- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
beso-otazky
BESO - Elektronické součástky
Hodnocení materiálu:
Vyučující: doc. Ing. Jaroslav Boušek CSc.
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálé struktuře.
2. Přechod kov-polovodič (MS, MP, MN) - podle velikosti výstupních prací obou materiálů mů.e mít
tento přechod jak usměrňující, tak i neusměrňující vlastnosti.
3. Přechody kov-izolant-polovodič (MIS) [metal-insulator-semiconductor] - nacházíme u unipolárních
tranzistorů, jeho vlastnosti jsou dosti odlišné od všech výše uvedených.
PLOVODIČOVÉ DIODY
13. Voltampérová charakteristika reálné polovodičové diody – odchylky průběhu od charakteristiky
ideálního pn přechodu (graficky).
14. Kapacitní diody: bariérová kapacita přechodu pn (vznik, závislost na napětí), varikap, varaktor.
Kapacitní diody (varikapy, varaktory)
15. Usměrňovací diody: přechod pn s velkým sinusovým napětím nízkofrekvenčním a vysokofrekvenčním, usměrňovač jednocestný a dvojcestný (schéma zapojení, vysvětlení činnosti).
16. Spínací diody: přechod pn v impulsovém režimu – časový průběh proudu a napětí na přechodu při
přepnutí ze závěrného do propustného směru a opačně (grafy, charakteristické doby), speciální typy
spínacích diod.
17. Stabilizační diody, stabilizace napětí: voltampérová charakteristika, parametry, princip stabilizace napětí (schéma zapojení, vysvětlení pomocí charakteristiky).
18. Modely polovodičových diod: linearizovaný model pro modelování voltampérové charakteristiky,
linearizovaný model polovodičové diody se stejnosměrným předpětím a malým střídavým signálem
v propustném a v závěrném směru.
BIPOLARNÍ TRANZISTORY
19. Fyzikální princip činnosti bipolárního tranzistoru (tzv. tranzistorový jev).
20. Základní konstrukční požadavky na strukturu bipolárního tranzistoru.
21. Režimy činnosti bipolárního tranzistoru: definice, pásové diagramy, vyznačení režimů ve výstupních
charakteristikách SE.
22. Základní zapojení bipolárního tranzistoru (SE, SB, SC) a jejich vlastnosti.
23. Vstupní a výstupní charakteristiky tranzistoru v zapojení SE, SB, SC – grafy.
24. První a druhý průraz tranzistoru: fyzikální mechanismus, znázornění v charakteristikách, závislost
průrazného napětí UBRCE na zapojení smyčky EB.
25. Bipolární tranzistor jako dvojbran: hybridní parametry – jejich význam, grafické určení z charakteristik, výpočet h11E , h22E , linearizovaný ekvivalentní obvod.
26. Proudový zesilovací činitel ß= h21e: definice, závislost na kolektorovém proudu (graf), na teplotě (graf), na kmitočtu (graf), na koncentraci příměsí v emitoru a v bázi.
27. Statický Ebersův-Mollův model: schéma zapojení, parametry, princip, zjednodušení pro aktivní normální režim, dynamický odpor emitoru a báze.
28. Mezní kmitočty bipolárního tranzistoru: definice, graf závislosti |h21e|, |h21b| na kmitočtu.
29. Stabilizace pracovního bodu bipolárního tranzistoru: vysvětlení mechanismu stabilizace pro různá
zapojení.
Stabilizace pracovního bodu emitorovým odporem RE Stabilizace pracovního bodu odporem RB
- kolektorová zpětná vazba (napěťová, paralelní)
Stabilizace pracovního bodu odpory RE , RB
- současné působení emitorové a kolektorové zpětné vazby
Stabilizace pracovního bodu pomocí děliče (RB1 , RB2):
Stabilizace pracovního bodu pomocí referenční diody
TRANZISTORY ŘÍZENÉ ELEKTRICKÝM POLEM
30. Tranzistory JFET: struktura, princip činnosti – kvalitativní odvození tvaru výstupní charakteristiky (tvar kanálu, resp. ochuzené vrstvy v různých bodech charakteristiky – náčrtek).
JFET (junction field-effect transistor)
tranzistor s přechodovým hradlem – hradlo izolováno
závěrnou vrstvou přechodu pn
31. Výstupní a převodní charakteristiky tranzistoru JFET, základní parametry (prahové napětí, proud IDSS),
režimy činnosti.
32. Struktura MIS: pásový diagram, vznik obohacené, ochuzené a inverzní vrstvy, kapacita struktury MIS
v závis
Vloženo: 18.05.2009
Velikost: 3,80 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2024 unium.cz