- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Skripta Elektronické součástky 2002
BESO - Elektronické součástky
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálFAKULTA ELEKTROTECHNIKY A KOMUNIKAČNÍCH TECHNOLOGIÍ
VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V BRNĚ
Elektronické součástky
Autoři textu:
Prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.
Prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.
Doc. Ing. Arnošt Bajer, CSc.
Ing. Jaroslav Boušek, CSc.
Brno 15.11.2002
2 FEKT Vysokého učení technického v Brně
Obsah
1 ZÁKLADY FYZIKY POLOVODIČŮ .......................................................................... 5
1.1 ZÁKLADY KVANTOVÉ TEORIE PEVNÝCH LÁTEK, PÁSOVÝ MODEL PEVNÝCH LÁTEK .... 5
1.1.1 Elektron v izolovaném atomu............................................................................. 5
1.1.2 Elektron v krystalu - základy pásové teorie ....................................................... 6
1.2 ROZDĚLENÍ LÁTEK PODLE JEJICH ELEKTRICKÝCH VLASTNOSTÍ ................................... 7
1.3 ELEKTRICKÁ VODIVOST POLOVODIČŮ......................................................................... 9
1.3.1 Vlastní polovodiče.............................................................................................. 9
1.3.2 Nevlastní polovodiče........................................................................................ 10
1.4 ELEKTRONY V PEVNÝCH LÁTKÁCH A JEJICH ENERGETICKÉ ROZDĚLENÍ .................... 13
1.4.1 Hustota stavů ................................................................................................... 13
1.4.2 Fermi - Diracova rozdělovací funkce .............................................................. 14
1.4.3 Rovnovážné rozložení nosičů ........................................................................... 15
1.5 ROVNOVÁŽNÁ KONCENTRACE NOSIČŮ...................................................................... 16
1.5.1 Vztahy pro výpočet koncentrace elektronů a děr............................................. 16
1.5.2 Nábojová neutralita ......................................................................................... 17
1.5.3 Výpočet polohy Fermiho hladiny ..................................................................... 19
1.6 VEDENÍ PROUDU V POLOVODIČÍCH............................................................................ 20
1.6.1 Drift nosičů náboje........................................................................................... 20
1.6.2 Difúze nosičů náboje........................................................................................ 22
1.6.3 Generace a rekombinace ................................................................................. 24
1.6.4 Stavové rovnice polovodiče.............................................................................. 26
1.7 OTÁZKY KE KAPITOLE 1............................................................................................ 28
2 POLOVODIČOVÉ PŘECHODY ................................................................................ 28
2.1 KLASIFIKACE PŘECHODŮ .......................................................................................... 28
2.1.1 Homogenní přechody ....................................................................................... 28
2.1.2 Heterogenní přechody...................................................................................... 29
2.2 PŘECHOD PN V ROVNOVÁŽNÉM STAVU .................................................................... 29
2.2.1 Kvalitativní popis PN přechodu v rovnovážném stavu .................................... 30
2.2.2 Kvantitativní popis PN přechodu v rovnovážném stavu .................................. 31
2.3 PŘECHOD PN S PŘILOŽENÝM VNĚJŠÍM NAPĚTÍM........................................................ 35
2.3.1 Propustně a závěrně pólovaný PN přechod..................................................... 35
2.3.2 Ampérvoltová charakteristika ideálního PN přechodu.............................. 37
2.3.3 Kapacita PN přechodu..................................................................................... 42
2.4 PŘECHOD PN V DYNAMICKÉM REŽIMU ..................................................................... 44
2.4.1 Přechod PN v impulsovém režimu ................................................................... 44
2.4.2 Přechod PN při sinusovém napětí.................................................................... 46
2.4.3 Přechod PN s přilože-ným stejnosměrným a střídavým napětím..................... 47
2.5 PRŮRAZ PŘECHODU PN............................................................................................. 47
2.5.1 Tunelový (Zenerův) průraz............................................................................... 47
2.5.2 Lavinový průraz ............................................................................................... 49
2.5.3 Tepelný průraz ................................................................................................. 50
2.6 PŘECHOD KOV-POLOVODIČ ....................................................................................... 52
2.6.1 Schottkyho bariéra ........................................................................................... 52
2.6.2 Usměrňující kontakt kov-polovodič ................................................................. 53
2.6.3 Neusměrňující kontakt kov-polovodič.............................................................. 54
2.7 OTÁZKY KE KAPITOLE 2............................................................................................ 55
3 POLOVODIČOVÉ DIODY ........................................................................................... 56
Elektronické součástky 3
3.1 HROTOVÉ DIODY .......................................................................................................59
3.2 PLOŠNÉ DIODY...........................................................................................................61
3.2.1 Detekční a spínací diody...................................................................................66
3.2.2 Stabilizační a referenční diody.........................................................................67
3.2.3 Kapacitní diody ................................................................................................71
3.2.4 Tunelová a inverzní dioda ................................................................................72
3.2.5 Usměrňovací diody...........................................................................................73
3.2.6 Rychlé usměrňovací diody................................................................................78
3.2.7 Lavinové usměrňovací diody ............................................................................79
3.2.8 Schottkyho usměrňovací diody .........................................................................80
3.3 OSTATNÍ PRVKY DIODOVÉHO CHARAKTERU ..............................................................80
3.4 NĚKTERÉ OBVODOVÉ APLIKACE DIOD .......................................................................81
3.5 VLASTNOSTI A MODELY POLOVODIČOVÝCH DIOD......................................................82
4 POLOVODIČOVÉ SOUČÁSTKY BEZ AKTIVNÍHO PŘECHODU PN..............90
4.1 SOUČÁSTKY Z MONOKRYSTALICKÝCH POLOVODIČŮ BEZ AKTIVNÍHO PŘECHODU PN
90
4.2 SOUČÁSTKY Z POLYKRYSTALICKÝCH POLOVODIČŮ..................................................90
5 BIPOLÁRNÍ TRANZISTORY.......................................................................................91
5.1 PRINCIP ČINNOSTI BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU.......................................................93
5.2 KVANTITATIVNÍ ANALÝZA FUNKCE BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU.............................101
5.2.1 Proudové zesílení a vztahy mezi stejnosměrnými proudy tranzist. v
základních zapojeních.................................................................................................101
5.2.2 Ebersův-Mollův model bipolárního tranzistoru NPN ..............................105
5.3 STATICKÉ VLASTNOSTI BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU..............................................108
5.3.1 Statické charakteristiky tranzistoru NPN v zapojení se společnou bází
(SB) 109
5.3.2 Statické charakteristiky tranzistoru NPN v zapojení se společným
emitorem (SE) ..............................................................................................................110
5.3.3 Průrazy tranzistorové struktury..................................................................115
5.3.4 Earlyho jev ....................................................................................................117
5.4 MODELY BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU ....................................................................118
5.4.1 Nelineární modely bipolárního tranzistoru ...............................................118
5.4.2 Linearizované modely bipolárního tranzistoru (bipolární tranzistor jako
impedanční čtyřpól) .....................................................................................................124
5.4.3 Mezní kmitočty bipolárního tranzistoru.....................................................129
5.5 PRINCIPY OBVODOVÝCH APLIKACÍ BIPOLÁRNÍHO TRANZISTORU ............................131
5.5.1 Bipolární tranzistor jako spínač .................................................................131
5.5.2 Bipolární tranzistor jako zesilovač.............................................................135
5.6 VÝKONOVÉ A VYSOKOFREKVENČNÍ TRANZISTORY.................................................144
6 UNIPOLÁRNÍ TRANZISTORY ................................................................................147
6.1 UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR S PŘECHODEM PN (TRANZISTORY JFET) ........................149
6.1.1 Kvalitativní popis činnosti tranzistoru JFET .................................................149
6.1.2 Kvantitativní analýza tranzistoru JFET .........................................................151
6.1.3 Statické charakteristiky tranzistoru JFET ......................................................154
6.1.4 Linearizovaný malosignálový model tranzistoru JFET..................................157
6.2 UNIPOLÁRNÍ TRANZISTOR S IZOLOVANOU ŘÍDICÍ ELEKTRODOU...............................160
6.2.1 Ideální struktura MOS....................................................................................160
6.2.2 Kvalitativní popis činnosti tranzistoru MOS ..................................................164
4 FEKT Vysokého učení technického v Brně
6.2.3 Statické charakteristiky tranzistoru MOS ...................................................... 168
6.2.4 Linearizovaný malosignálový model tranzistoru MOS.................................. 169
6.2.5 Nastavení pracovního bodu tranzistoru MOS................................................ 169
6.2.6 Setrvačné vlastnosti tranzistorů MOS............................................................ 172
6.2.7 Model tranzistoru MOS v programu SPICE.................................................. 174
6.3 SPECIALIZOVANÉ TYPY UNIPOLÁRNÍCH TRANZISTORŮ............................................ 175
6.3.1 Tranzistor MOS se dvěma hradly .................................................................. 175
6.3.2 Tranzistory MESFET a HEMT ...................................................................... 175
6.3.3 Výkonové unipolární tranzistory.................................................................... 177
6.3.4 Výkonové tranzistory JFET (SIT)................................................................... 177
6.3.5 Výkonové tranzistory MOS............................................................................. 177
6.3.6 Tranzistory IGBT ........................................................................................... 179
6.4 STRUKTURY CCD ................................................................................................... 181
6.4.1 Využití struktur CCD...................................................................................... 189
7 ŘEŠENÍ OTÁZEK....................................................................................................... 191
7.1 KAPITOLA 1 ............................................................................................................ 191
7.2 KAPITOLA 2 ............................................................................................................ 194
7.3 KAPITOLA 3 ............................................................................................................ 200
Elektronické součástky 5
1 ZÁKLADY FYZIKY POLOVODIČŮ
1.1 Základy kvantové teorie pevných látek, pásový model pevných látek
Dříve než přistoupíme ke studiu vlastností
elektronů v pevných látkách, musíme se seznámit s
určitými základními pravidly kvantové teorie
nejprve na nejjednodušším ze všech atomových
systémů, na izolovaném vodíkovém atomu, potom
se budeme zabývat základy pásové teorie.
1.1.1 Elektron v izolovaném atomu
V roce 1913 stanovil Niels Bohr tři
postuláty, vysvětlující některé do té doby
nepochopitelné vlastnosti elektronů:
1. Elektron může trvale kroužit kolem jádra
jen v některé
z určitých drah (kvantových drah, orbitů).
2. Pokud elektron obíhá v některé z
kvantových drah, atom nevyzařuje žádnou
energii, jeho energie je konstantní.
3. Při přechodu elektronu z jedné kvantové dráhy
na druhou atom energii buď absorbuje nebo
emituje.
Tato "kvantizace" drah pohybu elektronu vede ke
kvantizaci energie elektronu. Dá se odvodit [1], že pro
elektron s hlavním kvantovým číslem n je tato energie:
E =
()
−
mq
n
0
0
4
2
24πε h
= −
13 6
2
,
n
eV , n = 1, 2, 3,
(1.1)
kde E je vazebná energie elektronu v atomu vodíku, m
0
je hmotnost volného elektronu
(0,91.10
-30
kg), q je absolutní hodnota náboje elektronu (1,60210
-19
C), e
0
je permitivita vakua
(8,854.10
-12
Fm
-1
), h je Planckova konstanta (6,626.10
-34
Js), h = h/2π a n je hlavní kvantové
číslo (identifikátor orbitu). Jednotka elektronvolt (eV) je jednotka energie (1 eV = 1,6.10
-19
J).
Vazebná energie ektronu je záporná, vazebnou energii v nekonečnu (tj. energii volného
elektronu ve vakuu) klademe rovnu nule. Energie elektronu je tedy uvnitř vodíkového atomu
omezena pouze na určité hodnoty (viz Obr. 1.2.) a z Bohrova modelu vyplývá, že přechod
elektronu z orbitu s vyšším kvantovým číslem n na orbit s nižším kvantovým číslem n je
provázen vyzářením energie o hodnotě rovné rozdílu energií těchto dvou orbitů. Tato energie
Obr. 1.1: Jádro a elektronový obal.
+
n = 1
-13,6 eV
n = 2
-3,4 eV
n = 3
-1,51 eV
Obr. 1.2: Vodíkový atom - první
tři dovolené kvantové dráhy a jejich
energie
6 FEKT Vysokého učení technického v Brně
je zpravidla světelná(∆E = hν) a proto můžeme pozorovat emitované světlo pouze o
diskrétních vlnových délkách.
Podobně jako vodíkový atom
můžeme znázornit i komplexnější 14
elektronový atom křemíku (Obr. 1.3.).
Zde 10 ze 14 elektronů obsazují ener-
getické úrovně o velmi nízké energii a
jsou velmi těsně svázány s jádrem
atomu. Tato vazebná energie je tak sil-
ná, že během chemických reakcí
zůstává prakticky neporušena. Tyto
elektrony nazýváme vnitřní elektrony.
Zbývající 4 elektrony jsou vázány
relativně slabě, účastní se chemických
reakcí a jsou nazývány valenčními elektrony.
1.1.2 Elektron v krystalu - základy pásové teorie
Pro izolovaný atom tedy můžeme uvažovat čárový energetický diagram sestávající z
diskrétních energetických hladin. Při přibližování dvou atomů dochází k projevům
přitažlivých (vazebních, atraktivních) a odpudivých (repulsivních) sil. Odpudivé síly
převládají při malých vzdálenostech mezi atomy a přitažlivé ve větších vzdálenostech. V
určité vzdálenosti a
0
, kterou nazýváme rovnovážná mřížková konstanta, jsou tyto síly v
rovnováze, soustava atomů má minimum potenciální energie a je proto ve stabilním stavu. Při
vzájemném působení dvou atomů dochází také ke štěpení energetických hladin, které byly
původně v obou atomech na stejné úrovni (na tento jev se můžeme dívat jako na rozšíření
Pauliho vylučovacího principu na více atomů nebo na celý krystal).
Na Obr. 1.4. je znázorněna část energetického diagramu prvků IV. skupiny periodické
tabulky (které mají podobnou elektronovou strukturu se čtyřmi valenčními elektrony) v
závislosti na jejich mřížkové konstantě. V případě velké vzdálenosti mezi jednotlivými atomy
je energetické spektrum čárové, protože jednotlivé atomy spolu neinteragují. Při vzájemném
přibližování atomů v krystalu, obsahujícím N atomů, se hladina s rozštěpí na 2N dovolených
stavů a hladina p na 6N dovolených stavů. Představíme-li si, že 1 cm
3
křemíku obsahuje asi
5.10
22
atomů, můžeme hovořit o spojitých pásech dovolených energií.
14+
n = 1
2 elektrony
n = 2
8 elektronů
n = 3
4 elektrony
s p
šest dovolených hladin
stejné energie
dvě dovolené hladiny
stejné energie
Obr. 1.3: Izolovaný atom křemíku
energie
diamant Si Ge
mřížková
konstanta
2,3 nebo 4p
2,3, nebo 4s
volný atom
"plyn"
Ge Si
vakuum,E= 0
Obr. 1.4: Teoretický energetický diagram prvků IV. skupiny v závislosti na mřížkové
konstantě. Pásový model napravo vznikne „řezem“ v místě příslušné mřížkové konstanty
Elektronické součástky 7
Pásové diagramy dovolených energií elektronů jsou
důležitým modelem pro studium elektrických vlastností
pevných látek. Hovoříme o tzv. pásové teorii nebo pásovém
modelu pevných látek. Pásy dovolených hodnot energie
elektronu označíme jako dovolené pásy, oblasti mezi těmito
pásy jsou pásy zakázaných hodnot energie elektronu - zakázané
pásy. Jednoduchý pásový model pevné látky je na Obr. 1.5.
Energetické pásy dělíme na tyto skupiny:
1. Vnitřní pásy: Tyto pásy patří elektronům pevně vázaným
k jádrům. Jsou poměrně úzké a pro přenos elektrického
náboje nemají význam.
2. Valenční pás: V tomto pásu jsou hladiny elektronů
vytvářejících chemickou vazbu.
3. Vodivostní pás: V tomto pásu jsou hladiny elektronů uvolněných z chemických vazeb.
Tyto elektrony se mohou pohybovat v meziatomovém prostoru a způsobovat vodivost
látky. Je to nejvyšší dovolený energetický pás.
4. Zakázané pásy: Oddělují od sebe pásy dovolených energií.
Poslední tři pásy - vodivostní, zakázaný a valenční - svojí polohou a energetickou
šířkou určují základní vlastnosti pevných látek z hlediska vedení elektrického proudu
(přenosu náboje). Běžně se dolní okraj vodivostního pásu označuje E
C
(C = conductivity), E
V
je horní kraj valenčního pásu (V = valence). Zakázaný pás má šířku E
G
(nebo ∆E; G = gap).
Elektrické vlastnosti látky charakterizuje zejména šířka zakázaného pásu E
G
, která
mimo jiné závisí na meziatomové vzdálenosti a
0
atomů v krystalu. Na Obr. 1.4. vidíme, že
Ge s mřížkovou konstantou 0,565 nm má menší E
G
(E
G
= 0,66 eV) než Si (a
0
= 0,543 nm, E
G
= 1,12 eV) a mnohem menší než diamant C (a
0
= 0,357 nm, E
G
= 5,47 eV). Hodnoty jsou
uvedeny pro teplotu 300 K.
1.2 Rozdělení látek podle jejich elektrických vlastností
Objev dovolených a zakázaných pásů energie v krystalických látkách vedl k
jednoduchému a názornému výkladu elektrické vodivosti. Rozdělení látek na vodiče,
polovodiče a izolanty se provádí podle hodnot měrné vodivosti a její teplotní závislosti a jako
výrazné kritérium se uvádí šířka zakázaného pásu.
E
V
E
E
C
ZAKÁZANÝ
PÁS > 3 eV
VODIVOSTNÍ
PÁS
VALENČNÍ
PÁS
ZAKÁZANÝ PÁS
VODIVOSTNÍ
PÁS
VALENČNÍ
PÁS
ZAKÁZANÝ PÁS
ČÁSTEČNĚ
ZAPLNĚNÝ
VODIVOSTNÍ
PÁS
VALENČNÍ
PÁS
PÁSY SE
PŘEKRÝVAJÍ
C
E
E
V
E
C
E
E
V
E
C
E
E
V
E
Obr. 1.6: Pásový model a) izolantu; b) polovodiče; c) monovalentního kovu; d)
bivalentního kovu
Na Obr. 1.6. jsou vedle sebe znázorněny pásové modely pro izolant, polovodič a vodič
(kov). Předpokládáme, že látky zde uvažované jsou na teplotě absolutní nuly (0 K), kdy
elektrony zaujímají nejnižší možné energetické úrovně. Výpo
Vloženo: 28.05.2009
Velikost: 5,77 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu BESO - Elektronické součástky
Reference vyučujících předmětu BESO - Elektronické součástky
Podobné materiály
- BFSL - Finanční služby - Skripta
- BPC1 - Počítače a programování 1 - Skripta Počítače a programování
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analaogové el.obvody-lab.cvičení
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analogové el.obvody- počítačová a laboratorní cvičení
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analogové el.obvody-počítačová cvičení
- BAEY - Analogové elektronické obvody - Skripta Analogové el.obvody
- BASS - Analýza signálů a soustav - Signály a systémy skripta
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta Dskrétní signály a diskrétní systémy
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta Spojité systémy 2.část
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta Spojité systémy
- BASS - Analýza signálů a soustav - Skripta
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Skripta Diagnostika a testování el.systémů
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Skripta Diagnostika a zkušebnictví
- BDIZ - Diagnostika a zkušebnictví - Skripta Speciální diagnostika
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Elektrotechnický seminář
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Elektrotechnika 1 - Laboratorní a počítačová cvičení
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Elektrotechnika 1
- BEL1 - Elektrotechnika 1 - Skripta Technická dokumentace
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta elektrotechnika II
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta laboratorní cvičení 2006
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta laboratorní cvičení 2008
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Skripta počítačové cvičení 200
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Učitelská skripta
- BELF - Elektrické filtry - Skripta Analýza el. obvodů programem
- BELF - Elektrické filtry - Skripta Elektrické filtry
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Skripta Elektotechnické materiály a výrobní procesy
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Skripta Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - lab. cvičení
- BEMV - Elektrotechnické materiály a výrobní procesy - Skripta Materiály v elektrotechncie
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky - Laboratorní cvičení
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky 2007
- BESO - Elektronické součástky - Skripta Elektronické součástky
- BFY1 - Fyzika 1 - Skripta Fyzikální seminář
- BFY1 - Fyzika 1 - Skripta Průvodce studia předmětu Fyzika 1
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta kmity
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta Optika
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta termofyzika
- BFY2 - Fyzika 2 - Skripta Vlny
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematický seminář
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematika 1 Počítačová cvičení Maple
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematika 1
- BMA1 - Matematika 1 - Skripta Matematika 3
- BMA2 - Matematika 2 - Skripta matematický seminář
- BMA2 - Matematika 2 - Skripta Matematika I
- BMA2 - Matematika 2 - Skripta Matematika II
- BMA3 - Matematika 3 - Skripta Matematika 3
- BMA3 - Matematika 3 - Skripta Sbírka Matematika 3
- BMFV - Měření fyzikálních veličin - Skripta Měření fyz.veličin - návody do lab.cvičení
- BMPS - Modelování a počítačová simulace - Skripta Modelování a počítačová simulace- Počítačová cvičení
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD Laboratorní cvičení
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD část materiály v elektrotechnice
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD část Technická dokumentace - počítačová a konstrukční cvičení
- BMTD - Materiály a technická dokumentace - Skripta MTD část technická dokumentace
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Měření v elektrotechnice - Lab.cviceni -skripta
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Skripta Meření v elektrotechnice- návody k lab. cvič.
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Skripta Měření v elektrotechnice - lab.cvičení II
- BMVE - Měření v elektrotechnice - Skripta Měření v elektrotechnice - laboratorní cvičení
- BPC2 - Počítače a programování 2 - Skripta 2008
- BPC2 - Počítače a programování 2 - Stará skripta
- BPIS - Praktikum z informačních sítí - Skripta
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Blažek 1975
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Elektr.přístroje část II
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Lab.cv. Vysoké napětí
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Vysoké napěti el.stroje
- BVNP - Vysoké napětí a elektrické přístroje - Skripta Vysoké napětí část I.
- BVPA - Vybrané partie z matematiky - Skripta Vybrané partie z matematiky
- BEL2 - Elektrotechnika 2 - Učitelská skripta laboratoře
- BPIS - Praktikum z informačních sítí - skripta
- BESO - Elektronické součástky - nová skripta
- AMA2 - Matematika 2 - skripta
- BEKE - Ekologie v elektrotechnice - Něco ze zkoušek, skripta atd..
- BRR2 - Řízení a regulace 2 - Skripta Řízení a regulace 2
- BVPM - Vybrané partie z matematiky - BVPM - skripta k předmětu
- BEPO - Etika podnikání - BEPO (XEPO) - Skripta
- BNAO - Návrh analogových integrovaných obvodů - Skripta BNAO 2010
- BEVA - Elektromagnetické vlny, antény a vedení - BEVA 2 skripta - přednášky a sbírka úloh.zip
- BMPT - Mikroprocesorová technika - BMPT 2011 zadani PC cviceni + skripta s ucivem
- ABSN - Biosenzory - Skripta
- ALDT - Lékařská diagnostická technika - Skripta
- BMVA - Měření v elektrotechnice - Skripta BMVA
- MTOC - Theory of Communication - Teorie sdělování-skripta
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky1
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky2
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky3
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky4
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky5
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky6
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky7
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky8
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky9
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky10
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky11
- BFY1 - Fyzika 1 - protokol_optoelektronicke_soucastky12
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky2
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky3
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky4
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky5
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky6
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky7
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky8
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky9
- BFY1 - Fyzika 1 - vypocty_optoelektronicke_soucastky10
- BFY2 - Fyzika 2 - Optoelektronicke soucastky
- BFY2 - Fyzika 2 - Optoelektronicke soucastky
- BFY2 - Fyzika 2 - Optoel. součástky protokol
- BFY2 - Fyzika 2 - Optoel. součástky tabulky
- ALDT - Lékařská diagnostická technika - ALDT_T2_zakladni_soucastky
- BKEZ - Konstrukce elektronických zařízení - otazky_2002
- BESO - Elektronické součástky - Semestrálka r.2002
- BESO - Elektronické součástky - Semestrálky 2001 a 2002
- BESO - Elektronické součástky - Semestrálky 2002
Copyright 2023 unium.cz. Abychom mohli web rozvíjet a dále vylepšovat podle preferencí uživatelů, shromažďujeme statistiky o návštěvnosti, a to pomocí Google Analytics a Netmonitor. Tyto systémy pro unium.cz zaznamenávají, které stránky uživatel na webové stránce navštívil, odkud se na stránku dostal, kam z ní odešel, jaké používá zařízení, operační systém či prohlížeč, či jaký má preferenční jazyk. Statistiky jsou anonymní, takže unium.cz nezná identitu návštěvníka a spravuje cookies tak, že neumožňuje identifikovat konkrétní osoby. Používáním webu vyjadřujete souhlas použitím cookies a následujících služeb: