- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
PN přechod
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálblastech přechodu) a velikost závěrného proud (viz.př.5.). U bipolárního tranzistoru je důležitá rekombinace v bázi – při zavedení rekombinačních center se zrychluje rozepnutí ovšem za cenu podstatného zmenšení proudového zesilovacího činitele a zvětšení zbytkových proudů tranzistoru.
3. Na čem závisí saturační proud diody a jak?
Závislost je zřejmá ze Shocklyho rovnice (str 62-63). Nejvýznamněji se projevuje závislost na použitém materiálu (ni2) a koncentraci příměsí. Výzmamnou roli hraje také doba života nosičů – liší se u diod pro různé oblasi použit viz př.2. Zvýšením koncentrace příměsí lze např. u germaniových diod dosáhnout malých závěrných proudů ovšem za cenu podstatného snížení závěrného napětí.
4. a) Na čem a jak závisí závěrný proud polovodičové diody. b) Jaká je souvislost mezi závěrným a saturačním proudem polovodičové diody?
a) Závěrný proud diody je v podstatě určen proudem saturačním.
Vloženo: 4.06.2009
Velikost: 27,00 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Podobné materiály
Copyright 2025 unium.cz
