Shrnutí

není zpětným přenosem vůbec ovlivněn kmitočtový průběh vstupní admitance.
Za těchto okolností má i externí přenos v kmitočtovém. pásmu pod tranzitním kmitočtem tranzistoru jediný zlom odpovídající pólu provozního přenosu.
Úvahy o volbě stabilizačního zapojení
Vraťme se k obr. 3.20 a posuďme realizovatelnost, resp. použitelnost a účinnost
stabilizace u jednotlivých zapojení.
Zapojení a) stabilizuje nejúčinněji, je zcela univerzální, použitelné pro jakýkoliv tranzistor; nebude vhodné jen pro výkonové obvody pro velkou výkonovou ztrátu ve „zdroji proudu".
Zapojení podle obr. b) je méně účinné, ale nevyžaduje žádné speciální součásti; dá se použít i v integrovaných strukturách i v obvodech s libovolnými diskrétními tranzistory.
Zdroj referenčního napětí UR v b) se dá nahradit odporovým děličem připojeným k napájecímu zdroji UB; výstupní odpor děliče musí být zahrnut do RB; v takovém případě k napájení obvodu postačí jediný napájecí zdroj.
Zdroj stejnosměrného referenčního napětí v b) se dá ze vstupu přeřadit do výstupního okruhu proudu tak, by zůstal v sérii s RE, v tom případě bude jediný rozdíl mezi zapojením a) a b) v paralelně připojeném rezistoru RE
Zapojení c) je zřejmě nejméně účinné a dá se použít jen se značně omezeným výběrem FETů.
3.2.1 Přiřazení stabilizačního obvodu k obvodům SE, SC, SB
V následující části budeme hledat možnosti přiřadit stabilizační obvody podle obr. 3.20
a) a. b) k základním zapojením zesilovačů SE, SC, SB, resp. SS, SD, SG tak, aby celkový
obvod mohl vždy současně plnit obě funkce - zesilovací i stabilizační. Obě funkce uvedených
základních zapojení lze spojit vždy, kdy mají být zesilovány jen střídavé signály. Zesilovač
střídavých signálů v zapojení SE (SS) pak může být zapojen podle obr. 3.21. Zapojení na obr.
a) a b) mohou být realizována s jakýmkoliv tranzistorem, zapojení c) (bez přídavného
předpětí) je schopné pracovat jen s JFETy nebo MOSFETy se zabudovaným kanálem.
Zásady profesionálního nastavení pracovního bodu
Pro dosažení stálých vlastností přenosového obvodu je nedůležitější dostatečně přesně nastavit a trvale udržet emitorový proud tranzistoru.
Změny kolektorového napětí málo ovlivní lineární parametry kromě bariérových kapacit přechodů PN.
Veliké kolektorové napětí má smysl volit jen u zesilovačů s velmi vysokým horním mezním kmitočtem.
U galvanicky úplné odděleného jednoduchého zesilovacího stupně výše uvedeným podmínkám vyhovuje tzv. můstkové zapojení napájecího obvodu podle obr. 3.21 b) nebo obr. 3.22 b) a c).
Pro galvanicky vázané zesilovače má smysl používat pouze zesilovací stupně s dvojicí monoliticky integrovaných tranzistorů v zapojení podle obr. 3.23 nebo obr. 3.24.
Velikost klidového proudu a napětí na výstupu je mj. vázána na očekávaný rozkmit obou výstupních veličin.
Všechny uzly každé elektronické součástky musejí mít jednoznačně definováno klidové napětí.