- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
Sem-test2
BNEZ - Napájení elektronických zařízení
Hodnocení materiálu:
Vyučující: Ing. Jiří Šebesta Ph.D.
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálorový proud 3 A je 0,7 V. Výstupní napětí
stabilizátoru je 10 V při proudu I
2
= 3 A. Určete také napájecí napětí stabilizátoru. Vzhledem k velkému zesilovacímu
činiteli tranzistoru uvažujte, že h
21E
= I
E
/ I
B
.
P3. Jaká je maximální trvalá výkonová ztráta (nedojde k tepelnému poškození Si-čipu), jeli teplota okolí 0°C, 25°C a
50°C? Tepelný odpor přechod (čip) - pouzdro stabilizátoru je 5 K/W, tepelný odpor přechod (čip) - okolí je 50 K/W.
P4. Navrhněte typ vhodného Q jádra síťového transformátoru v impregnovaném provedení, je-li požadováno
sekundární napětí 20 V a proud 17 A. Pracovní teplota okolí je 25°C a maximální dovolený nárůst teploty je 60°C.
Určete počet závitů primárního a sekundárního vinutí.
ϑ
s
[
o
C] 25 40 45 50 55 60 65 70
ΔP [%] +14 0 -7 -13 -20 -27 -33 -40
P [VA]
pro Δϑ [
o
C]
ΔU [%]
pro Δϑ
s
[
o
C]
neimpreg. impreg. ϑ
Vloženo: 11.01.2010
Velikost: 392,33 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz
