
ecb
−+−−
−−
−
/1/1/1/1
/1/1
/1/1

Π - model
bipolárního
tranzistoru
Transistor
_Pi

rbe - vstupní odpor B-E
gm - strmost Ic/Uce
gce – výstupní vodivost C-
E
Cbe – kapacita B-E
Cbc – kapacita B-C
Cce – kapacita C-E VcVeVb e
cb
IcIb
Ie
rbe gce
gm*Vbe
Cce
Cbc
Cbe

()
()
()bece
becem
cece
be
mbe
e
cecem
ce
bcce
mbcc
bebebc
be
bcbe
b
ecb
CCs
gggsCg
sC
ggI
sCggg CCsgsCI
sCgsCg CCsI
VVV
++
++−−
−
−−
−−−+ ++−
−−−+ +

Π - model
unipolárního
tranzistoru
Fet_Pi

gm - strmost Id/Uds
gds – vstupní vodivost D-S
Cgs – kapacita G-S
Cgd – kapacita G-D
Cds – kapacita D-S
VdVsVg
s
dg
IdIg
Is
gds
gm*Vgs
Cds
Cgd
Cgs

()()
()gsds dsmdsdsgsms
dsdsm
ds
gdds
mgdd
gsgdgdgsg
sdg
CCs
ggsCgsCgI
sCggg CCsgsCI
sCsCCCsI
VVV
++
+−−−−
−−−+ ++−
−−+

Prvky z knihovny SNAPu
29
jednotkový
zesilovač
Buffer

-
c
VbVa
ba
IbIa
1
Io
Vc Ic 11 1
1
0
−
−c
b
a
cba
I
I
I
IVVV

ideální operační
zesilovač (OZ)
OPA

-
O
VdVc
Id
Ic
d
c
VbVa
b
a
Ib
Ia
OPA
Io

11
1
1
0
−
−d
c
b
a
dcba
I
I
I
I
IVVVV

OZ s 1
kmitočtem lomu
OPA_f1

A – ss zesílení otevřené
smyčky
GBW =ft – tranzitní
kmitočet
wt =2p ft

Ro – výstupní odpor
O
Vd Vc
Id
Ic
d
c
VbVa
b
a
Ib
Ia
f1
+
- Io
Ro
0
0
1
1
1
RsAAsAA
I
I
I
I
IVVVV
t
t
t
t
d
c
b
a
dcba
−+−+
−
w
w
w
w

OZ s 2 kmitočty
lomu
OPA_f2

A – ss zesílení otevřené
smyčky
GBW =ft – tranzitní
kmitočet
wt =2p ft
f2 – kmitočet 2. lomu
w2 =2p f2

Ro – výstupní odpor
O
Vd Vc
Id
Ic
d
c
VbVa
b
a
Ib
Ia
f2
+
- Io
Ro
02
2
2
2
0
1
1
1
RssAAssAA
I
I
I
I
IVVVV
t
t
t
t
d
c
b
a
dcba
−++−++
−
w
w
w
w
w
w
w
w

Prvky z knihovny SNAPu
30
pozitivní
proudový
konvejor II.
generace
CCII+

-
I
I
Ig
Iz
Iy
Ix
VzVgVyVx g
z
y
x
1

11
2
1
1
−
−g
z
y
x
gzyx
I
I
I
I
IVVVV

negativní
proudový
konvejor II.
generace
CCII-

-
I
I
Ig
Iz
Iy
Ix
VzVgVyVx g
z
y
x
1

11
1
1
−
−
g
z
y
x
gzyx
I
I
I
I
IVVVV

pozitivní
proudový
konvejor III.
generace
CCIII+

-
I
I
Ig
Iz
Iy
Ix
VzVgVyVx g
z
y
x

11
1
1
1
1
−
−
−
g
z
y
x
gzyx
I
I
I
I
IVVVV

Prvky z knihovny SNAPu
31
negativní
proudový
konvejor III.
generace
CCIII-

-
I
I
Ig
Iz
Iy
Ix
VzVgVyVx g
z
y
x

11
1
1
1
1
−
−
−
g
z
y
x
gzyx
I
I
I
I
IVVVV

ideální OZ
s proudovou ZV
CFA

-
I
I
Ie
Ic
Ib
Ia
VdVeVbVa
e
c
b
a
1
d
Id
1
Io

11
11
12
1
1
1
−
−
−−e
d
c
b
a
oedcba
I
I
I
I
I
IIVVVVV

reálný OZ
s proudovou ZV
CFA_real

Ri – odpor svorky -
Ro –odpor napěťového
výstupu
Rt - transrezistance
Ct - transkapacita
fi – tranzitní kmitočet
vstupního bufferu
fo – tranzitní kmitočet
výstupního bufferu
I
I
Ie
Ic
Ib
Ia
Vd
VeVbVa
e
c
b
a
1
dId
1
Rt Ctfi
foRi
Ro
Io

o
o
o
i
i
i
t
t
t
te
d
t
t
t
tc
b
a
oedcba
Rs
Rs
RsCRsCI
I
RsCRsCI
I
I
IIVVVVV
1
1
1211
1
111
1
−+
+−
−−+−−
−−+
w
w
w
w

Prvky z knihovny SNAPu
32
operační
transkonduk-
tanční zesilovač
OTA

gm - transkonduktance
gm(Va-Vb)
Id
Ic
Ib
Ia
VdVcVbVa
d
c
b
a

mmd
mmc
b
a
dcba
ggI
ggI
I
I
VVVV
−
−

operační
transkonduk-
tanční zesilovač
se 2 výstupy
BOTA

gm - transkonduktance
gm(Va-Vb)
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a

mmd
mmc
b
a
dcba
ggI
ggI
I
I
VVVV
−
−

zdroj napětí
řízený napětím
VCVS

A – Vout/Vin
A(Va-Vb)
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
Io

11
1
1
0
−−
−
AA
I
I
I
I
IVVVV
d
c
b
a
dcba

zdroj proudu
řízený napětím
VCCS

S – Iout/Vin
S(Va-Vb)
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a

SSI
SSI
I
I
VVVV
d
c
b
a
dcba
−
−

Prvky z knihovny SNAPu
33
zdroj napětí
řízený proudem
CCVS

W – Vout/Iin
W*I
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
I
Io
W
I
I
I
I
IIVVVV
d
c
b
a
dcba
11
11
1
1
1
1
0
−
−
−
−

zdroj proudu
řízený proudem
CCCS

B – Iout/Iin
B*I
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
I

11
1
1
−
−
−
BI
BI
I
I
IVVVV
d
c
b
a
dcba

obvod 2. řádu
daný koeficienty
2nd

a2, a1, a0 – koeficienty
čitatele přenosové funkce
b2, b1, b0 – koeficienty
jmenovatele přenosové
funkce
01
2
2
01
2
2
bsbsb
asasaK
++
++=
K(Va-Vb)
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
Io

11
1
1
0
−−
−
KK
I
I
I
I
IVVVV
d
c
b
a
dcba

obvod 2. řádu
daný parametry
f0 a Q
2fQ

a2, a1, a0 – koeficienty
čitatele přenosové funkce
f0 – charakteristický
kmitočet, 00 2 fpw =
Q – činitel jakosti
2
0
02
01
2
2
ww ++
++=
Qss
asasaK
K(Va-Vb)
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
Io

11
1
1
0
−−
−
KK
I
I
I
I
IVVVV
d
c
b
a
dcba

Prvky z knihovny SNAPu
34
dvojbran
popsaný
parametry A
2-port_A

a11, a12, a21, a22 –
přímé kaskádní parametry
2
2
2221
1211
1
1
I
V
aa
aa
I
V
−=

121122
1221
1222112112
122211
/
/1
/
/
aay
ay
aaaay
aay
=
−=
−=
=

Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
AV1 V2
I1
I1
I2
I2

22222121
22222121
12121111
12121111
yyyyI
yyyyI
yyyyI
yyyyI
VVVV
d
c
b
a
dcba
−−
−−
−−
−−

dvojbran
popsaný
parametry B
2-port_B

b11, b12, b21, b22 –
zpětné kaskádní parametry
1
1
2221
1211
2
2
I
V
bb
bb
I
V =
−

122222
2112221121
1212
121111
/
/
/1
/
bby
bbbby
by
bby
−=
−=
−=
−=

Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
BV1 V2
I1
I1
I2
I2

22222121
22222121
12121111
12121111
yyyyI
yyyyI
yyyyI
yyyyI
VVVV
d
c
b
a
dcba
−−
−−
−−
−−

dvojbran
popsaný
parametry H
2-port_H

h11, h12, h21, h22 –
paralelně-sériové hybridní
parametry
2
1
2221
1211
2
1
V
I
hh
hh
I
V =
1121122222
112121
111212
1111
/
/
/
/1
hhhhy
hhy
hhy
hy
−=
=
−=
=

Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
HV1 V2
I1
I1
I2
I2

22222121
22222121
12121111
12121111
yyyyI
yyyyI
yyyyI
yyyyI
VVVV
d
c
b
a
dcba
−−
−−
−−
−−

dvojbran
popsaný
parametry K
2-port_K

k11, k12, k21, k22 –
sériově-paralelní hybridní
parametry
2
1
2221
1211
2
1
I
V
kk
kk
V
I = Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
KV1 V2
I1
I1
I2
I2

22222121
22222121
12121111
12121111
yyyyI
yyyyI
yyyyI
yyyyI
VVVV
d
c
b
a
dcba
−−
−−
−−
−−

Prvky z knihovny SNAPu
35
2222
222121
221212
2221121111
/1
/
/
/
ky
kky
kky
kkkky
=
−=
=
−=

dvojbran
popsaný
parametry Y
2-port_Y

y11, y12, y21, y22 –
admitanční parametry
2
1
2221
1211
2
1
V
V
yy
yy
I
I =
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
YV1 V2
I1
I1
I2
I2

22222121
22222121
12121111
12121111
yyyyI
yyyyI
yyyyI
yyyyI
VVVV
d
c
b
a
dcba
−−
−−
−−
−−

dvojbran
popsaný
parametry Z
2-port_Z

z11, z12, z21, z22 –
impedanční parametry
2
1
2221
1211
2
1
I
I
zz
zz
V
V =

Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
ZV1 V2
I1
I1
I2
I2
1121122211211121
11121111
11121111
2
/11//
1
1
//1/1
//1/1
zzzzzzzz
I
I
zzzzI
zzzzI
IVVVV
d
c
b
a
dcba
−−−
−
−
−−

obecný
impedanční
konvertor
GIC

a11, a22 – kaskádní
parametry

2
2
22
11
1
1
0
0
I
V
a
a
I
V
−=
Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
GICV1 V2
I1
I1
I2
I2
1111
22
22
2
11
1
1
aa
I
I
aI
aI
IVVVV
d
c
b
a
dcba
−−
−
−

Prvky z knihovny SNAPu
36
obecný
impedanční
invertor
GII

a12, a21 – kaskádní
parametry

2
2
21
12
1
1
0
0
I
V
a
a
I
V
−=


Id
Ic
Ib
Ia
Vd VcVbVa
d
c
b
a
GIIV1 V2
I1
I1
I2
I2

1212
1212
2121
2121
/1/1
/1/1
aaI
aaI
aaI
aaI
VVVV
d
c
b
a
dcba
−
−
−
−

neznámá
součástka
Unknown

Tímto symbolem se označí všechny součástky, načtené ze vstupního souboru *.cir, které nejsou definovány v knihovně SNAP.LIB.

Přehled příkladů dodávaných s programem SNAP
37
Přehled příkladů dodávaných s programem SNAP

Předpona „dem“ znamená, že příklad je možné použít v demoverzi SNAPu (obvod má max. 3 uzly a max. 3 součástky).
Předpona „stu“ znamená, že příklad je možno použít v studentské verzi (obvod má max. 5 uzlů).
Soubor bez uvedených předpon obsahuje více než 5 uzlů a je nutné jej řešit ve verzi STANDARD.

Poznámka:
Protože během experimentů se soubory snadno dojde k jejich modifikaci, doporučujeme opatřit atributem "read only" všechny vzorové soubory *.cir
pomocí libovolného "file manageru".

název.cir kategorie popis
all3 filtry Fázovací článek 1. řádu s dvěma transimpedančními operačními zesilovači.
all4 filtry Fázovací článek 2. řádu s dvěma transimpedančními operačními zesilovači.
bpccii filtry Pásmová propust 2. řádu s dvěma proudovými konvejory CCII+.
but3 filtry Dolní propust 3. řádu se dvěma pozitivními proudovými konvejory CCII+, Butterworthova aproximace.
cauer_mu filtry Příčkový filtr 3. řádu dle Cauerovy aproximace, plovoucí induktor je realizován dvěma mutátory. Původní pasivní filtr je v souboru
STUCAU3.CIR.
cauer5 filtry Příčkový filtr 5. řádu dle Cauerovy aproximace, dvojné kapacitory jsou realizovány obvodem z příkladu FDNR.CIR.
ccii4 filtry Obecný stavební blok 2. řádu v proudovém módu s proudovým konvejorem CCII+.
cciii filtry Dolní propust dle Čebyševovy aproximace se dvěma proudovými konvejory CCIII+.
cfa1 filtry Stejnosměrně přesný filtr typu dolní propust s transimpedančním operačním zesilovačem.
cfa2 filtry Filtr typu dolní propust 5. řádu s transimpedančním operačním zesilovačem, nestabilní.
fdnrl filtry Filtr 9. řádu dle Cauerovy aproximace s přímými modely dvojných kapacitorů. Filtr je navržen Brutonovou transformací z filtru z
příkladu LADD.CIR.
ladd filtry Příčkový filtr 9. řádu dle Cauerovy aproximace. Aplikací Brutonovy transformace obdržíme filtr z příkladu FDNRL.CIR.
presens filtry Presens filtr k zvýrazňování frekvenčního pásma 2 až 3 kHz k zvýšení srozumitelnosti řeči.
rolloff filtry Filtr za DA převodníkem ke korekci zkreslení typu sin(x)/x.
sallen3 filtry Aktivní filtr Sallen-Key 3. řádu typu dolní propust.
sallen5 filtry Aktivní filtr 5. řádu typu dolní propust, kaskáda bloků typ