Kompletní balík materiálů ke zkoušce

avu kondenzátorové keramiky I. typu je:
- Al2O3 (korund)
- tuhý roztok BaTiO3 a jiných oxidů(Ca,Sr,.)
* TiO2 (rutil)
- sloučenina BaTiO3
405 Výchozí surovinou pro přípravu kondenzátorové kerami-ky II. typu je:
- Al2O3 (korund)
* tuhý roztok BaTiO3 a jiných oxidů
- TiO2 (rutil)
- sloučenina BaTiO3
406 Kondenzátorová keramika I.typu vykazuje: (P je vektor dielektrické polarizace, E je vektor intenzityel. pole, T je termodynamická teplota, Ó[C] je teplot. souč. kapacity )
- nelineární závislost P = f(E),
* lineární závislost P = f(E),
- nelineární závislost Ó[C] = f(T),
- nelineární závislost P = f(E), a vysokou objemovou kapacitu
407 Kondenzátorová keramika II.typu vykazuje: (P je vektor dielektrické polarizace, E je vektor intenzity el. pole, T je termodynamická teplota, Ó[C] je tepl. souč. kapacity )
- nelineární závislost P = f(E) a vysokou objemovou kapacitu
- lineární závislost P = f(E)
- lineární závislost Ó[C] = f(T)
* nelineární závislost P = f(E]
408 Kondenzátorová keramika III. typu má tyto vlastnosti:(P je vektor dielektrické polarizace, E je vektor intenzity el. pole, T je termodynamická teplota, Ó[C] je tepl. souč. kapacity )
- nelineární závislost P = f(E),
* nelineární závislost P = f(E), a vysokou objemovou kapacitu
- lineární závislost Ó[C] = f(T),
- lineární závislost P = f(E),

409 Teplotni koecifient kapacity Ó[C] je definován: (d[C] je diferenciál kapacity, d[T] je diferenciál teploty C je kapacita):
- Ó[C]=C*d[C]/d[T]
* Ó[C]=1/C*(d[C]/d[T])
- Ó[C]=1/C*(d[T]/d[C])
- Ó[C]=1/C*(d[T]^2/d[C])

410 Normou stanovený teplotní interval pro stanovení teplotního součinitele kapacity kond. keramiky I.typu je:
- -5(˝10)°C až +85(˝10)°C
* +25(˝10)°C až +85(˝3)°C
- -5(˝10)°C až +100(˝10)°C
- -5(˝10)°C až +85(˝3)°C
411 Mezi feroelektrické materiály zahrnujeme kondenzátorovou keramiku:
- pouze I. typu
- pouze II. typu
- pouze III. typu
* II. a III. typu
500 Elektronová struktura polymeru s příměsemi se vyznačuje:
- silnou delokalizací elektronů v konjugovaných systémech
* pásovým diagramem obdobného charakteru jako u polovodičů
- diskrétními hladinami energie
- pásovým diagramem obdobného charakteru jako u kovů
501 Konduktivita polymeru s vlastní vodivostí jako např. polytiofen, polyacetylen a pod., dosahuje hodnot ležících v mezích:
- 1E-3 až 1E+3 S/m
* 1E-6 až 1E-10 S/m
- 1E-1 až 1E+5 S/m
- 1E-1 až 1E-3 S/m
502 Resistivita polymerního kompozitu polyetylensaze s rostoucím podílem sazí:
- klesá exponenciálně s danou akti-vační energií
* strmě klesá po překročení tzv. perkolačního prahu
- lineárně klesá v závislosti na rostoucím obsahu sazí
- lineárně roste v závislosti na klesajícím obsahu sazí
503 Perkolační práh polymerního kompozitu definuje:
- teplotní mez do níž lze kompozit technicky používat
* procentuální objem sazí při jehožpřekročení dojde k strmému nárus-tu vnitřní konduktivity kompozitu
- procentuální objem sazí při jehožpřekročení dojde k strmému nárus-tu vnitřní resistivity kompozitu
- teplotní mez při jejímž překročení dojde k narušení vodivé grafi- tické sítě kompozitu
504 Teplotní závislost resistivity polymerního kompozitu polyetylen - saze:
- vykazuje negativní teplotní koeficient
- vykazuje při překročení perkolač-ního prahu lokální extrém
* je monotonní závislostí s klad- nou derivací
- je konstantní
505 Pozitivní teplotní koeficient polymerního kompozitu je zapříčiněn zejména:
* destrukcí grafitické sítě v poly-merní matrici
- elektron-fononovou interakcí
- generací vodivostních elektronů
- vzrůstem pohyblivosti vodivostních elektronů
506 Teplotní koeficient odporu polymerního kompozitu sta-novíme ze vztahu:
- Ó = dR/dT
* Ó = (1/R[0])*(dR/dT)
- Ó = (1/T[0])*(dR/dT)
- Ó = (1/T[0])*(dT/dR)

507 Polymerní kompozit polyetylen-saze dosahuje ve srov- nání s kovovými materiály hodnoty koeficientu Ó[R]:
- nejméně o dva řády nižší
* nejméně o dva řády vyšší
- stejný
- nejméně o tři řády nižší
508 Regresní přímka změřené teplotní závislosti odporu polymerního kompozitu polyetylen-saze je dána R[T]= 18,545.T + 1261,7. Stanovte hodnotu Ó[R] pro T= 20°C.
- 0,0014
- 0,0001469
* 0,01469
- 0,0005
509 Stanovte teplotní koeficient odporu polymerního kom- pozitu z následujících bodů, R[23,8°C]=1647 ŕ a R[42,4°C]=2074 ŕ pro 23,8°C.
- 0,058
- 0,96
* 0,0139
- 0,00139
510 Polymerní matrice měřeného kompozitu obsahuje:
* grafit ve formě sazí
- kovové částice
- uhlíková vlákna
- fulereny
600 Difuzní tok ve smyslu definice 1.Fickova zákona má rozměr:
- m/s
* 1/(m^2*s)
- m^2/s
- m^3/s
601 1.Fickův zákon popisující difuzní tok částic pri zanedbání vnějších sil lze popsat vztahem (N je koncentrace difundujících částic,D je difuzní koeficient):
- J=D*grad N
* J=-D*grad N
- J=D*div N
- J=-div N
602 2.Fickův zákon lze (při zanedbání vnějších sil) popsat následujícím vztahem (N je koncentrace difundujících částic, D je difuzní koeficient, t je čas, x je vzdálenost):
- dN/dt = rot*(D grad N)
* dN/dt = div*(D grad N)
- dN/dt =-div*(D grad N)
- dN/dt =-rot*(D grad N)
603 Teplotní závislost difuzního koeficientu D lze vyjádřit vztahem (W(J) resp Q(J/mol) je aktivační energie difu-ze, D(0) frekvenční faktor (m2/s), k je Boltzmannova konstanta a T je termodynamická teplota (K) :
- D = D(0)*exp (W/(k*T))
- D = D(0)*exp (Q/(R*T))
* D = D(0)*exp (-W/(k*T))
- D = D(0)*exp (-Q/(k*T))
604 Distribuci koncentrace difundujících částic v polonekonečném prostoru v závislosti na době t difuze (za podmínky, že difuzní zdroj ma konstantní, časově nezávislou hodnotu koncentrace N(0) a počáteční koncentrace difuzantu v prostředí N(x,0) je nulová) lze vyjářit následovně:
* N(x,t) = N(0) erfc(x/2ű(Dt)), kdeerfc je komplementární chybová funkce
- N(x,t) = N(0) exp(x/2ű(Dt)), kde exp je exponenciální funkce
- N(x,t) = N(0) exp(-x/2ű(Dt)), kdeexp je exponenciální funkce
- N(x,t) = N(0) erf(x/2ű(Dt)),kde erf je chybová funkce
605 Difuzní koeficient má rozměr:
- 1/m^2s
- 1/m^2s^2
- m^2s
* m^2/s
606 V oblasti přechodu PN se resistivita polovodičového materiálu prudce zvyšuje v důsledku:
- nízké pohyblivosti nosičů v obla-sti přechodu
* kompenzace donorů a akceptorů
- vysoké pohyblivosti nosičů v oblasti přechodu
- vysoké koncentraci nosičů v oblasti přechodu
607 Stanovte hloubku přechodu PN, jestliže byl identifikován na šikmém výbrusu (úhel zbroušení Ó = 5°) přechodu ve vzdálenosti 740Šm od hrany výbrusu.
- 0,06 m
* 0,000064 m
- 8458 Šm
- 6Šm
608 Stanovte hodnotu difuzního koeficientu pro teplotu 1200 K, je-li aktivační energie difuze 137kJ/mol a frek- venční faktor D[0]= 0,12 cm^2/s.
- 3,5 E-16 m^2/s
- 1,3 E-16 m^2/s
* 1,3 E-11 m^2/s
- 3,5 E-11 m^2/s
609 Při sycení Fe uhlíkem z plynné atmosféry o ef. koncentraci (konst.) 1% se ve vzdálenosti 0,1 mm pod povrchem vzorku vytvořila koncentrace uhlíku 0,8%. Počáteční koncentrace C v Fe je 0,1%. Stanovte dobu difuze pro dané okrajové podmínky, Q=137 kJ/mol, T= 1200 K, D[0]=0,12 m^2/s.
* 4790 s
- 147 hod
- 378 s
- 56 hod
701 Konduktivitu intrinzického (s vlastní vodivostí) polovodiče ň[i] lze (pomocí intrinzické konc. nosičů N[i], elementárního náboje q a pohyblivosti nosičů b[n] a b[p]) vyjádřit vztahem:
* ň[i]=N[i].q.(b[n]+b[p])
- ň[i]=1/N[i].q.(b[n] + b[p])
- ň[i]=N[i]/q.(b[n]+b[p])
- ň[i]=1/N[i]2.q.(b[n]+b[p])
702 Pro teplotní závislost konduktivity intrinzického polovodiče lze použít aproximační vztah: (E[g] je šířka zakázaného pásu, k je Boltzmannova konstanta a T je termodynamická teplota] :
- ň[T]=ň[o].exp(E[g]/(2kT))
- ň[T]=ň[o].exp(-E[g]/(kT))
* ň[T]=ň[o].exp(-E[g]/(2kT))
- ň[T]=ň[o].exp(-E[g]2/(2kT))
703 Axiální distribuce příměsí v monokrystalech polovodičů je hlavní měrou determinována
- průměrem monokrystalu
* použitou metodou tažení mono- krystalu
- tvarem krystalizačního rozhraní
- použitým typem ohřevu krystali- začního rozhraní
704 Stanovte pohyblivost elektronů v Si n-typu vodivosti s konduktivitou ň=20 S/m. Koncentrace donorových příměsí N[D]=1.E+21 1/m3.Předpokládáme, že všechny příměsi jsou přiteplotě měření konduktivity (300K) plně ionizovány.
* 0,125 m2/(Vs)
- 0,0125 m2/(Vs)
- 0,125 m/V/s
- 125 m/V/s
705 Rozměr pohyblivosti nosičů je:
- m/(Vs2)3
* m2/(Vs)
- m2/(Vs2)
- m2/(2Vs)
706 Statický rozdělovací koeficient přímesi je definován jako k[0]=C[s]/C[l], kde C[s] je koncentrace příměsi v pevné fázi, C[l] je koncentrace příměsi v k