- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálOptoelektronické součástky
45. Absorpce záření v polovodičích: mechanismy absorpce, absorpční koeficient, hloubka vniku, absorpční hrana:
mechanizmy: absorpce mezipásová (vlastní): foton záření dodá energii potřebnou k přeskoku elektronu z valenčního pásu do vodivostního, dochází ke generaci párů elektron-díra; absorpce volnými nosiči náboje: energie dopadajícího fotonu je předána volným elektronům ve vodivostním pásu nebo děrám ve valenčním pásu; absorpce mřížková: energie dopadajícího fotonu je předána krystalové mřížce polovodiče; absorpce příměsová: energie fotonu vyvolá přechody elektronů mezi hladinami příměsí zakázaném pásu valenčním nebo vodivostním pásem; jiné mechanismy absorpce: excitonová, plazmonová …; alfa… koeficient absorpce (závisí na vlnové délce, resp. na kmitočtu záření); x0 = 1/alfa … hloubka vniku záření; absorpční hrana –
46. Vnitřní fotoelektrický jev, vodivost osvětleného a neosvětleného polovodiče:
bez osvětlení: Vodivost polovodiče: s osvětlením:
sh
47. Dynamika fotovodivosti: proudová odezva na světelné impulsy:
1) dostatečně dlouhé světelné impulsy, takže v průběhu každého impulsu se stačí ustavit rovnovážný stav odpovídající světelnému toku; 2) příliš krátké světelné impulsy, rovnovážný stav se nestačí ustavit
48. Fotodioda s přechodem pn: princip činnosti, voltampérové charakteristiky a režimy čnnosti:
49. Fotodioda PIN: princip činnosti, základní vlastnosti:
Základní vlastnosti: Počet generovaných párů elektron-díra je úměrný tloušťce vrstvy, v níž generace nastává. Tloušťka závěrné vrstvy přechodu pn je obvykle menší než hloubka vniku záření = tloušťka vrstvy, v níž mohou být efektivně generovány nosiče náboje. Vložením intrinsické vrstvy mezi polovodič p a n vznikne široká vrstva s vysokou intenzitou elektrického pole. Šířka intrinsické vrstvy w . hloubce vniku záření. Silné elektrické pole v intrinsické vrstvě způsobí, že elektrony a díry se pohybují maximální možnou rychlostí vsat - proto jsou diody PIN velmi rychlé - krátká doba odezvy je určována především dobou průletu přes absorpční oblast. Pro dosažení krátké doby odezvy je třeba optimalizovat také sériový odpor RS a kapacitu diody Cj = epsilon * S/w. Fotodiody PIN mají obecně velmi malý (zanedbatelný) temný proud. Výjimkou jsou fotodiody PIN zhotovené z polovodičů s malou šířkou zakázaného pásu - pro zmenšení temného proudu je nutné chlazení (kapalným dusíkem nebo i héliem). Fotodiody PIN se vyznačují velmi malým šumem.
50. Lavinová fotodioda: princip činnosti, základní vlastnosti:
Základní vlastnosti: Intenzita elektrického pole v absorpční oblasti je tak vysoká, aby se generované elektrony a díry pohybovaly maximální možnou rychlostí vsat - proto jsou lavinové diody velmi rychlé - krátká doba odezvy je určována především dobou průletu přes absorpční oblast. Počet zářením generova
Vloženo: 10.05.2009
Velikost: 7,80 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2024 unium.cz