vyp.otazky.opto

ných elektronů a děr se mnohonásobně zvýší lavinovým násobením v lavinové oblasti součástky - vysoké zesílení primárního fotoproudu –vysoký vnitřní (optický) zisk. Lavinové násobení vyžaduje silné elektrické pole (105 až 106 V/cm), struktura pracuje na hranici lavinového průrazu, proto lavinové diody potřebují poměrně vysoké napájecí napětí. V důsledku režimu lavinového násobení se lavinové diody vyznačují vyšší hladinou šumu, avšak vzhledem k velkému zesílení primárního fotoproudu je poměr signál/šum rovněž vysoký. Velký procházející proud může způsobit přílišné zahřívání struktury.
50)MBED PBrush 51)52)
51. Schottkyho fotodioda: princip činnosti, základní vlastnosti:
Vlastnosti: malá plocha přechodu (přibližně 103 mikrometrů2 ) ›malá kapacita silné el. pole v tenké ochuzené vrstvě (menší nebo rovna1 mikrometr) extrémně vysoká rychlost odezvy – Schottkyho diody jsou použitelné až do 150 GHz
52. Fototranzistory: princip činnosti, základní vlastnosti:
Vlastnosti
Tranzistorový jev způsobuje vysoké zesílení primárního fotoproudu (= vysoký optický zisk). Velká kapacita přechodů BC, BE způsobuje, že fototranzistor je poměrně pomalý (rychlost odezvy je nízká). Fototranzistory většinou nemají kontakt báze, pracují v režimu báze naprázdno. Temný proud je velmi nízký (zbytkový proud ICE0). Šum fototranzistoru je nízký (zejména ve srovnání s lavinovými diodami, které rovněž mají vysoký vnitřní zisk). • Vliv předpětí BE (pokud existuje elektroda báze): s rostoucím UBE roste optický zisk a rychlost odezvy (pokud se nezačnou projevovat efekty silné injekce); současně se však zvyšuje i temný proud.
53. Fototyristor optotyrístor, optotriak: princip činnosti, základní vlastnosti:
Fototyristor a optotyristory jsou výkonové spínací součástky, které se z blokovacího stavu do sepnutého stavu přivádějí světelným signálem. Fototyristory potřebují vnější zdroj světla. Optotyristory mají zdroj světla integrovaný ve svém pouzdře; Světelné záření vyvolává generaci pár ů elektron-díra v závěrné vrstvě přechodu J2. El. pole přechodu J2 převádí elektrony do vrstvy N1, jejich záporný prostorový náboj způsobuje větší otevření přechodu J1. El. pole přechodu J2 převádí díry do vrstvy P2, jejich kladný prostorový náboj způsobuje větší otevření přechodu J3. Přechody J1 a J3 vstřikují více minoritních nosičů do přilehlých vrstev a dochází k sepnutí tyristoru.
54. Elektroluminiscenční diody: princip činnosti, charakteristiky:
Princip: Dioda s přechodem pn s napětím přiloženým v propustném směru – elektrony a díry jsou vstřikovány proti sobě přes přechod, setkávají se a rekombinují. Pro emisi záření je významná zářivá rekombinace, při níž vzniká foton elektromagnetického záření, zpravidla ve viditelné nebo blízké infračervené oblasti.
55. Dvojitá heterostruktura jako základní struktura LED a polovodičových laserů