AKTUALNÍ SEZNAM OTÁZEK PRO ROK 2010

. Jaká je souvislost r
E
s admitančními parametry tranzistorového zesilovače v zapojení SE

32. Uveďte jak se spínací bipolární tranzistory (BT) liší od běžných BT s jinak obdobnými parametry
(se stejným závěrným napětím a maximální kolektorovou ztrátou) a stručně (!) zdůvodněte.


VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 3
1. a) Načrtněte strukturu tranzistoru J-FET s kanálem N. b) Stručně vysvětlete jeho činnost. c)
Nakreslete síť jeho výstupních charakteristik.
2 a) Načrtněte strukturu tranzistoru IG-FET s kanálem N. b) Stručně vysvětlete jeho činnost. c)
Nakreslete síť jeho výstupních charakteristik.
3. a) Vysvětlete rozdíl mezi tranzistorem IGFET s indukovaným kanálem a tranzistorem IGFET
s trvalým kanálem. b) definujte prahové napětí pro oba typy tranzistorů. c) nakreslete jejich převodní
charakteristiky (pro kanál N i P).
4. Definujte aktivní režim tranzistoru FET. Jaké je typické použití tranzistoru FET v aktivním režimu?
5. Definujte saturační režim tranzistoru FET. Jaké je typické použití tranzistoru FET v saturačním
režimu?
6. Definujte triodový režim tranzistoru FET. Jaké je typické použití tranzistoru FET v triodovém
režimu?
7. Vysvětlete princip funkce CCD struktury. Jaké jsou požadavky na materiál pro její výrobu.
8. Vyjmenujte alespoň dva příklady použití struktrury CCD. Na čem je založena její funkce?
9. Čím je určena rychlost sepnutí a vypnutí spínače s tranzistorem FET.?
10. Jakých vlastností tranzistorů FET se využívá u paměťových obvodů?
11. Jaké jsou průrazy u tranzistoru FET? b) Jaký je jejich mechanismus?
12. Nakreslete typické zapojení pro nastavení pracovního bodu: a) Bipolárního tranzistoru NPN
b)Tranzistoru J-FET s kanálem typu N.
13. Nakreslete typické zapojení pro nastavení pracovního bodu: a)Tranzistoru JFET s kanálem typu N.
b) Tranzistoru IGFET s indukovaným kanálem typu N
14. Porovnejte vlastnosti zesilovače s bipolárním tranzistorem a tranzistorem FET.
15. Porovnejte vlastnosti spínače s bipolárním tranzistorem a tranzistorem FET.
16. Načrtněte strukturu tranzistoru IGBT a její náhradní schéma.
17. Jaké výhody a nevýhody má tranzistor IGBT oproti tranzistorům IGFET.
18. Jaké výhody a nevýhody má tranzistor IGBT bipolárním tranzistorům.
19. Jaké typy IGBT se vyrábí? Vysvětlete.
20. Jaké jsou požadavky na řídící obvod hradla u tranzistorů IGBT a IGFET.
21. Tranzistor v obvodu podle schématu má typické hodnoty I
DSS
= 12mA , U
P
= - 4V. Napájecí napětí
je U
DD
= U
n
= 30 V, velikost R
G
= 2 M Ω. Předpokládejte, že na použitých frekvencích není třeba
uvažovat vliv impedance kondenzátorů v obvodu a že se neuplatní parazitní kapacity tranzistoru. a)
Dokončete návrh obvodu tak, aby tranzistorem protékal proud I
D
= I
DSS
/ 2 a napěťové zesílení daného
zapojení bylo alespoň A
u
≈ 8. b) Jakou maximální hodnotu odporu v kolektoru R
D
můžeme použít, aby
tranzistor ještě pracoval v saturaci? Jaké bude v tomto případě napěťové zesílení obvodu?


22. Zesilovač s tranzistorem n-JFET je zapojen podle schématu. pracovní bod tranzistoru je nastaven
do oblasti saturace. Jak se změní napětí |U
GS
|, strmost tranzistoru g
m
, napětí U
DS
a proud I
D
, jestliže: a)
R
S
se zmenší b) R
D
se zmenší c) Napájecí napětí U
n
se zvětší. Odpovědi stručně zdůvodněte.
23. Načrtněte výstupní charakteristiky tranzistoru FET pro obě polarity napětí U
DS
(v 1 a 3 kvadrantu)
a označte příslušné režimy tranzistoru..

24. Nakreslete příklad zapojení zesilovače (uzemněná elektroda S, tř.A) a spínače a pro tranzistor
IGFET s indukovaným kanálem typu N.

VZORY OTÁZEK A PŘÍKLADŮ K TUTORIÁLU 4
1. Vysvětlete mechanismus a význam rekombinace: u rychlých součástek..
2. Vysvětlete mechanismus a význam rekombinace u luminiscenčních diod LED.
3. Vysvětlete mechanismus a význam rekombinace na povrchu polovodiče.
4. Jakým způsobem se dosáhne zvýšení rekombinace u polovodičových součástek. U jakých součástek
je zvýšená rekombinace výhodná.Vysvětlete.
5. Jakým způsobem se u polovodičových součástek dosáhne snížení rekombinace. U jakých součástek
musí být rekombinace co nejnižší. Vysvětlete.
6. Vysvětlete jak účinnost optoelektronických součástek závisí na vlnové délce použitého záření.
7. Jaké opatření je nutné provést u fotodiody pro detekci UV záření.
8. Na čem závisí vlnová délka ( barva ) emitovaného záření u LED diod a Laserových diod?
9. Jaké je použití fotoodporu v optoelektronice. Vysvětlete.
10. Jaké jsou základní části optronu (uveďte alespoň dvě varianty)? Jaké je hlavní použití optronu?
11. Uveďte alespoň dva zdroje záření pro použití v optoelektronice. Uveďte jejich výhody a nevýhody.
12. Vysvětlete činnost luminiscenční diody LED.
13. Vysvětlete princip laseru.
14. Vysvětlete pojmy spontánní a stimulovaná emise. U jakých součástek se uplatňují?
15. Načrtněte uspořádání laserové diody a vysvětlete její funkci.
16. a) Nakreslete strukturu tyristoru a její náhradní schéma.
17. Jakými způsoby je možné převést tyristor z blokujícího do sepnutého stavu?
18. Nakreslete spínací charakteristiku tyristoru pro dvě různé teploty T
2
> T
1
19. a) Jak u tyristoru zvýšíme odolnost proti nežádoucímu sepnutí? b) Používá se obdobné řešení také
u jiných součástek. Proč?
20. Co je vratný proud u tyristoru . Jaký má význam.
21. Nakreslete průběhy napětí na anodě tyristoru při 50% výkonu do zátěže a napájení ze střídavé sítě.
Do grafu vyznačte kdy je tyristor sepnutý.
22. Nakreslete průběhy napětí na anodě tyristoru při 100% výkonu do zátěže a napájení ze střídavé
sítě. Do grafu vyznačte kdy je tyristor sepnutý.
23. Nakreslete průběhy napětí na triaku (na elektrodě A
1
proti uzemněné A
2
) při 50% výkonu do
zátěže a napájení ze střídavé sítě.. Do grafu vyznačte kdy je triak sepnutý.
24. Jak lze při použití tyristoru v obvodech střídavého napětí dosáhnout celovlnné regulace?
25. Za jakých podmínek dojde k vypnutí tyristoru?
26. a) Nakreslete strukturu diaku a jeho AV charakteristiku. b) Vysvětlete jeho činnost a uveďte hlavní
oblasti použití.