- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiáluje veškeré jevy v tranzistoru (i parazitní jevy vzhledem k substrátu).
Podrobný Gumellův-Poonův model v obvodovém simulátoru PSpice obsahuje šest diod (dvě
vzhledem k substrátu), tři rezistory a šest nelineárních kapacitorů. Kvazisaturační jev je
simulován dalším řízeným zdrojem (VCCS). V programu PSpice model obsahuje 59
nastavitelných parametrů (řada z nich je však pro danou třídu tranzistorů stejná). Tento model
dokonale postihuje i teplotní závislosti a šumové vlastnosti tranzistorů.
012) Vysvětlete linearizaci bipolárního tranzistoru. Jaké lokální lineární modely používáme?
013) Nakreslete a popište jednoduchý model bipolárního tranzistoru s diferenčními parametry gm, rBE, rCE.
Jednoduchý model vychází z linearizovaného popisu BJT se základními diferenčními
parametry – přenosovou vodivostí gm (strmostí S ) a odporů rCE, rBE, dle následující soustavy
rovnic
014) Nakreslete a popište lokální model bipolárního tranzistoru s y-parametry.
Nejpoužívanější dvojbranový model bipolárního tranzistoru, pro oblast vyšších
kmitočtů a pro zapojení se společným emitorem, je model s admitančními parametry na
Obr. 4.6, který odpovídá rovnicím
015) Nakreslete a popište lokální model bipolárního tranzistoru s h-parametry
Pro oblast NF se lépe hodí dvojbranový model s hybridními parametry na Obr. 4.7,
který odpovídá rovnicím
016) Nakreslete a popište Giacolettův model bipolárního tranzistoru.
Vedle uvedených dvojbranových modelů se používají také fyzikální lokální modely,
jejichž struktura je odvozena z fyzikální podstaty činnosti bipolárního tranzistoru. Tyto
modely obsahují buď jeden nebo více řízených zdrojů. Jedním z nejčastěji používaných
takovýchto modelů je Giacolettův model na Obr. 4.8. Charakteristický je uzlem vnitřní báze
(B´). Podobné jsou i lokální modely ve tvaru T-článku nebo Π-článku.
Diferenční parametry bipolárního tranzistoru, používané v uvedených lokálních
modelech, můžeme určit graficko-početní metodou z naměřených charakteristik. Například
přenosovou vodivost gm (strmost tranzistoru) určíme ve výstupních charakteristikách tak, jak
je naznačeno na Obr. 4.9. Ve výstupních charakteristikách určujeme i výstupní vnitřní odpor
tranzistoru rCE Obdobně ve vstupních charakteristikách určujeme vstupní odpor tranzist
Vloženo: 24.04.2009
Velikost: 590,50 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2024 unium.cz