- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiáloru
rBE. Proudový zesilovací činitel β určujeme v charakteristikách proudových převodních.
017) Ukažte jak doplníme rezistivní model bipolárního tranzistoru pro oblast VF, aby model
simuloval i setrvačné jevy.
Doplnění modelů akumulačními prvky může ilustrovat na Giacolettovým modelu na
Obr. 4.8. Ten pro oblast vf doplňujeme parazitními kapacitami CBE, CBC tak, jak je uvedeno
na Obr. 4.10.
018) Nakreslete a popište globální Shimanův model unipolárního tranzistoru (MOSFET).
Pro velké signály lze FET v prvním přiblížení modelovat nelineárním řízeným zdrojem
(Obr. 4.12) iD = f(uDS, uGS, uSB). Písmenem B je zde označen substrát (Basis). Model jako
v předchozích případech doplníme rezistory RS, RD, upravující statické chování FETu.
Setrvačné vlastnosti FETu, dané složitými mechanismy vytváření inverzního kanálu modelují
kapacitory CGD, CGS (ty jsou obecně jsou nelineární a napěťově závislé) a CGD a Cout.
Takovýto model na Obr. 4.12 je jeden z mnoha používaných modifikací . Nazývá se podle
svého autora Shichmanův. V podrobnějších modelech jsou ještě zahrnuty i jevy modulace
délky kanálu a změny pohyblivosti nosičů náboje.
Zde UT0 je prahové napětí při nulovém předpětí substrátu, γ je koeficient vlivu prostorového
náboje substrátu, ϕ je povrchový potenciál substrátu, λ je činitel výstupní vodivosti
(modeluje modulaci délky kanálu, jeho zkracování),. Nejdůležitější parametr modelu,
proudový činitel β je dán rozměry kanálu.
019) Nakreslete a popište lokální model unipolárního tranzistoru (FET).
020) Nakreslete a popište jednopólový model (3. úrovně) standardního OZ.
Model 3. úrovně, aproximují kmitočtovou závislost zesílení A(f) reálného OZ s jedním
dominantním pólem, odpovídající vztahu ( 3.19 ) je na Obr. 4.14. Zde zesílení má hodnotu
A0 = 105 a pól je na kmitočtu f0 = 16 kHz. Kmitočtová závislost je simulována dolní propustí
RC. Můžeme však použít i ABM bloky s definovaným Laplaceovým obrazem přenosu, např.
v PSpice je blok ELAPLACE a tak simulovat i složitější závislosti (vícepólový model) Tyto
modely používáme pro kmitočtovou (AC Sweep) i časovou (Transient) malosignálovou
analýzu.
Vztah 3.19
přenosové funkci resp.zisk OZ dle vztahu
kde ω0
resp. f0 je mezní kmitočet (-3 dB). Tranzitní kmitočet (pro A=0) je ω ω T A = 0 0
Vloženo: 24.04.2009
Velikost: 590,50 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2024 unium.cz