Studijní materiály

Zpět

Hromadně přidat materiály

polovodiče

BESO - Elektronické součástky

Hodnocení materiálu:

Zjednodušená ukázka:

Stáhnout celý tento materiál

ě - UD
c) dynamický odpor diody - rD
d) napětí pro náhradní linearizovaný model.
a) b) Při daném proudu diodou je napětí na diodě určeno velikostí jejího saturačního proudu, který se může měnit v rozsahu několika řádů. Protože závislost UD= f( ID) je logaritmická stačí v prvním přiblížení pouze řádový odhad proudu protékajícího diodou ID= (UN - UD)/R. Úbytek napětí na diodě může být dle typu diody v rozmezí asi 0,1 – 1,5 V, jeho velkost však řádovou velikost proudu neovlivní. V prvním kroku tedy můžeme zvolit UD libovolně v uvedeném rozmezí (nejlépe ID= 0,6 V). V dalším kroku je možné obdržet přesnější hodnoty proudu i napětí použitím hodnoty UD získané výpočtem.
Poznámka: Typ diody lze odhadnout i z velikosti (řádu) saturačního proudu (IOSi ... 10-12A, IOGe ... 10-9A).
c) dosadíme do vztahu rd= UT / ID
d) U0 odvodíme z velikosti UD. U=Ut*ln(1+I/Io), kde Io je zadané a I se vypočítá odhadem, je v textu nahoře. Ut=25,9miliV.
3. Co je to vlastní (intrinzická) koncentrace nosičů v polovodiči? Uveďte závislost na teplotě a šířce zakázaného pásu a orientační hodn

Stáhnout celý tento materiál

Předchozí

1 2 3

Další

Vloženo: 4.06.2009

Velikost: 26,00 kB

Stáhnout celý tento materiál

Komentáře

Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.

Mohlo by tě zajímat:

Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky

Podobné materiály