- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálotom AU = - gm . RDMAX = - 18,4
2. Vysvětlete mechanismus průrazu kanálu ( tj. mezi elektrodami D a S ) u tranzistoru FET. O jaký typ průrazu se jedná?. Jaká je jeho teplotní závislost?
V oblasti saturace (zaškrcený kanál) jsou nosiče v oblasti zaškrcené části kanálu odsávány pomocí elektrického pole na zaškrcené části kanálu (driftový mechanismus). Při zvýšení napětí se zvětší intenzita elektrického pole a zaškrcená část kanálu se prodlouží. Tím mohou být splněny podmínky pro vznik lavinového průrazu (kladný teplotní součinitel UDSBR ).
Lavinový průraz má teplotní součinitel průrazného napětí kladný, průrazné napětí se s rostoucí teplotou zvyšuje.
3. Nakreslete soustavu převodních a výstupních charakteristik tranzistoru JFET, vyznačte měřítka a hodnoty příslušného parametru. V obou soustavách vyznačte oblasti jednotlivých režimů.
4.Nakreslete soustavu převodních a výstupních charakteristik tranzistoru IGFET s indukovaným kanálem vyznačte měřítka a hodnoty příslušného parametru. V obou soustavách vyznačte oblasti jednotlivých režimů.
5. Nakreslete soustavu převodních a výstupních charakteristik tranzistoru IGFET s trvalým kanálem vyznačte měřítka a hodnoty příslušného parametru. V o
Vloženo: 4.06.2009
Velikost: 128,00 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz


