- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
JFET2
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálbou soustavách vyznačte oblasti jednotlivých režimů.
6. a) Načrtněte strukturu tranzistoru IGBT. b) Stručně vysvětlete jeho činnost. c) Ve kterých vlastnostech se odlišuje od tranzistorů IGFET a od bipolárních tranzistorů?
a)
b) Je to obdoba struktury VDMOS tranzistoru IGFET, jehož kolektor je oddělený vrstvou P+. Tak vzniká bipolární tranzistor PNP řízený do báze(= kolektor IGFET) původním tranzistorem IGFET. c) od IGFET: Napětí UDSON je dané vlastnostmi BT. Proud do báze se odebírá ze spínaného napětí, k úbytku na přechodu BE tranzistoru PNP se ještě přičte úbytek na řídícím tranzistoru IGFET. Napětí UDSON bude tedy poměrně velké i pro malé spínané proudy. Pro standardní tranzistory IGBT je UDSON menší než 2 V a na rozdíl od IGFET roste pouze nepatrně v oblastech velkých proudů (vliv BT). Menší rychlost rozepnutí daná vypínáním struktury BT - lze zrychlit pomocí rekombinačních příměsí ovšem za cenu zvýšení napětí UDSON. od BT: Není zapotřebí trvalý proud báze (při srovnatelných proudech IC je potřebné IB 1 A). Je naopak zapotřebí proudový impuls (IGS >> 100 mA) k nabití i vybití (!) kapacity CGS , popř. CDG Dosahuje se větších závěrných napětí a menší tepelné závislosti parametrů.
Vloženo: 4.06.2009
Velikost: 128,00 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz
