- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
beso-otazky
BESO - Elektronické součástky
Hodnocení materiálu:
Vyučující: doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiállosti na napětí.
MISFET (metal-insulator-semiconductor field-effect transistor)
tranzistor řízený elektrickým polem s hradlem
izolovaným tenkou vrstvou dielektrika – nemusí být
nutně oxid křemíku
33. Typy tranzistorů MOSFET: struktury (obrázky), princip činnosti.
MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
tranzistor řízený elektrickým polem s hradlem izolovaným
tenkou vrstvou dielektrika – oxidu křemičitého
34. Kvalitativní odvození tvaru výstupní charakteristiky tranzistoru MOSFET (tvar kanálu, resp. ochuzené
vrstvy v různých bodech charakteristiky – náčrtek).
35. Výstupní a převodní charakteristiky tranzistoru MOSFET z indukovaným a trvalým kanálem typu n,
základní parametry (prahové napětí, proud IDSS), režimy činnosti.
36. Tranzistor JFET a MOSFET jako dvojbran: y-parametry, jejich význam, grafické určení z charakteristik, výpočet z rovnic charakteristik (strmost, výstupní vodivost).
37. Tranzistory MESFET: struktura, princip činnosti.
MESFET (metal-semiconductor field-effect transistor)
tranzistor s přechodovým hradlem – hradlo izolováno
závěrnou vrstvou přechodu kov-polovodič
38. Tranzistory HEMT: struktura, princip činnosti, základní vlastnosti.
HEMT (high-electron-mobility transistor)
transistor s vysokou pohyblivostí elektronů
39. Tyristor: struktura, voltampérové charakteristiky, režimy činnosti.
40. Způsoby sepnutí tyristoru (rozlišit prakticky používané a nežádoucí), způsoby vypnutí tyristoru.
41. Tyristorový jev: vysvětlení jevu mikroskopické a pomocí ekvivalentního obvodu.
42. Triak: voltampérová charakteristika, základní vlastnosti, způsoby spínání.
Sepnutí triaku:
Sepnutí triaku přivedením záporného napětí na hradlo:
Sepnutí triaku přivedením kladného napětí na hradlo:
(tzv. řízení do vzdálené báze)
Sepnutí triaku přivedením záporného napětí na hradlo:
Sepnutí triaku přivedením kladného napětí na hradlo:
(tzv. řízení do blízké báze)
43. Diak: voltampérová charakteristika, základní vlastnosti.
44. Tranzistory IGBT: typy tranzistorů IGBT, princip a režimy činnosti, voltampérové charakteristiky.
Režimy činnosti:
Struktura NPT-IGBT (non-punch-through)
základní struktura, symetrická struktura
Struktura PT-IGBT (punch-through)
nesymetrická struktura, struktura se stlačeným polem
OPTOELEKTRONICKÉ SOUČÁSTKY
45. Absorpce záření v polovodičích: mechanismy absorpce, absorpční koeficient, hloubka vniku, absorpční hrana.
46. Vnitřní fotoelektrický jev, vodivost osvětleného a neosvětleného polovodiče.
47. Dynamika fotovodivosti: proudová odezva na světelné impulsy.
48. Fotodioda s přechodem pn: princip činnosti, voltampérové .charakteristiky a režimy činnosti.
49. Fotodioda PIN: princip činnosti, základní vlastnosti.
50. Lavinová fotodioda: princip činnosti, základní vlastnosti.
51. Schottkyho fotodioda: princip činnosti, základní vlastnosti.
52. Fototranzistory: princip činnosti, základní vlastnosti.
53. Fototyristor optotyrístor, optotriak: princip činnosti, základní vlastnosti.
54. Elektroluminiscenční diody: princip činnosti, charakteristiky.
55. Dvojitá heterostruktura jako základní struktura LED a polovodičových laserů: vlastnosti.
Dioda:Laser:
56. Obecný princip laseru: aktivní prostředí, stimulovaná emise, optický rezonátor, vlastnostyi laserového
záření.
57. Injekční polovodičový laser: princip činnosti, podmínky nutné pro generaci laserového záření a jejich
realizace ve struktuře polovodičového laseru,
58. Injekční polovodičový laser: závislost zářivého výkonu na budicím proudu, spektrum záření v závislosti na budicím proudu.
59. Optoelektronický oddělovací člen (optron): princip, příklad zapojení.
60. Optické vlnovody: typy vlnovodů, princip přenosu světla vlnovodem.
Vloženo: 18.05.2009
Velikost: 3,80 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2024 unium.cz