- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
Tranzistory
2141504 - Elektrické obvody a elektronika
Hodnocení materiálu:
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálMěření charakteristik tranzistorů
1.Tranzistor bipolární
Úkol měření:
1) Změřte ik = h2 (ib, uk), ub = h1 (ib,uk) pro vhodně zvolenou pracovní oblast a zpracujte graficky.
Závislost ik = h2 (ib, uk)
ib[uA]
0
40
80
120
160
0,5
0
2,5
5,3
8,311,4 102,65,48,4511,6 uk[V]2,502,655,58,712ik[mA] 502,755,88,413,5 7,502,855,6913,2 10034,99,413 1203,15,89,313,1
EMBED Excel.Chart.8 \s
Závislost ub = h1 (ib, uk)
ib[uA] 04080120160 000,585,95,996,03 uk[V]>0,500,6266,476,66,7 ub[V]
2. Tranzistor unipolární
Úkol měření:
1) Změřte ik = f(uK, uG) předloženého MOS tranzistoru (N-kanál). Vyneste graficky.
ug[V]
2
2,5
3
3,5
4
0
0
0
0
0
0
1
6
17
23
24
2
Vloženo: 22.04.2009
Velikost: 104,68 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz
