- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
AKTUALNÍ SEZNAM OTÁZEK PRO ROK 2010
BESO - Elektronické součástky
Hodnocení materiálu:
Vyučující: doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.
Popisek: AKTUALNÍ SEZNAM OTÁZEK PRO ROK 2010
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálto struktury?
2. Dva zcela shodné tranzistory se liší pouze šířkou báze – T
1
má šířku báze dvakrát větší. Jak se
budou lišit oba tranzistory. Vysvětlete.
3. Dva zcela shodné tranzistory se liší pouze koncentrací příměsí v kolektoru . T
1
má koncentraci větší.
Jak se budou lišit oba tranzistory. Vysvětlete.
4. Uveďte a vysvětlete vlastnosti bipolárního tranzistoru zapojeného v inverzním zapojení.
5. Jaké je použití bipolárního tranzistoru v inverzním zapojení? Vysvětlete.
6. a) Stručně (!) vysvětlete Earlyho jev. b) Jak je definováno Earlyho napětí?
7. a) Stručně (!) vysvětlete Earlyho jev. b) Jak pomocí Earlyho napětí určíme výstupní odpor
tranzistoru?
8 a) Co je druhý průraz u bipolárního tranzistoru b) U jakých tranzistorů se vyskytuje?
9. a) Co je druhý průraz u bipolárního tranzistoru b) Jak lze zvýšit odolnost proti druhému průrazu
10 a) Proč je průrazné napětí uzavřeného bipolárního tranzistoru v zapojení SE závislé na obvodovém
zapojení. Vysvětlete.
11. Jak dosáhneme zvýšení průrazného napětí uzavřeného bipolárního tranzistoru v zapojení SE?
12. Uveďte alespoň tři opatření pro zrychlení vypnutí spínače s bipolárním tranzistorem. Vysvětlete.
13. a) Nakreslete příklad zapojení tranzistorového zesilovače a tranzistorového spínače (obojí v
zapojení SE). b) Stručně vysvětlete rozdíl ve volbě pracovního bodu.
14. a) Jak určíme admitanční parametry bipolárního tranzistoru? b) Jaké mechanismy jednotlivé
parametry popisují?. c) Jaká je jejich vzájemná souvislost a jejich souvislost s hybridními parametry?
15. a) Jak určíme hybridní parametry bipolárního tranzistoru? b) Jaké mechanismy jednotlivé
parametry popisují?. c) Jaká je jejich vzájemná souvislost a jejich souvislost s hybridními parametry?
16. Jaká je jejich vzájemná souvislost a jejich souvislost s hybridními parametry?
17. Jak pomocí hybridních parametrů stanovíme napěťové zesílení, vstupní a výstupní odpor
zesilovače s bipolárním tranzistorem?
18. Jak pomocí parametrů stanovíme napěťové zesílení, vstupní a výstupní odpor zesilovače s
bipolárním tranzistorem?
19. Zesilovač s křemíkovým bipolárním tranzistorem je zapojen podle schématu, kde U
cc
= 10V,
(R
B
=560k, R
C
= 4k, R
E1
=330, R
E2
=1k, h
21E
= β = 100.) V uvažovaném kmitočtovém rozsahu je
impedance všech kondenzátorů zanedbatelná. Výstupní vodivost tranzistoru neuvažujte. Určete:
a) pracovní bod tranzistoru, b) vstupní odpor zesilovače, c) výstupní odpor zesilovače naprázdno,
d) napěťové zesílení naprázdno.
20. Tranzistor je zapojen podle schématu. Vypočtěte a) pracovní bod tranzistoru, b) napěťové
zesílení, c) vstupní a výstupní odpor. Předpokládejte, že v dané pracovní oblasti je proudový
zesilovací činitel tranzistoru h
21E
= 220 a velikost impedance kapacitorů velmi malá. Earlyho napětí je
U
E
= 55 V. Napájecí napětí U
n
= 15 V
21. Proud báze tranzistoru T
1
je nastaven odporem R
B
tak, aby úbytek na kolektorovém odporu R
C
byl
½ U
CC
. Odpovězte na následující otázky a své odpovědi stručně zdůvodněte. Jak se změní:
a) U
CE
- zmenšíme–li odpor R
B
.
b) I
C
a U
CE
- při zmenšení hodnoty proudového zesilovacího činitele beta.
c) I
C
- zmenšíme–li U
CC
.
d) U
BE
a U
CE
zdvojnásobíme-li hodnotu odporu R
B
.
22 Nakreslete průběhy u
BE
, i
B
, i
C
a u
CE
jestliže je na vstup spínače podle schématu připojen
obdélníkový signál (f= 500 Hz) s amplitudou: a) u
VST
= +/- 1V b) u
VST
= +/- 5V. Pro oba případy do
grafů vyznačte, v jakém režimu tranzistor pracuje. U
N
= 10V, R
B
= 1k Ω , R
2
= 100 Ω. V uvažované
pracovní oblasti je proudový zesilovací činitel tranzistoru h
21E
= 100.
a) Tranzistorový spínač má napájecí napětí U
N
= 10V, R
B
= 1k Ω, R
C
= 100 Ω. Na vstup je připojen
obdélníkový signál (f= 500 Hz) s amplitudou: u
VST1
= +/- 1V nebo s amplitudou u
VST2
= +/- 5V.
V uvažované pracovní oblasti je proudový zesilovací činitel tranzistoru h
21E
= 100. Na základě
výpočtu rozhodněte v jakém režimu tranzistor při vstupním signálu u
VST1
a při vstupním signálu u
VST2
pracuje.
23. Zátěž s jmenovitým napájecím napětím 24V a odporem vinutí R
S
= 60 Ω má být spínána
bipolárním tranzistorem (NPN, h
21E
= 35 až 125, U
CB0
= 70V, U
CER
= 50V, I
Cmax
= 500 mA, U
CES
≈
1,5V, P
C
= 800mW (bez přídavného chlazení)
a) Navrhněte schéma zapojení spínače. b) Určete velikost I
B
pro sepnutí zátěže.
c) Určete velikost proudů a napětí v obvodu I
B
= f(t), I
C
= f(t), U
BE
= f(t) a U
CE
= f(t) při sepnutí a
rozepnutí spínače a nakreslete je do grafu.
d) Rozhodněte, zda je nutné použít přídavné chlazení tranzistoru.
24. Bipolární tranzistor NPN (h
21E
= 35 až 125) má spínat zátěž se jmenovitým napájecím napětím
15V a odporem vinutí R
S
= 50 Ω. Řídící napětí je U
B
= 5V. Navrhněte schéma zapojení spínače.
b) Pro spínač ad a) určete velikost R
B
pro spolehlivé sepnutí zátěže.
c) Pro spínač ad a) určete ztrátový výkon na tranzistoru při sepnutí pro U
CES
≈ 0,5V.
25. Zesilovač s křemíkovým bipolárním tranzistorem je zapojen podle schématu (U
cc
= 10V, R
B
=820k,
R
C
= 2k2, h
21E
= β = 100). V uvažovaném kmitočtovém rozsahu je impedance všech kondenzátorů
zanedbatelná. Výstupní vodivost tranzistoru neuvažujte. Určete:
a1) pracovní bod tranzistoru,
a2) vstupní odpor zesilovače,
a3) výstupní odpor zesilovače naprázdno,
a4) napěťové zesílení naprázdno.
26. Nakreslete příklad zapojení zesilovače (SE, tř.A) a spínače pro bipolární tranzistor (NPN).
27. Uveďte jak se vysokofrekvenční bipolární tranzistory (BT) liší od běžných BT s jinak obdobnými
parametry (závěrným napětím a maximální kolektorovou ztrátou) a stručně (!) zdůvodněte.
28. Jak určíme diferenciální odpor emitoru r
E
bipolárního tranzistoru?.
29. Jaká je souvislost r
E
se vstupním odporem samotného tranzistoru v zapojení SE?.
30. Jaká je souvislost r
E
se zesílením tranzistorového zesilovače v zapojení SE.
31
Vloženo: 26.05.2010
Velikost: 210,34 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujícího doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.
Podobné materiály
- BESO - Elektronické součástky - Otazky BESO aktuální!!!!
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Seznam norem použitých v kurzu Bezpečnost při elektrotechnice
- BFY2 - Fyzika 2 - Seznam příkladů počítaných na přednášce
- BFY2 - Fyzika 2 - Tahák z vypracovaných otázek
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - přehled otázek1
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - přehled otázek2
- BVEL - Výkonová elektronika - okruhy otazek
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - souhrnotazek1
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - souhrnotazek
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - souhrotazek3
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - souhrnotazek4
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - souhrnotazek5
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - souhrnotazek6
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Zadání otázek k půlsemstrálce
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Okruhy otázek ke zkoušce 08
- BMIC - Mikroprocesory - okruhy otázek
- BMVA - Měření v elektrotechnice - BMVA - soupiska testových otázek
- BPSM - Plošné spoje a povrchová montáž - Vypracovani otazek 2012
- BVEL - Výkonová elektronika - Vypracovani otazek 2012
- XAN4 - bakalářská angličtina 4 - Zápočtový test - 280 otázek
- BMA1 - Matematika 1 - Zkouška BMA1 datum 4-1-2010 FEKT VUT
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - BEL1 závěrečná zkouška 8-1-2010 VUT FEKT skupiny A-B.
- BREB - Řídicí elektronika - Vypracované úkoly na zkoušku BREB 2010
- BMA1 - Matematika 1 - bma1-zkouska-27-1-2010 vut fekt
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Zkouska bel1 opravna 27-1-2010 vut fekt
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2009/2010 - Termodynamika
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2010 - Moderní fyzika
- BNAO - Návrh analogových integrovaných obvodů - Skripta BNAO 2010
- BMA2 - Matematika 2 - BMA2 zkouška květen 2010 řádný termín
- BFY2 - Fyzika 2 - BFY2 zkouška AB 2010 řádný termín
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Zkoušky BEL2 2007 až 2009 + vzorové zadání 2010
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - BEL2 semestrální zkouška 2010 řádný termín
- BESO - Elektronické součástky - Oficiální vzor semestrální zkoušky z předmětu BESO pro rok 2010
- BPC2 - Počítače a programování 2 - Zápočtový test 2010
- BESO - Elektronické součástky - Test 2010
- BPC2 - Počítače a programování 2 - BPC2 prográmky ze cvičení 2010 Lattenberg
- BESO - Elektronické součástky - BESO zkouška 2010
- BPC2 - Počítače a programování 2 - Zápočtový program BPC2 2010
- BMA2 - Matematika 2 - BMA2 zkouška první opravný termín 2010
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - 1. opravny termin 2010
- BMA2 - Matematika 2 - BMA2 2010 všechny letošní zkoušky
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - BEL2 všechny zkoušky 2010
- BMA3 - Matematika 3 - BMA3 povolený tahák na první písemku na numerické metody 2010.pdf
- BMA3 - Matematika 3 - BMA3_2010_písemka na numerické metody.pdf
- BPC1 - Počítače a programování 1 - Test matlab 2010
- BAEO - Analogové elektronické obvody - BAEO písemka 11-2010.zip
- BNEZ - Napájení elektronických zařízení - Vzorový projekt napájecího zdroje BNEZ 2010
- BMVA - Měření v elektrotechnice - Návody do laboratoří BMVA 2010 !!NEZABEZPEČENÉ pdf!!
- BMA3 - Matematika 3 - BMA3_2010_písemka na pravděpodobnost
- BMA3 - Matematika 3 - BMA3_2010_písemka na pravděpodobnost
- BANA - Analogová technika - Písemka - PC - 2010
- BMVA - Měření v elektrotechnice - Test-laboratoře-2010-2_zadání
- BMA2 - Matematika 2 - BMA2 povolený tahák na zkoušku 2010.ZIP
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Semestrální test Předtermín skupina A 2010-2011
- BMA3 - Matematika 3 - Irena Hlavičková BMA3 přednášky 2010
- BMA3 - Matematika 3 - BMA3 legální tahák na 2 písemku pravděpodobnost 2010
- BNEZ - Napájení elektronických zařízení - BNEZ 2010 zkouška předtermín
- BSIS - Signály a soustavy - Variace semestrálek - datový únik 2010
- BMA3 - Matematika 3 - bma3 legální tahák ke zkoušce 12-2010
- BMA3 - Matematika 3 - Semestralni zkouska BMA3 2010/2011 (1. a 2. termin)
- AUIN - Umělá inteligence v medicíně - Zkouška 21.1.2010
- AUIN - Umělá inteligence v medicíně - Zkouška z 28.1.2010
- BKEZ - Konstrukce elektronických zařízení - BKEZ2010
- BKEZ - Konstrukce elektronických zařízení - BKEZ zkouška asi 2010.zip
- BFY2 - Fyzika 2 - BFY2 domácí úkol 2010
- BCZA - Číslicové zpracování a analýza signálů - BCZA zkoušky 2001 až 2010
- BCZA - Číslicové zpracování a analýza signálů - BCZA řešené zkoušky 2010 2008 2007.zip
- XPOM - Podnikatelské minimum - XPOM 2005-2010 vypracované zkoušky Fekt VUT
- BPOM - Podnikatelské minimum - BPOM vypracované zkoušky 2005 - 2010
- BASS - Analýza signálů a soustav - 1. opravná zkouška BASS (2010/2011)
- ALDT - Lékařská diagnostická technika - Prehled_latky_ALDT_2010
- MTEO - Teorie elektronických obvodů - MTEO zkousky 2010 a 2009
Copyright 2025 unium.cz


