- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiále přivést na GATE záporné napětí, a to do doby alespoň než jeho napětí neklesne na 0. V zásadě jsou ale dva způsoby jak vypínat tyristor v ss aplikacích
a) Zmenšením propustného proudu na úroveň vratného proudu Iho. (stejně jako u běžného tyristoru)
b) záporným vypínacím impulsem přivedeným na hradlo Gp.
Princip vypínání:
- zapínací impuls - vypínací impuls - stav vypnutí
Výhodnou požití varianty b tedy speciálního GTO tyristoru je, že se nemusí používat masivní induktory a kapacitory nutné k vypínání běžných tyristorů.
53)
Uvýst.střední = n.2
Výpočet zvlnění provedeme podle vztahu: [%]
Toto zapojení je velice jednoduché, ale má hodně nevýhod:
1) dlouhé časové intervaly, kdy se do zátěže nedodává žádná energie;
2) proud odebíraný ze sekundárního vinutí napájecího transformátoru má ss složku rovnu hodnotě zatěžovacího proudu, ta způsobuje v jádře transformátoru stejnosměrnou magnetizaci, která je nanejvýš nežádoucí, protože vede k nelineárnímu chování transformátoru a silně zvětšuje jeho ztráty.
Obě tyto nevýhody odstraníme, jestliže budeme do zátěže dodávat energii během obou půlperiod napájecího napětí => dvoupulsní a můstkový usměrňovač.
54)
Pro přibližný výpočet zvlnění musíme nejprve udělat několik zlehčujících opatření:
požadovaná hodnota poměrného zvlnění je malá tj. nanejvýš 10%
z toho plyne-doba vodivosti diody je také malá, vhledem k době trvání periody
vybíjejí exponencielu nahradíme přímkou
ideální transformátor
Tato situace je na obr.2. Časové okamžiky t1,t2 jsou po sobě následující nabíjení kapacitoru. Pro malé úhly
úhly otevření, které předpokládáme, nežáleží na tom zda se jedná o jednopulzní nebo dvojpulzní usměrňovač, rozhoduje pouze délka trvání intervalu . Pro absolutní velikost zvlnění potom platí:
a střední hodnota:
Nevýhodou navíjení dalšího vynutí trasformátoru, finančně náročnější, než přidání dalších dvou diod. Výhodou o něco lepší účinnost vlivem dvojnásobného úbytku napětí na diodách můstku.
55)
Výhody: není potřeba transf. s vyvedeným středem vynutí, vhodný pro velké výkony
56)
PN - fotodioda - Ozáříme-li část polovodiče typu N, vytvoří se absorbcí páry elektron-díra. Páry ve vzdálenosti menší než je difúzní délka nosičů, od přechodu se dostanou do depletiční (ochuzené) vrstvy, kde dochází k jejich rozdělení. Vznikne dodatečný proud, vyvolaný zářením (fotoelektrický), který poruší termoelektrickou rovnováhu přechodu přechodu PN. Dochází ke vzniku fotoelektromotorického napětí, které zmenšuje potenciální bariéru přechodu a vyvolává proud úměrný intenzitě osvětlení, který by diodou protlačilo vnější přiložené napětí. Fotodioda PIN vykazuje lepší v lastnosti než dioda PN. Má větší citlivost, lepší kmitočtové vlastnosti a širokou oblast pohlcování záření.
57)
fototranzistor je optoelektronický detekční prvek
proud vzniklý absorbcí dopadajícího záření je zesílen tranzistorovým jevem
maximum záření musí být absorbováno v oblasti báze (B není vyvedena, protože závisí na záření)
záření vytváří páry elektron-díra, elektrony se pohybují k E, díry k C
výhodou oproti diodám je větší citlivost (o 1-2 řády vyšší), nevýhodou je nižší rychlost spínání (jednotky, desítky s)
58)
Chceme-li, aby polovodivý materiál generoval optické záření, musíme ho vybudit.
V optických zdrojích záření se toho dosáhne injekcí nosičů přes přechod PN.
Elektroluminiscenční dioda je tedy založena na tom, že kromě dominantního proudu v přímém směru se uplatňuje rekonbinační složka, která vzniká při mezipásových přechodech elektronů a dále tunelová složka. Pokud se při rekombinaci generuje foton mluvíme o zářivé rekombinaci. Ve skutečnosti probíhá více rekombinačních mechanizmů najednou. Vlnová délka závisí na druhu polovodiče a na mechanizmu zářivé rekombinace.
Polovodivé materiály pro zdroje záření mají mít tyto vlastnosti :
vhodnou šířku zakázaného pásu, která určuje vln. délku emitorového záření
jednoduchou a levnou přípravou materiálu
přímé mezipásové přechody, tj. velkou účinnost zářivé rokombinace
chemickou stálost a odolnost
možnost přípravy obou typů vodivostí pro vytvoření přechodu PN,
možnost legování vhodnými příměsemi pro vznik záření s požadovanou vlnovou délkou
59)
Spolu s dominantním proudem v přímém směru se uplatňuje rekombinační složka, která vniká při mezipásových přechodech elektronů a dále se uplatňuje tunelová složka. Pokud se při přechodu generuje :
a) foton - jedná se zářivou rekombinaci
b) fonon - jedná se o nezářivou rekombinaci, energie se předává krystalové mřížce (Augerův přechod).
Ve skutečnosti probíhá více rekombinačních dějů najednou. Vlnová délka záření závisí na druhu polovodiče (šířce zakázaného pásu) a na mechanismu zářivé rekombinace. Požadovanou vlnovou délku lze do jisté míry upravit vhodnou dotací.
60)
Jako sluneční článek se nejčastěji používají speciální fotodiody (velká plocha) zapojené zásadně v hradlovém režimu (viz obr.). Pro dobrou funkci je třeba nastavit Rz, tak aby byl výkon článku co největší. Vyrábějí se z mono-krystalického Si (účinnost 15-18%) nebo i z poly-krystalického a amorfního, ale zde je již účinnost nižší (kolem 8%).
Pro dosažení max. výkonu je třeba zapojit diody do jakési matice, ve sloupci sériově a několik sloupců paralelně. To kolik součástek bude ve sloupci a kolik bude potřeba sloupců určíme z požadovaného výkonu. Na obrázku je V-A char. fotodiody, největšího výkonu dosáhneme při volbě pracovního bodu tak, aby žlutá oblast byla co největší. Principem činnosti je osvětlování PN přechodu, při kterém dochází k emisi elektronů, které způsobují elektrický proud.
61)
Laserový jev může nastat v soustavě, v níž mohou elektrony nabývat energie dané třemi diskrétními hladinami W1 použití v osciloskopech.
Vychylovací napětí se přivádí na obě desky příslušného páru současně s navzájem obrácenou fází. Při průletu svazku prostorem mezi vychylovacími deskami uděluje elektrostatické pole jednotlivým elektronům zrychlení ve směru kolmém k ose obrazovky => změna dráhy z přímočaré na prabolickou. Po opouštění prostoru mezi deskami letí opět přímočaře.
Výchylka svazku na stínítku: , kde U-vychylovací napětí; Ua-anodové napětí; d1-délka destiček; d2-vzdálenost destiček; d-vzdálenost středu destiček od stínítka.
Je tedy zřejmé, že větší citlivost budou mít desky bližší ke katodě (=>vychylování ve svislém směru).
U magnetostatického vychylování lze dosáhnout větší výchylky. Magnetostatické vych. narozdíl od elektrostat. vych. závisí výchylka částic na jejich hmotnosti => větší opotřebovávání středu obrazovky (iontová skvrna).
74)
Magnetické pole vytvářející výchylku je buzeno dvěma páry vychylovacích cívek. Cívky pro vychylování ve směru svislém jsou navinuty na feritovém prstenci, který se nasazuje na hrdlo obrazovky v místě, kde se baňka rozšiřuje. Popsaný pár je překryt párem cívek pro vychylování ve směru vodorovném. Tyto civky nejsou navinuty na feritovém jádře. Popis vychylování (pro jeden pár cívek): Elektron letící rychlostí v1 vstoupí ve směru osy obrazovky do magnetického pole s indukcí B v místě označeném O. Síla, kterou magnetické pole na elektron působí, je kolmá k směru pohybu elektronu i ke směru indukčních čar pole a změní jeho přímočarý pohyb na pohyb po kružnici. Po opuštění magnetického pole pokračuje elektron v pohybu ke stínítku ve směru tečny ke své kruhové dráze sestrojené v místě kde přestalo pole působit. Výchylka :
Výchylka je přímo úměrná B, tedy proudu vychylovací soustavou. Nepřímo úměrná anodovému napětí UA a vzdálenosti d (vychylovací cívky od stínítka). Odtud dostáváme při použití magnetického vychylování snadněji větší výchylku. Při magnetickém vychylování je výchylka úměrná druhé odmocnině z jejich hmotnosti. Proto jsou částice nestejně vychylovány na stínítko. Těžké ionty jsou vychylovány velmi málo a dopadají do středu stínítka (ztráta jasu). Ochrana : stínítko je pokryto napařenou vrstvičkou hliníku, která propustí pouze elektrony, těžké ionty uvíznou v její krystalové mřížce.
B
B O
D
d1
d
75)
měření vstupních charakteristik: Měření vst. charakteristik se provádí podle obr. 1. Při konstantním nenulovém napětí se měří závislost ED Equation.2 .
měření vstupních charakteristik: Měření vst. charakteristik se provádí podle obr. 1. Při konstantním nenulovém proudu se měří závislost .
optimalizace klidového pracovního bodu: V zesilovači malého signálu budeme předpokládat signál, který má rozkmit přibližně souměrný na obě strany. Proto je nutné, aby napěťová souřadnice klidového pracovního bodu v kolektoru byla rovna přibližně polovině napájecího napětí (při zanedbání zbytkového saturačního napětí v kolektoru).
76)
Vstupní VA charakteristika se změří pomocí zapojení podle obrázku 1. Pro nastavení pracovního bodu je nutné, aby proud IDstejnosměrného pracovního bodu tranzistoru byl menší, než je hodnota IDSS. Je nutné tranzistoru přiškrtit kanál záporným řídicím napětímUGS. Při kladném napětí UDDtoho lze dosáhnouttak, že hradlo připojíme přes rezistor RG na potenciál společného vodiče (nejnižší potenciál) a zápornou hodnotu napětí UGS nastavíme kladným předpětím elektrody source. Velikost předpětí je dána úbytkem napětí na rezistoru RSpři průtoku proudu ID.
77)
UZener
S= ----------
Uzdroje
- úloha se dá řešit graficko-početní metodou a to následovně
Předpokladem je obvod Zenerova dioda + odpor v sérii, zadaná napětí zdroje UZ1 a UZ2
1. do charakteristiky Zenerovy diody přikreslíme charakteristiku odporu (přímka)
2. obě charakteristiky sečteme
3. na této výsledné charakteristice v závěrném směru najdeme bod UZ1 a ve směru k proudové ose najdeme průsečík s charakteristikou Zenerovy diody - zde odečteme napětí na Zenerově diodě UZener1
4. to samé provedeme pro napětí zdroje UZ2 a odečteme napětí na Zenerově diodě UZener2
5. činitel stabilizace vypočteme jako:
UZener2 - UZener2
S= -----------------------
Uzdroj1 - Uzdroj2
78)
Princip fázového řízení tyristoru je popsáno v otázce číslo 48.
Řídící charakteristika pro jednofázový usměrňovač s fázově řízeným tyristorem(ry) a odporovou zátěží je uveden níže a též možné zapojení usměrňovače. Řídící charakteristika je závislost úhlu otevření na napětí na zátěž.
Tuto charakteristiku lze změřit tak, že budeme měnit úhel otevření a měřit výstupní napětí. Ze zjištěných údajů sestrojíme graf.
79)
Je mnoho zapojení a principů jak měnit DC napětí na vyšší DC napění. Například pomocí pulzních transformátorů, násobiče z diod a kondenzátorů, induktorů, atd... . Tyto všechny obvody ale potřebují zdroj střídavého signálu, aby mohli pracovat. Rád bych se zmínil o měniči s induktorem a tranzistorem MOFSET.
Jedná se o velmi jednoduché zapojení zdroje vyššího napětí, které je uvedeno na obrázku. Při vypínání induktivní zátěže LZ + RZ dochází k překmitu napětí UDS nad hodnotu napájecího napětí UDD o hodnotu ULZ . Pokud nezapojíme ochranný obvod, je možné napěťovým překmitem přes diodu D nabíjet kapacitor C. Výsledné napětí U2 pak bude po několika vypínacích cyklech rovno hodnotě překmitu napětí UDS. Je nutné v tomto obvodě zvolit diodu s krátkou dobou závěrného zotavení trr a propustného zotavení tfr.
Upozornění : Jelikož obvod se provozuje bez ochran, je nutné všechny součástky volit na vyšší napětí, než je napětí napěťového překmitu.
80)???
81)
Přechodové zkreslení zes. s bipolár. tr. ve třídě B.
Obrázek ukazuje průběh tvarového zkreslení výstupního napětí. Jeho příčinou jsou nelineární převodní charakteristiky. Charakteristickým projevem je, že činitel nelineár. zkrs. není nejmenší při nejmenších amplitudách signálu, ale při amplitudách středně velikých. Toto lze odstranit posunutím převodních charakteristik (jejich linearizací) (vložení pomocných zdrojů do bází tranzistorů), nebo zavedením záporné zpětné vazby. Za tyto úpravy však platíme tím, že klidový proud zesilovačem již není nulový, ale dosahuje malých hodnot. Tento proud je mnohonásobně menší než u zesilovače třídy A. Pro dobré pochopení přech. zkreslení doporučuji si znovu projít měření v tomto předmětu, kde se měril zes. ve třídě B a kde popsané způsoby byly řešeny prakticky.
82)???
83)
Tranzistor MOSFET má velmi dobré využití jako spínač analogových i impulsních signálů. Nevodivý kanál má velmi vysoký odpor a vodivý kanál má odpor 200-400( proto je vhodný pro spínání větších impedancí (pro spínání malých impedancí se používá bipolárních tranzistorů).
Při zpracování signálů, které jsou kratší než časová konstanta vzniklá vstupní kapacitou tranzistoru, vzniká zkreslení hran vstupních signálů, které se potom převádějí na výstup jako jisté zpoždění spínací funkce tranzistoru. Při spínání vzniká zpoždění odezvy proto, že se nejprve musí nabýt parazitní kapacity a poté se teprve přenese signál na výstup.
Při zpracování a spínání signálů unipolárních tranzistorů se v obvodu pracuje s malými energiemi.
Samozřejmě jsou vstupní kapacity i u bipolárních tranzistorů, kde se zapojení s rychlými diodami např. s Schottkyho diodou.
Měření vstupní kapacity by se dalo provádět na osciloskopu, v režimu XY, kde by jsme změřili dobu náběhu, resp. Časovou konstantu zmíněného RC článku, ze kterého dopočítáme neznámou vstupní kapacitu. C=1/(.
Typické hodnoty kapacit jsou:Cge=1-10pFCkg=0,3-1,5pF
/
C
U
UDS[V]
1
2
UGS [V]
4
5
ID
[mA]
Ic
[mA]
0
-2
Uge [V]
-4
-10
Uce[V]
W2
h(
h(
h(
W1
h(
G3
G4
G1
G2
Igt
If-Igt
I
Vloženo: 23.04.2009
Velikost: 252,96 kB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu X34ELE - Elektronika
Reference vyučujících předmětu X34ELE - Elektronika
Podobné materiály
- X02FY1 - Fyzika 1 - Vypracované otázky
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - Vypracované otázky Pilarčíková
- X31EO2 - Elektrické obvody 2 - Vypracované příklady
- X31EO1 - Elektrické obvody 1 - vypracovane otazky z teorie na skusku
- X38EMB - Elektrická měření B - nove varianty skuskovych testov - vypracovane
- X31EO3 - Elektrické obvody 3 - vypracovane otazky z teorie na skusku
- X37CAD - CAD ve sdělovací technice - vypracovane otazky z teorie na zapoctovy test
- X34ESS - Elektronické součástky a struktury - vypracovane otazky z teorie na skusku
- X34ESS - Elektronické součástky a struktury - vypracovane otazky z teorie na skusku
- X38EMB - Elektrická měření B - vypracovane zapoctove meranie varianta A13
- 02F2 - Fyzika 2 - vypracovane otazky z teorie na skusku
- X31EO2 - Elektrické obvody 2 - vypracovane otazky z teorie na skusku
- A3B02FY1 - Fyzika 1 pro KyR - Vypracované otázky na zkoušku
- A1M16JAK - Řízení jakosti - Vypracovane ukoly 1-6 (pro inspiraci)
- X01ALG - Úvod do algebry - Teoreticke otazky
- X31EO1 - Elektrické obvody 1 - Teoretické otázky ke zkoušce
- X31EO1 - Elektrické obvody 1 - Teoretické otázky
- Y16PAP - Právní aspekty podnikání - Otázky ke zkoušce
- 34EL - Elektronika - Řešené otázky
- X02FY1 - Fyzika 1 - Otázky ke zkoušce Bednařík
- X36PJV - Programování v jazyku Java - Odpovedi na otazky
- XD36AVT - Aplikace výpočetní techniky - Zodpovezeny otazky
- X34ESS - Elektronické součástky a struktury - oblubene otazky
Copyright 2023 unium.cz. Abychom mohli web rozvíjet a dále vylepšovat podle preferencí uživatelů, shromažďujeme statistiky o návštěvnosti, a to pomocí Google Analytics a Netmonitor. Tyto systémy pro unium.cz zaznamenávají, které stránky uživatel na webové stránce navštívil, odkud se na stránku dostal, kam z ní odešel, jaké používá zařízení, operační systém či prohlížeč, či jaký má preferenční jazyk. Statistiky jsou anonymní, takže unium.cz nezná identitu návštěvníka a spravuje cookies tak, že neumožňuje identifikovat konkrétní osoby. Používáním webu vyjadřujete souhlas použitím cookies a následujících služeb: