- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
baeo-me-04
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiál4 Modelování skutečných obvodových prvků
001) Uveďte co vše je nutno uvážit při tvorbě modelu skutečné obvodové součástky.
-Modely - zachycují podstatné vlastnosti prvku a to podle potřeby řešení obvodů.
-Při tvorbě modelu uvážíme:
• fyzikální podstatu prvků,
• požadovanou přesnost řešení,
• stupeň obtížnosti,
• účel řešení,
• programové vybavení,
• parametry zpracovávaného signálu.
-velikost signálu: malý: lin. model
velký: nelin. model
-kmitočet signálu: pomalý...nf: rezistivní model
: rychlý...vf: reaktanční model
002) Uveďte různé úrovně modelování a druhy modelů.
Lokální-popisují prvek pouze v okolí pracovního bodu,
Statické-parametry i obvodové veličiny jsou pouze reálné,
Dynamické-parametry i obvodové veličiny jsou komplexní.
-podle složitosti: jednoduché...řeším rukou
: složité...PC
-úrovně modelování: 1. Ideální modely
2. Rezistivní modely
3. Kmitočtově závislé modely
4. Nelineární modely
5. Profesionální makromodely
6. Podrobné mikromodely
003) Vysvětlete účel a způsob aproximace nelineárních charakteristik, kriteria shody.
-Aproximaci provádíme ve třech krocích:
1. vybereme aproximující funkcí g(x),
2. určíme její parametry (koeficienty),
3. zkoumáme shodu mezi aproximující funkcí g(x) a charakteristikou f(x)
-Kriteriem shody(mírou přiblížení) může být: maximální stejnoměrná odchylka
: středně kvadratická odchylka.
004) Které funkce používáme nejčastěji k aproximaci nelineárních charakteristik.
005) Nakreslete obvodovou realizaci aproximace nelineární charakteristiky lomenou přímkou.
006) Jak je v obvodovém simulátoru podrobně aproximována A-V charakteristika polovodičové diody?
007) Vysvětlete způsob určování parametrů diody aproximované exponenciálou.
008) Nakreslete VF model polovodičové diody, postihující i setrvačné vlastností.
009) Nakreslete a popište podrobný globální Ebersův-Mollův model bipolárního tranzistoru.
010) Nakreslete a popište Ebersův-Mollův model bipolárního tranzistoru zjednodušený pro
normální aktivní režim.
11) Nakreslete a popište Gumell-Poonův model bipolárního tranzistoru.
V některých programech (PSpice, MC4) je použit globální model Gumellův-Poonův
(Obr. 4.4), který má pouze jeden zdroj proudu, avšak řízený dvěma proudy (v obou směrech).
Podrobněji simul
Vloženo: 24.04.2009
Velikost: 590,50 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz
