- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiáltegraci (IO). Pracovní
kapacity mají velmi malou hodnotu (řádov
ekvivalentu R-SC a klasického rezistoru (napa
přibližně čtyřistakrát menší (pro 100 kΩ
jsou IO-SC také lacinější než klasické IO
nízké DC napájení jako obvody číslicové. Výrobní tolerance i teplotní
závislost se navíc jen málo projeví na přenosové funkci
Spínače
Elektronické spínače resp. přepínače jsou realizovány tranzistory MOS FET.
I když teoreticky jeden ideální FET může realizovat spína
obvodu SC je spínač tvořen čtyřmi a více tranzistory. Hodnoty odpor
sepnutém stavu nejsou nulové, ale řádově
hodnotám pracovních C je to však vyhovující
filtry 115 nabíjení. V rozepnutém stavu jsou ho
bezproblémové. Avšak parazitní kapacity spína
kapacit pracovních. Přes Cgs a Cgd proniká do
signálu rušivé řídící napětí, které kompenzujeme p
napětí v opačné fázi, přes další (třeba i nefunk
Obvod SC simulující rezistor
Rezistor je charakterizován jako ztrátový prvek. Ztracená energie (
nepřímo úměrná hodnotě odporu R ( 12.7 ). V obvodech SC je simulován
ztrátový rezistor bezeztrátovým kapacitorem
Obr. 12.1. V pracovní fázi (S) se kapacitor
není žádný odpor). V druhé fázi (L) se C
se vyzáří. Na vstupní bráně v pracovní fázi (S) obvod simuluje ztráty tedy
rezistor. Získali jsme spínaný ekvivalent R
přímo úměrná kapacitě C a nepřímo period
Do jaké skupiny obvodů zařadíme filtry SC? Pro
v oblasti proměnné z? Jaké druhy aproximujících
používáme?
-filtry se spínanými kapacitory, pro jejich popis používáme nábojové rovnice
psané v oblasti Z, podobně jako obvody digitální, na rozdíl od nich jsou
v obvodech SC zpracovávané signály diskrétní v
pro jejich činnost se používá dvoufázové spínání, fáze sudá nebo lichá
-vhodné k miniaturizaci a integraci
-transformace p-z z=epT, p=1/T . lnz (T je perioda vzorkování)
-transformace BD – backward diference p=1/T .
-transformace FD – forvard diference p=1/T . (z
-transformace BL – bilinear diference p=2/T . (z
Nakreslete a vysvětlete schéma invertujícího spínaného integrátoru,
realizujícího transformaci FD. Jak z ně
integrátor?
Neinverující integrátor SC-FD dostaneme jednoduše (otá
kapacitoru C1,vhodným spínáním) Ztrátový integrátor
přidáním dalšího poobvodu R-SC, paraleln
Záměnou fází pravého přepínače dostaneme p
ů se spínanými kapacitory.
čním
elektronických systémů, kde se
ů se spínanými
(OA, spínače i
ěchto filtrů
řenosu náboje.
asti proměnné z,
nich jsou v obvodech SC
čase, ale spojité v hodnotě. Na
řazen
ů SC se většinou používá
ě pF a méně). Plocha spínaného
řená uhlíková vrstva) je
Ω jen 250 µm2). Při hromadné výrobě
-ARC. Stejná technologie
č, v reálném
ů zde v
RON= 100 Ω . Vzhledem k
τ pro mžikové Elektrické
dnoty ROFF = 1012 Ω
čů dosahují až 20% hodnot
kanálu zpracovávaného
řivedením stejného
ční) tranzistor.
Wz) je
C, dle principielního zapojení na
C nabije (v mžiku, protože zde
v mžiku vybije do zkratu. Energie
-SC. Ztracená energie je zde
ě spínání T
č a jak je popisujeme
z-transformací
čase, ale spojité v hodnotě,
(1-z-1) z=1/(1-pT)
-1) z=1+pT
-1)/(z+1)
j uděláme neinvertující a ztrátový
čením vrstev
SC-FD pak
ě k integračnímu kapacitou C2.
řenos v sudé fázi
Nakreslete a vysvětlete schéma spínaného integrátoru, realizujícího
transformaci BL.Jak z něj uděláme bikvad SC a filtr SC vyššího
=> z integrátoru SC d
bikvad SC, když dva zapojíme
do smyčky obdobn
klasických bikvad
=> pomocí bikvad
kaskádní syntéoz sestrojíme
libovolný filtr SC vyšších
integrátory SC však m
použít přímo jako stavební bloky
Vysvětlete princip filtrů s piezoelektrickými rezonátory. Nakreslete
model PER.Uveďte klasických filtrů s PER.
Krystal je výbrus z krystalu křemene nebo turmalínu ve tvaru
nebo kruhové destičky na jeho povrh jsou naneseny kovové elektrody s
vývody (Obr. 12.4a). Umístěn bývá v hermeticky uzavř
pouzdře a tak tvoří piezoelektrickou krystalovou jednotku (PKJ). Využívá se
zde piezoelektrický jev. Kmitající elektrické pole vyvolává
kmity a opačně. PKJ se navenek chová jako laděný obvod (
s vysokým činitelem jakosti Q = 104 až 106, se stálostí kmito
až 10-9 a s možnou zatížitelností Pz = 10-7 až 10-2 W (
buzení, tím stabilnější kmity). PKJ jsou vyráběny pro kmito
MHz, pro vyšší kmitočty využijeme další harmonické.
Vysvětlete princip a nakreslete dva příklady zapojení monolitických
krystalových filtrů.
Monolitické krystalové filtry jsou vícerezonátorové systémy realizované na
jedné destičce z piezoelektrického materiálu (na bázi kř
keramiky). Základní uspořádání je na Obr.
Nakreslete a vysvětlete schéma aktivního filtru s piezoelektrickým
rezonátorem.
Piezoelektrické krystalové jednotky můžeme výhodně použít i ve filtrech
aktivních, převážně jde o pásmové propusti. příklad aktivní PP 2.
PER (X) s operačním zesilovačem (OA) a dvěma ideálními zesilova
(IVA), se zesílením A1 a A2. IVA mohou být realizovány neinvertujícím
zapojením s OA.
Nakreslete principielní schéma a vysvětlete princip filtr
vlnou.Pojednejte o měničích ve filtrech PAV.
Filtry s povrchovou akustickou vlnou (FPAV) jsou založeny na akustickém
elastickém vlnění (PAV) na povrchu keramické destičky (D)
řádu?
ostaneme
ě jako u
ů ARC
ů SC pak
řádu,
ůžeme
čtyřhranné
eném a vyčerpaném
mechanické
Obr. 12.4b)
čtu Δ f/f = 10-5
čím nižší úroveň
čty 1kHz až 160
emene nebo
řádu s
či napětí
ů s povrchovou
Nakreslete blokové schéma a vysvětlete princip elektromechnických
filtrů.
Velká selektivita (Q až 103) elektromechanických filtr
mechanickým rezonátorem (MR) nebo mechanickou rezonan
Soustava obsahuje několik MR a vazební prv
EMF, kromě vysoce selektivních MR, vyžaduje
vazbu mezi MR a elektrickým obvodem (EO), tedy p
elektrických na mechanické a naopak.
Měniče se požívají magnetostrikční nebo piezoelektri
měnič se skládá z piezoelektrické destičky (2) a dvou kovových vále
3), tvořících MR. Ty se vyrábějí z legovaných (Mo, Cr, Ti, Al, Be)
feromagnetických elivarových slitin (Fe
zpracováním (precipitačním vytvrzením) lze dosáhnout
vysoké Q, stálost f0 a nízký teplotní koeficient
MR a VP mohou mít různé módy
Vysvětlete princip filtrů s rozprostřenými parametry. Nakreslete a
vysvětlete schéma aktivního filtru s rozprost
Ve vyšších kmitočtových pásmech přestávají mít pasivní prvky (
charakter soustředěných prvků a mluvíme o filtrech s rozprost
parametry (FRP). Tyto filtry mohou být jak
aktivní ARC. Vyrábějí se v tenko i v tlustovrstvé technologii obvod
vysokou integrací.
ů (EMF) je určena
ční soustavou.
ky (VP) resp. oblasti. Realizace
měniče (M), zajišťující
řeměnu kmitů z
cké. Piezoelektrický
čků (1 a
-Ni).Složením slitin a jejich teplotním
TK f0. Mechanické kmity v
řenými parametry.
R, L a C)
řenými
čistě pasivní, nejčastěji RC, tak i
ů s
Vloženo: 24.04.2009
Velikost: 1,32 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu BELF - Elektrické filtry
Reference vyučujících předmětu BELF - Elektrické filtry
Podobné materiály
- BMVE - Měření v elektrotechnice - tahacek A
- BMVE - Měření v elektrotechnice - tahacek B
- BMVE - Měření v elektrotechnice - tahacek E
- BMVE - Měření v elektrotechnice - tahacek F
- MPPR - Počítačem podporovaná řešení inženýrských problémů - tahacek_all
- BDOM - Digitální obvody a mikroprocesory - Taháček
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Taháček
Copyright 2024 unium.cz