- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiál1. Vlastnosti polovodičových součástek
Otázky a příklady:
1. Dvě křemíkové diody se liší pouze plochou PN přechodu. Dioda D1 má plochu přechodu dvakrát větší, než dioda D2. V jakém poměru budou jejich diferenciální odpory, jestliže na obou diodách bude přiloženo stejné napětí v propustném směru. Stručně vysvětlete proč.
Proudová hustota na přechodu je ovlivněna použitým materiálem, technologií přechodu a jeho plochou – zahrnujeme do konstany I0, označované jako saturační proud. Při daném napětí lze proud přechodem vyjádřit pomocí Shockleyho rovnice ID = I0 [exp (UD/UT)-1] - viz skripta str. 61-64. Diodou D1 s dvojnásobnou plochou bude při stejném napětí protékat dvojnásobný proud oproti diodě D2, neboť I01=2*I02.Výraz pro diferenciální odpor (rd= UT / ID ) získáme derivací závislosti UD = f (ID) podle ID . Diferenciální odpor bude tedy u diody D1 poloviční oproti diodě D2.
2. Polovodičová dioda je zapojená seriově s rezistorem R = 1k. Tato seriová kombinace je připojena na napětí UN = 3V. Známe Io = 10e-9A /25deg.C. Vypočtěte: a) proud protékající diodou - ID b) napětí na diodě - UD c) dynamický odpor diody - rD d) napětí pro náhradní linearizovaný model.O jakou diodu se pravděpodobně jedná?
a) b) Při daném proudu diodou je napětí na diodě určeno velikostí jejího saturačního proudu, který se může měnit v rozsahu několika řádů. Protože závislost UD= f( ID) je logaritmická stačí v prvním přiblížení pouze řádový odhad proudu protékajícího diodou ID= (UN - UD)/R. Úbytek napětí na diodě může být dle typu diody v rozmezí asi 0,1 – 1,5 V, jeho velkost však řádovou velikost proudu neovlivní. V prvním kroku tedy můžeme zvolit UD libovolně v uvedeném rozmezí (nejlépe ID= 0,6 V). V dalším kroku je možné obdržet přesnější hodnoty proudu i napětí použitím hodnoty UD získané výpočtem. Poznámka: Typ diody lze odhadnout i z velikosti (řádu) saturačního proudu (IOSi ... 10-12A, IOGe ... 10-9A). c) dosadíme do vztahu rd= UT / IDd) U0 odvodíme z velikosti UD.
3. Co je to vlastní (intrinzická) koncentrace nosičů v polovodiči? Uveďte závislost na teplotě a šířce zakázaného pásu a orientační hodnoty pro Si a Ge při pokojové teplotě.
U čistých (nedotovaných) polovodičů jsou za temna elektrony uvolňovány do vodivostního pásu pouze na základě tepelné generace. Ke každému elektronu ve vodivostním pásu přísluší díra v pásu valenčním. Počet elektronů a děr je tedy stejný. Tento počet vztažený na jednotku objemu označujeme jako intrinzická koncentrace - více než exponenciálně roste s teplotou a exponenciálně klesá se šířkou zakázaného pásu. (viz. skripta str.43- 45) 4. Vysvětlete mechanismus fotovodivosti. Jak závisí fotovodivost na dopadajícím světelném záření?
Pokud je energie fotonu dopadajícího na povrch polovodiče větší než energie odpovídající šířce zakázaného pásu může dojít ke generaci páru elektron díra. Tak se zvýší koncentrace volných nosičů v polovodiči a tedy i jeho schopnost vést elektrický proud. Koncentrace vygenerovaných nosičů i fotovodivost jsou přímo úměrné intenzitě dopadajícího záření. Pokud je energie fotonu záření výrazně větší než šířka zakázaného pásu zmenšuje se hloubka vniku záření do polovodiče (odpovídá zhruba vlnové délce záření) a tím i účinnost generace.
2. Vlastnosti polovodičů
Otázky a příklady:
1. a) Co jsou polovodiče nevlastní. b) Proč je používáme. c) Jakým způsobem se vyrábějí?
a) Nevlastní polovodiče vznikají zavedením příměsí pětimocných (N) nebo trojmocných (P) atomů do struktury polovodiče. Pětimocné atomy elektrony snadno uvolňují, trojmocné je snadno vážou, takže za běžných teplot je koncentrace takto vzniklých nosičů určena koncentraci příměsí a je v poměrně velkém rozsahu teplot na teplotě nezávislá (viz skripta, str. 39 - 40).
b) Interakcí oblastí P a N vzniká polovodičový přechod, který je základním prvkem většiny elektronických součástek.
c) Klasická technologie zavádění příměsí je difúze, modernější iontová implantace a depozice z plynné fáze.
2. a) Definujte pohyblivost nosičů. b) Jaký je její rozměr? c) Jak závisí na koncentraci příměsí?
a) Rychlost pohybu nosičů elektrického proudu v polovodiči je při malé intenzitě elektrického pole (E < 104 V/ m) přímo úměrná intenzitě elektrického pole, které tento pohyb působí. Konstantu úměrnosti označujeme jako pohyblivost nosičů.
b) Rozměr musí být m2V-1 s –1, po vynásobení V m-1 má výsledek rozměr ms-1.
c) Od koncentrace příměsí asi 1017cm3 výrazně klesá. Při nízkých koncentracích příměsí je na koncentraci příměsí závislá velmi málo ( skripta str. 48 – 49).
3. Dva vzorky stejného polovodiče (Si), jeden typu P a jeden typu N jsou homogenně dotovány příměsemi, tak že platí ND = NA. Který vzorek má větší měrný odpor? Zdůvodněte!
Vzhledem k mechanismu pohybu děr je pohyblivost děr vždy menší, než pohyblivost elektronů, u Si dokonce velmi výrazně. Větší měrný odpor tedy bude mít vzorek s děrovou vodivostí – polovodič typu P.
4. a) Nakreslete typickou teplotní závislost koncentrace nosičů (t.j děr i elektronů) pro polovodič typu N s koncentrací příměsí ND >> ni. Rozmezí teplot volte tak, aby se uplatnily příslušné aktivační energie. b) V jakém vztahu k tomuto grafu jsou šířka zakázaného pásu polovodiče, poloha Fermiho hladiny (energie) a aktivační energie příměsí ?
a) Viz obr. 1.11 na str.41. K aktivaci příměsí dochází již při nízkých teplotách nad teplotou asi 70 K jsou již všechny příměsi aktivovány. Je patrné, že v poměrně velkém rozmezí teplot se koncentrace majoritních nosičů výrazně nemění. V tomto rozsahu teplot lze součástku běžně používat. Při vysokých teplotách se začíná uplatňovat tepelná generace nosičů a koncentrace nosičů – elektronů i děr prudce roste, materiál se začne chovat jako polovodič vlastní.
b) Šířkou zakázaného pásu je určena teplota, při které se začne uplatňovat tepelná generace nosičů.
Poloha Fermiho energie vyjadřuje obsazení energetických stavů ve vodivostním a valenčním pásu. Pokud je koncentrace elektronů a děr stejná (při velmi nízkých a velmi vysokých teplotách) leží Fermiho energie zhruba v polovině zakázaného pásu. V rozmezí teplot, kde je koncentrace nosičů určena koncentrací příměsí se Fermiho energie posunuje směrem k příslušnému pásu – k vodivostnímu v případě polovodiče typu N a k valenčnímu u typu P.
Aktivační energie příměsí ovlivňuje chování v oblasti velmi nízkých teplot. U běžných příměsí typu P i N nabývá přibližně stejné hodnoty kolem 40 meV (posun od okraje pásu).
5. Jak u polovodičů závisí velikosti Fermiho energie (její poloha oproti okrajům zakázaného pásu) : a) na typu a koncentraci příměsí? b) na teplotě? Viz př. 2b)
a) U polovodiče typu N se pohybuje směrem k vodivostnímu pásu a je těsně pod ním o 0,044eV, v polovodiči typu P se fermiho hladina posouvá těsně nad valenční pás o 0,045eV.
b) Fermiho hladina se posunuje sevzrůstající teplotou i se vzrůstajícíkoncentrací příměsí nahoru v polovodiči typu N
a dolů v polovodiči typu P.
3.Polovodičový přechod, dioda
1. a) Načrtněte, jak se změní energetický pásový diagram PN přechodu (Si) při přiložení závěrného napětí (3 V).
b) Jakým směrem působí závěrné a difúzní napětí na PN přechodu?
Po přiložení závěrného napětí se energetický rozdíl mezi pásy zvětší, neboť difúzní a závěrné napětí má stejný směr.
c) Vyznačte do pásového diagramu velikost difúzního a závěrného napětí.
Je to v diagramu qU. Pásový diagram přechodu PN viz. skripta str. 56, 61, 69. Po přiložení závěrného napětí se energetický rozdíl mezi pásy zvětší, neboť difúzní a závěrné napětí má stejný směr.
2. a) Vysvětlete pojem doba života nosičů. Jakých hodnot nabývá u běžných polovodičů? b) Jak ovlivňuje struktura polovodiče její velikost? c) Které parametry polovodičové diody a bipolárního tranzistoru doba života ovlivňuje?
Je to střední doba existence nosičů od generace do okamžiku rekombinace. U běžných polovodičů nabývá hodnoty kolem 10-6 s , u velmi čistých krystalů 10-3 s.
b) U polovodičů se strukturními poruchami nebo úmyslně zavedenými rekombinačními centry může klesnout až k 10-9 s.
c) U polovodičové diody ovlivňuje rychlost rozepnutí (odstranění náboje akumulovaného v kvazineutrálních oblastech přechodu) a velikost závěrného proud (viz.př.5.). U bipolárního tranzistoru je důležitá rekombinace v bázi – při zavedení rekombinačních center se zrychluje rozepnutí ovšem za cenu podstatného zmenšení proudového zesilovacího činitele a zvětšení zbytkových proudů tranzistoru
3. Na čem závisí saturační proud diody a jak?
Závislost je zřejmá ze Shocklyho rovnice. Nejvýznamněji se projevuje závislost na použitém materiálu (ni2) a koncentraci příměsí. Výzmamnou roli hraje také doba života nosičů – liší se u diod pro různé oblasi použit viz př.2. Zvýšením koncentrace příměsí lze např. u germaniových diod dosáhnout malých závěrných proudů ovšem za cenu podstatného snížení závěrného napětí.
4. a) Na čem a jak závisí závěrný proud polovodičové diody. (b) Jaká je souvislost mezi závěrným a saturačním proudem polovodičové diody )?
a) Závěrný proud diody je v podstatě určen proudem saturačním. Uplatňuje se však vliv generace, svodových proudů a konečné hodnoty průrazného napětí. Skutečný průběh se tedy přibližuje teoretickému pouze u germaniové diody
b) V závěrném směru v ideálním případě diodou může protékat jenom saturační proud.
5. a) Jakými parametry se obvykle liší spínací diody od běžných diod se stejným závěrným napětím a maximálním proudem diody IDmax. b) Vysvětlete.
Pro zrychlení rozepnutí jsou do diody zavedeny příměsi (Au) způsobující zrychlení rekombinace. Menší doba života nosičů má však za následek zvýšení saturačního a tím i závěrného proudu (IO ~ tau-1/2) viz str.62-63.
6. Dioda D1 má koncentraci příměsí ND = 1016cm -3, NA = 1016cm -3, dioda D2 má koncentraci příměsí ND = 1016cm -3 , NA = 1014cm -3. Která z diod bude mít větší průrazné napětí a která větší hodnotu saturačního proudu? Vysvětlete proč.
Průrazné napětí závisí na šířce přechodu. Ta bude větší u diody s menší koncentrací příměsí.
Saturační proud je nepřímo úměrný koncentraci příměsí – opět bude výrazně větší u diodyD2 s menší koncentrací příměsí v oblasti P.
4. Polovodičová dioda
1.a) Vysvětlete pojem "bariérová kapacita diody".
PN přechod vytváří v polovodičové struktuře bariérovou kapacitu Cj vytvořenou dvojvrstvou prostorového náboje v depletiční vrstvě. Převažuje v závěrném směru.
b) Jak se projevuje u reálných součástek?
Kapacita přechodu se uplatňuje při časově proměnném signálu. Při některých aplikacích omezuje kapacita součástky její použití (usměrňovače, spínače), jindy naopak kapacitu součástky využíváme pro funkci obvodu (kapacitní dioda)
b)Například u spínacích diod způsobuje svody v rozepnutém stavu (parazitní vlastnosti). U tranzistoru může způsobovat opžděné rozepnutí apod.
c) Jak závisí její velikost na konstrukci diody a na provozních podmínkách?
Závisí na: ploše přechodu A, koncentraci NA a ND, velikosti přiloženého napětí ~U-1/2
2. a) Vysvětlete pojem "difúzní kapacita diody".
PN přechod vytváří v polovodičové struktuře difúzní kapacitu tvořenou akumulací náboje v důsledku průchodu proudu (změnou akumulovaného náboje minoritních nosičů vstřikovaných do kvazineutrálních oblastí diody při změně napětí). Převažuje v propustném směru.
b) Na čem závisí difúzní kapacita diody?
Difuzní kapacita závisí na proudu diodou a tudíž na přiloženém napětí, na době života nostiču(kompenzace zkrácení doby života rekombinačními centry apod.), a klesá s teplotou 30°C je asi 10%.
c) Jak se projevuje u reálných součástek?
U spínacích prvku prodlužuje dobu rozepnutí.
3. Vyjmenujte druhy průrazu PN přechodu v závěrném směru a stručně je definujte. Závisí průrazné napětí na teplotě? Jak?
Nedestruktivní:
-Lavinový průraz: Přechod je mnohem širší než střední volná dráha elektronu. Teplotní součinitel průrazného napětí je kladný tzn. průrazné napětí se s rostoucí teplotou zvyšuje. ur >6EG/q
- Tunelový (Zeyerův) průraz: Musí být velmi úzký přechod(=potenciálová bariéra) EG se s rostoucí teplotou zmenšuje = > průrazné napětí klesá tzn. záporný teplotní součinitel. ur průrazné napětí klesá tzn. záporný teplotní součinitel.
b) U jakých součástek se vyskytuje?
-U stabilizačních (Zenerových ) a referenčních diod Tunelová dioda
c) Jaká je jeho teplotní závislost?
Protože se šířka zakázaného pásu s rostoucí teplotou zmenšuje je také teplotní součinitel průrazného napětí záporný tj. průrazné napětí se s rostoucí teplotou zmenšuje.Tunelový průraz je nedestruktivní.
5. a) Vysvětlete lavinový průraz přechodu PN.
Přechod je mnohem širší než střední volná dráha elektronu= >nosiče získají v el. poli energii pro nárazovou ionizaci atomů na krystalové mříže- generaci párů elektron - díra. U širokých přechodů může dojít k několika srážkám za sebou = > množství nosičů vzniklých ionizací lavinovitě roste. Průrazné napětí: s rostoucí koncentrací příměsí klesá, závisí na rozložení el. pole.
b) U jakých součástek se vyskytuje?
U vysoko Ohmového přechodu. Lavinovitá usměrňovací dioda.
c) Jaká je jeho teplotní závislost?
Teplotní součinitel průrazného napětí je kladný tzn. průrazné napětí se s rostoucí teplotou zvyšuje.Při průrazném napětí 5,6V je vliv teploty minimální.Vliv teploty: Kmity krystalové mříže brání pohybu nosičů; získání energie k ionizaci = větší intenzita el. pole
6. a) Vysvětlete tepelný průraz přechodu PN.
Tepelný průraz přechodu PN souvisí s průchodem proudu závěrně polarizovaným přechodem. Při průchodu proudu vzniká na PN ztrátový výkon, který se mění na teplo.
Kde:Tj, Ta ….teplota přechodu, teplota okolí
Rth ……. Tepelný odpor mezi přechodem a okolím [K.W-1]
Závěrný výkon Pj roste s teplotou exponenciálně
Odváděný výkon Pa závisí na teplotě lineárně
Principem tepelného průrazu je vznik kladné zpětné vazby (= vzniklé teplo je větší než odváděné). Jestliže množství vzniklého tepla je větší než je množství tepla odváděného, teplota přechodu se začne zvyšovat, v důsledku toho vzroste závěrný proud přechodem (při konst závěrném napětí), množství tepla se opět zvýší atd. Pokud proud není omezen vnějším obvodem, dojde k „nedovolenému“ ohřevu přechodu a k jeho tepelnému průrazu.
Při překročení kritické teploty Tkr se podstatně zvyšuje rychlost generace nosičů (i v oblasti mimo PN). Vzniká tak místo s rychlým růstem teploty doprovázené lokálním zvýšením hustoty proudu o několik řádů (vzniká tzv. MESOPLASMA).
Vznik mesoplasmy má za následek nevratný proces degradace přechodu PN = druhý průraz.
b) U jakých součástek se vyskytuje?
U všech součástek. Hlavně u spínacích prvků, které obsahují rekombinační centra a nebo nekvalitní pól
7. a)Vysvětlete povrchový průraz přechodu PN. b) U jakých součástek se může vyskytnout?
Působením nečistot, nebo strukturních poruch se může deformovat průběh elektrického pole na povrchu polovodiče tak, že v určitém místě dojde ke zvýšení proudové hustoty a rozvinutí povrchového průrazu. Tento typ průrazu může nastat především u vysokonapěťových součástek. Při výrobě těchto součástek je tedy nutné použití krystalů s minimálním množstvím poruch. Jejich povrch se ještě "pasivuje" pomocí vrstvy s velmi malou vodivostí (např. amorfní křemík), čímž se dosáhne rovnoměrného rozložení potenciálu na povrchu polovodiče a zamezí se tak nerovnoměrnému rozložení svodových proudů.
Může nastat především u vysokonapěťových součástek
8. a) Stručně(!) vysvětlete princip fotodiody. b) V jakých režimech může fotodioda pracovat? Vyznačte příslušný pracovní bod do AV charakteristiky fotodiody. Liší se v obou režimech vlastnosti fotodiody? Jak?
a) Pokud nárazem fotonu dojde ke generaci páru elektron díra uvnitř přechodu PN způsobí vnitřní elektrické pole na přechodu (difúzní napětí) pohyb děr do oblasti P a pohyb elektronů do oblasti N. Naprázdno tak na fotodiodě vzniká napětí, úměrné osvětlení, nakrátko protéká proud daný počtem vygenerovaných nosičů. Pokud foton dopadne do oblasti mimo přechod dojde pouze k lokálnímu zvýšení vodivosti příslušné oblasti.
b) Dioda může být zapojena v hradlovém režimu (zdroj elektrické energie) nebo v odporovém režimu (rychlý fotodetektor), char.
9. V zapojení 5.1 je stabilizátor s diodou 2NZ70, která má následující parametry: UZ = 7V, IZmax = 200mA (bez chlazení), IZmin = 0,1 IZmax. Pro jednoduchost uvažujte rZ = 0. Vstupní napětí je U0 = 50V, deltaU0 = +/- 5V a odpor RS = 200ohmů.
a) Určete maximální a minimální hodnotu zátěže (RZM, RZL) a maximální a minimální hodnotu proudu (IZM, IZL), při kterých bude napětí na zátěži stabilizováno na hodnotu 7V.
a)Proud IRS protékající přes odpor RS se rozdělí mezi zátěž a stabilizační diodu.
Malá hodnota zatěžovacího odporu: Převážná část proudu IRS protéká do zátěže. Aby ještě byla zaručena stabilizační schopnost diody nesmí proud diody poklesnout pod IZmin. .
Proud IRS je v tomto případě nutné určit při minimálním vstupním napětí: IRS = (U0 - deltaU0 - UZ) / RS = (50 - 5 - 7) / 200 = 190 mA. Diodou musí protékat minimálně IZmin.= 20 mA. Maximální proud zátěží je proto: IRMAX = 190 – 20 = 170 mA. Na zátěži je přitom stejné napětí jako diodě , tj UZ = URZ = 7V. Nejmenší možná hodnota zatěžovacího odporu je potom RZM = URZ / IRMAX = 7 V / 170 m
Vloženo: 28.04.2009
Velikost: 5,85 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Podobné materiály
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2004 A
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2004 B
- BRPV - Rádiové přijímače a vysílače - vypracovane okruhy ke zkousce
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Zadanie c vypracovane
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Zadanie d vypracovane
- BESO - Elektronické součástky - vypracované otázky
- BFSL - Finanční služby - Vypracované otázky k testu
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky
- BESO - Elektronické součástky - vypracované otázky 2009
- BESO - Elektronické součástky - vypracované otázky
- BSPE - Spolehlivost v elektrotechnice - vypracované otázky ke zkoušce
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Vypracované otázky ke zkušce z materiálů BMTD
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Vypracované otázky ke zkušce z materiálů BMTD - upravený formát, drobně přehlednější
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Vypracované otázky ke zkušce z materiálů BMTD - upravený formát, drobně přehlednější - PDF
- BFY1 - Fyzika 1 - Vypracovane otazky na zkousku
- BREB - Řídicí elektronika - Vypracované úkoly na zkoušku BREB 2010
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2009 - Kmity
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2009 - Vlny
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2009 - Elm. Vlny
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2009 - Optika
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2009/2010 - Termodynamika
- BFY2 - Fyzika 2 - Vypracované otázky 2010 - Moderní fyzika
- BESO - Elektronické součástky - Vypracované Otázky - podtrhané otázky ze zkoušek
- BESO - Elektronické součástky - Otázky - vypracované
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Vypracované otázky
- BPRM - Přenosová média - Vypracované otázky
- BNFE - Nízkofrekvenční elektronika - Vypracované otázky do BNFE
- XPOM - Podnikatelské minimum - XPOM 2005-2010 vypracované zkoušky Fekt VUT
- BPOM - Podnikatelské minimum - BPOM vypracované zkoušky 2005 - 2010
- BMPT - Mikroprocesorová technika - BMPT-PC cviceni- vypracované odpovědi na otázky 2011
- BELA - Elektroakustika - 2. test vypracované otázky
- BELA - Elektroakustika - Vypracované otázky ke zkoušce 2013
- BELA - Elektroakustika - Zkouška 2013 - vypracované
- BELA - Elektroakustika - 1. test vypracované otázky
- BCZA - Číslicové zpracování a analýza signálů - Vypracované otázky ke zkoušce
- BAEO - Analogové elektronické obvody - baeo-me-otázky
- BCA1 - CISCO akademie 1 - Odpovědi na otázky
- BELF - Elektrické filtry - statnice_otazky
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky01
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky02
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky03
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky04
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky05
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky06
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky07
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky08
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky09
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky10
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky11
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky12
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky13
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky14
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky15
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky16
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky17
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky18
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky19
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky20
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky21 22 23
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázky21 a· 26
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - tahák otázkyPřehled
- BRPV - Rádiové přijímače a vysílače - otazky
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - otazky
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - Otázky_k_závěrečné_zk
- BTMB - Technická mechanika - OTAZKY
- BTMB - Technická mechanika - Otázky kompletni
- BVEL - Výkonová elektronika - - otazky-nevyplnene
- BVEL - Výkonová elektronika - otazky 2008_2009
- BVEL - Výkonová elektronika - otazky2008_2009
- BVEL - Výkonová elektronika - otazkyTisk
- BVMT - Vysokofrekvenční a mikrovlnná technika - MT otazky
- BVMT - Vysokofrekvenční a mikrovlnná technika - OtazkyVMT-46
- MSMK - Systémy mobilních komunikací - otazkyMSMK
- MTEO - Teorie elektronických obvodů - kontrolni otazky
- BFY2 - Fyzika 2 - Otázky kmity, vlny
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky05
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky10
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky17
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky21
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky24
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky25
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky26
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky27
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky29
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky41
- BFY2 - Fyzika 2 - Testové Otazky45
- BKEZ - Konstrukce elektronických zařízení - otazky_2002
- BKEZ - Konstrukce elektronických zařízení - OTÁZKY
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - ZkouškaOtazkyBPTS
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - Otazky - Pulsemestralka
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - otazky zkouska
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - Otázky na půlsemestrálce
- BSOS - Síťové operační systémy - 017_Otazky_BVKS_2007
- BSOS - Síťové operační systémy - 018_BVKS_otazky
- BSOS - Síťové operační systémy - BPTS_otazky
- BSOS - Síťové operační systémy - BVKS_BPTS_otazky
- BSOS - Síťové operační systémy - BVKS_otazky
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky 1-a
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky 1-b
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky 3-a
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky 3-b
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky 4
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky 5
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - kontrolni otazky O2
- BCIF - Číslicové filtry - Okruh otazky
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.bip.tr
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.opto
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.polov
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.pol.diody
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.pol.prechody
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.tr.riz.el
- BESO - Elektronické součástky - vyp.otazky.tyris
- SZZ - Státnice - BEST - Státnicové otázky k předmětu BAEO
- SZZ - Státnice - BEST - Státnicové otázky BICT
- SZZ - Státnice - BEST - Státnicové otázky BVMT
- BMPS - Modelování a počítačová simulace - otázky k ústní
- BZTV - Základy televizní techniky - Otázky ke zkoušce
- BESO - Elektronické součástky - beso-otazky
- BCZA - Číslicové zpracování a analýza signálů - KCZA_1_otazky
- BCZA - Číslicové zpracování a analýza signálů - CZA_2_otazky
- BCZA - Číslicové zpracování a analýza signálů - CZA_2_otazky
- BRMK - Rádiové a mobilní komunikace - otazky
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Kontrolní otázky a odpovědi
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Tahák na zkoušku otázky
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Tahák- odpovědi na otázky
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Kontrolní otázky
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Otázky ze zkoušky
- BEMC - Elektromagnetická kompatibilita - Otázky ke zkoušce
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Otázky - dielektrika
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Otázky - polovodiče
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Otázky A, B
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Otázky B, B
- BESO - Elektronické součástky - Kontrolní otázky
- BESO - Elektronické součástky - Otázky a příklady
- BESO - Elektronické součástky - Otázky Boušek
- BESO - Elektronické součástky - Otázky na semestrálku
- BESO - Elektronické součástky - Otázky
- BFY2 - Fyzika 2 - Základní otázky kmity a vlny
- BFY2 - Fyzika 2 - Základní otázky z kmitů a vln
- BFY2 - Fyzika 2 - Základní otázky z moderní fyziky
- BFY2 - Fyzika 2 - Základní otázky z optiky
- BFY2 - Fyzika 2 - Základní otázky z termodynamiky
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Otázky k písemné zkoušce
- BPSO - Pedagogická psychologie - Otázky
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Otázky 1
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Otázky 2
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Otázky Blažek
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Otázky Vávra
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Otázky
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Vypraacované otázky
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Kontrolní otázky
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 5
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 6
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 7
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 8
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 9
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 10
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 11
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 12
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 13
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 14
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře 15
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře starý
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře starý2
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Otázky zápočet laboratoře starý3
- BFY2 - Fyzika 2 - otázky na zkoušku 2004(asi) - kmity
- BFY2 - Fyzika 2 - otázky na zkoušku 2004(asi) - modernífyzika
- BFY2 - Fyzika 2 - otázky na zkoušku 2004(asi) - optika
- BFY2 - Fyzika 2 - otázky na zkoušku 2004(asi) - termodynamika
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice - dobré vědět
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 1
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 10
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 2
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 3
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 4
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 5
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 6
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 7
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 8
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Otázky na státnice 9
- BSHE - Studiová a hudební elektronika - Otázky ke státnicím
- BESO - Elektronické součástky - SKUTEČNÉ OTÁZKY NA BESO! v závorce uvedeno datum kdy padly
- BARS - Architektura sítí - Testové otázky pohromadě (semestrálka i půlsemka)
- BESO - Elektronické součástky - Otazky BESO aktuální!!!!
- BNEZ - Napájení elektronických zařízení - Testové otázky
- BFY1 - Fyzika 1 - Testové otázky - půlsemestrálka a semestrálka
- AANA - Základy anatomie a histologie - otázky na zkoušku
- AFYZ - Fyziologie člověka - otázky na pc zápočet
- BPRM - Přenosová média - BPRM - otázky na predtermín
- AKME - Úvod do klinické medicíny - Zkusebni_otazky
- AFY1 - Fyzika 1 - Tíhové zrychlení-otázky
- BPTS - Přístupové a transportní sítě - Hotové otázky na zápočet z laboratoří - 2011
- BZTV - Základy televizní techniky - Tahák BZTV otázky 1-33
- BZTV - Základy televizní techniky - Tahák BZTV otázky 1-33 - 2
- ABCH - Biochemie - otázky ke zkoušce
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - otazky k testu z materiálů
- BVKS - Vysokorychlostní komunikační systémy - Otázky/odpovědi na zkoušku - 2012
- APRP - Základy první pomoci - Otazky-prvni_pomoc
- RBEZ - přezkoušení z elektrotechnické kvalifikace - Otázky na test
- BVFT - Vysokofrekvenční Technika - Zkouška - teoretické otázky 2014
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Zpracované kontrolní otázky a příklady z BMTD 2014
- BZTV - Základy televizní techniky - 5ti bodové otázky 2014/2015
- BPRM - Přenosová média - Otázky ke zkoušce 2014/2015
Copyright 2024 unium.cz