Taháky, semestrálky, apod.

ronické technol.: polovodičové(Si technologie-oxidace,metalizace,,GaAs technologie-nad 150°, vrstvové-tenko(1nm-1µm) a tlustovrstvé(využívá sítotiskové pasty,1až desítky µm)
Technologie tlustých vrstev-TLV:dnes pro nekonvenční aplik.Tlustovrstvé senzory rozlišujeme na: senzory založené na obvodovém principu a nebo na vlastnostech past.Výroba:sítotisk (je nenáročný,nevakuový způsob nanášení tixotropních materiálů, vrstvy se vytvářejí tiskem pasty na očištěný substrát přes sítotiskovou šablonu, která určuje výsledný obrazec), drop coating, elektrodepozi .Vrstvy se tisknou na sítotiskové šablony: na korundové, nitridové, zinkové keramiky, sklo, ocel, polymerní fólie, povrch musí bít rovný a čistý. Podle materiálu substrátu můžeme rozlišit dva základní typy tlustovrstvé technologie: Fermežová nebo Polymerní tlustovrstvá technologie. Proces vytváření: přizpůsobení pastě a okolí, tisk, doba ustálení pasty cca10min, zasušení cca135°, výpal cca850° (každá pasta (vrstva) se obv.vypaluje zvlášt, odpory se vypalují většin.nakonec) Standardní pasty např.vyrábí se termočlánky,Rozlišují se na: vodivé pasty-cermetové,polymerní; rezistorové pasty-cermetové, polymerní rezistorové materiály; dielektrické -keramika a sklo, polymery. Speciální pasty: Piezoelektrické (na bázi PZT-olovo,zirkon,titan),Citlivé na vlhkost,Chemicky citlivé, Biocitlivé, Termorezistivní(NTC,PTC),Magnetorezistivní(na bázi Ni), Feromagnetické,Pyroelektrické(na bázi LiTaO3),Piezorezistivní(cementové piezorezistivní pasty)
Technologie tenkých vrstev-TNV(označovány všechny techniky jež umožňují depozici anorganických vrstev s tloušťkou do 1 µm fyzikálními metodami: naprašování (sputtering), vakuové
napařování (CVD), elektrochemická depozice, Sol-gel technik, laserové depozice
Naprašování- energie, které převyšují vazební energie atomů způsobují zatlačení atomové mřížky do nové pozice, atomy jsou tlačené k povrchu a migrují v povrchových vrstvách kde dochází k defektům. Energie převyšující 4H (H = sublimační teplo bombardovaného materiálu) způsobí dislokace atomů a jejich vypuzení do plynové fáze (odpaření)).Naprašování je výsledek posloupných binárních kolizí iontů s atomy plynů takto odpařených. Vzniká plazma. DC naprašování:•atom uvolněný do plynové fáze vytvoří iont interakcí s elektrony,•vzniká plazma unášené od targetu k substrátu elektrostatickým polem,•kladné ionty plynu vznikající ve výboji jsou unášeny směrem ke katodě a dopadají na ní téměř rychlostí,kterou získaly v prostoru katodového spádu•nejjednodušší naprašování. Magnetronové naprašování: •target a napravovacím materiálem je během procesu umístěn v silném magnetickém poli•dociluje se mnohem koncentrovanější depozice díky směrováním částic vlivem magnetického pole do středu•nedochází k neefektivnímu rozptylu částic do krajů depoziční komory. Napařování•vákuové napařování (CVD) •nejjednoduší technologie výroby tenkých vrstev •několik typů:dekompozice, polymerizace, redukce, oxidace,disproporce.
Elektrochemická depozice:•depozicí v kapalných a nekapalných mediích•jednoduchá a levná •Faradayův zákon l/t=JEα/ρ[cm.s-1];J-proudová hustota,E-elektrochemický ekvivalent;α-účinnost proudu; ρ-hustota materiálu v deponované vrstvě •výhodná právě pro depozici pomocí masky, odpadá selektivní leptání.
Základy polovodičových technologií •Zanášení navržené topologie do polovodivých materiálů (substrátů) je velmi rozpracovaná technolog.skládající se z mnoha technolog. kroků podle toho, co je cílem výroby. Každý krok může být prováděn jinou technologií•Tažení monokrystalu polovodiče a jeho řezání na tzv.salámky. Elektronová litografie -vytváření masek, vysoká cena, realizace submikronových rozměrů, inspirováno rastrovacím elektronovým mikroskopem Selektivní leptání(vytváření děr-jámy, tvar jámy záleží na orientaci Si). Naprašování a napařování vrstev. Pouzdření(keramická, plastová, kovová pouzdra, svařování, zdvojování drátků,lepením)
Odporové senzory: obecné vlastnosti: Skupina odpor.senzorů je velmi rozsáhlá a patří do třídy snímačů pasivních. Obvod je nejčastěji zapojen jako vyvážený nebo nevyvážený můstek. Velkou výhodou odpor.senzorů je jejich jednoduchost. Je nutné uvažovat parazit.kapacitu Cp, Musí platit: Rs