pisomka

1_Kolik atomů připadá  na jednu buňku plošně středěné kubické krystalové mřížky [fcc]:(4)
-------------------------
2_Koordinační číslo Z je definováno jako počet nejbližších sousedních atomů v krystalové mřížce. Stanovte jeho velikost pro kubickou prostorově centrovanou mřížku [bcc]:(8)
-------------------------
3_Kolik atomů připadá  na jednu buňku prostorově středěné kubické krystalové mřížky:(2)
---------------------------
4_Koordinační číslo Z je definov no jako počet nejbližších sousedních atomů v krystalové mřížce. Stanovte jeho velikost pro plošně centrovanou kubickou mřížku (fcc):(12)
-------------------------
5_Stanovte atomy nejhustěji obsazený směr el.buňky fcc:[110]
-------------------------
6_Stanovte atomy nejhustěji obsazený směr el.buňky bcc:[111]
------------------------
7_Určete nejhustěji atomy obsazenou rovinu u elementární buňky fcc:(111)
------------------------
8_Určete nejhustěji atomy obsazenou rovinu u elementární buňky fcc:(110)
--------------------------
9_Určete nejhustěji atomy obsazenou rovinu elementární buňky bcc:(110)
--------------------------
10_Stanovte koncentraci molekul NaCl, je-li s[NaCl]=2,18 g/cm3, relativní molekulová  hmotnost 58,45 g/mol a mřížkový parametr sc buňky a[0]=2,814.E-10m.(2,24.E+28 m-3)
-----------------------------
11_Stanovte koncentraci atomů v mřížce Si, mřížkový para-metr el. buňky a[0]=0,543 nm.(4,99.E+28 m-3)
12_Stanovte koordinační číslo jednoduché kubické buňky.(6)
------------------------------
13_Stanovte koordinační číslo kubické buňky plošně středěné.(12)
-----------------------------
14_Stanovte koordinační číslo kubické buňky prostorově středěné.(8)
------------------------------
15_Stanovte koordinační číslo kubické buňky diamantu.(4)
----------------------------
16_Stanovte koeficient zaplnění jednoduché kubické el. buňky.(0,52)
---------------------------
17_Stanovte koeficient zaplnění kubické buňky plošně středěné.(0,74)
---------------------------
18_Stanovte koeficient zaplnění kubické buňky prostorově středěné.(0,68)
--------------------------
19_Stanovte koeficient zaplnění buňky diamantu.(0,34)
-------------------------
201_Konduktivitu intrinzického (s vlastní vodivostí) polovodiče ρ[i] lze (pomocí intrinzické konc. nosičů N[i], elementárního náboje q a pohyblivosti nosičů b[n] a b[p]) vyjádřit vztahem:[ ρ[i]=N[i].q.(b[n]+b[p]) ]
---------------------------
202_Pro teplotní závislost konduktivity intrinzického polovodiče lze použít aproximační vztah:(E[g] je šířka zakázaného pásu, k je Boltzmannova konstanta a T je termodynamická  teplota] :
[ ρ[T]=ρ[o].exp(-E[g]/(2kT)) ]
-------------------------------------
203_Stanovte vlnovou délku fotonů lambda, odpovídající prahu vnitřní vodivosti u GaAs. E[g] pro GaAs=1,43 eV.
[lambda [GaAs]=860 nm]
------------------------------------------------------
204_Stanovte pohyblivost elektronů v Si n-typu vodivosti s konduktivitou ρ=20 S/m. Koncentrace donorových příměsí N[D]=1.E+21 1/m3.Předpokládáme, že všechny příměsi jsou při teplotě měření konduktivity (300K) plně ionizovány.[0,125 m2/(Vs)]
-------------------------------------------------------
205_Rozměr pohyblivosti nosičů je:[m2/(Vs)]
----------------------------------------------------------
206_Měřením Hallova jevu na polovodiči typu N byla stanovena Hallova konstanta R(H)=-1,248E-3 m3/C. Stanovte koncentraci volných elektronů v polovodiči.[5.0E+21 m-3]
---------------------------------------------------------
207_Rezistivita intrinzického Ge při teplotě 300 K je ro=0,46 ęm. Pohyblivost elektronů při této teplotě je b[e] =0,38 m2/V.s a pohyblivost děr b[p]= 0,18 m2/V.s. Stanovte intrinzickou koncentraci nosičů v Ge.
[2,42 E +19 1/m3]
--------------------------------------------------------
208_Stanovte intrinzickou koncentraci nosičů v Si pro teplotu 500K. Hodnota této koncentrace je pro 333K n[i]=1.27.E+17 m-3. šířka zakázaného pásu Si při 300K činí 1.12 eV.[8,6.E+19 m-3]
-------------------------------------------------------