- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
protokol_optoelektronicke_soucastky1
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálny typu AIIIBV, jako např. GaAs, GaP, GaAsP a další. Luminiscenční dioda je tvořena přechodem PN, který je v provozu polarizován v propustném směru.
Nosiče proudu injektované do oblasti přechodu rekombinují, čímž vzniká záření určité vlnové délky. Frekvence emitovaného fotonu splňuje podmínku:
(1)
kde Planckova konstanta h=6,62.10-34 J.s, , elementární náboj e =1,6.10-19 a kde eU je rozdíl Fermiho kvasienergií oblastí N a P.
K detekci dopadajícího elmag. Záření lze užít buď běžnou fotodiodu, fotodiodu PIN nebo fototranzistor. V oblasti přechodu se objeví dvojice nosičů elektron – díra, které jsou vnitřním elektrickým polem, jež je zde přítomno, od s
Vloženo: 18.05.2009
Velikost: 172,50 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2025 unium.cz
