- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiál: základem je nabíjení nebo vybíjení C a napì ový komprátor - hradlo TTL.
1.derivak: V klidovém stavu, tzn. pokud se úroveò signálu na vstupu nemìní, je
vstup druhého hradla na úrovni log. 0 a na výstupu celého obvodu log. 1. Hodnota
odporu R je pro hradla základní øady TTL shora omezena na hodnotu pøibližnì
800 ?. Dioda slouží jednak k potlaèení záporných napì ových špièek na vstupu
druhého hradla a souèasnì urychluje regeneraci obvodu. Prodloužení impulsu
2. RS: Pro zkracování vstupních impulsù. Využívá se zde zpoždìní signálu pøi
prùchodu hradlem. Pro úpravu délky výstupního impulsu možno vložit do horní
vìtve libovolný lichý poèet negátorù (nebo libovolný poèet opakovaèù s alespoò
jedním negátorem) nebo použít pasivní RC èlánek.
astabilní
multivibrátor
Funguje jako MKO z 555.
Promìnným externím napìtím
mužeme mìnit šíøku výstupních
impulsu - PWM.
Zapojte JK jako T-KO, JK jako D-KO, D jako T-KO
J
K
CL
Q
Q1
IN
OUT
JK jako D
J
K
CL
Q
Q
IN
OUT
JK jako T
D
C
Q
Q
OUT
IN
D jako T
Nakreslete obvod realizujici absolutni hodnotu Uo=|Ui|
AKO s OZ + prubehy v dulezitych bodech
AKO s OZ umoznujici
zmenu stridy v celem
rozsahu
prevodnik i/u, nakreslit a odvodit vztahy
U = -i R A=-R01
Pristrojovy zesilovac
Pøístrojový zesilovaè: Odstraòuje nedostatky diferenèního zesilovaèe
(nevýhody : 1.zmìna zesílení zmìnou dvou prvku,2. odpory signalu u , u 11 12
musí být stejné, 3.zmena vnitØních odporu zmìní A, 4.nevhodné pro
zesilování signálu s velkým vnitøním odporem). U pøístrojového zesilovaèe
vstupují signály u a u bez jakéhokoli vìtvení. Zesílení není ovlivnìnu 11 12
vnitøním odporem zdroje signálu. Zesílení se nastavuje jedním odporem aR.
Rezistorem aR a také vedlejšími rezistormi protéká proud : I =(u -u )/aR.1121
Howland, Miller, vse co o tom vis (charky, zapojeni ...)
Milleruv integrátor (invertující): jedná se o invertující zesilovaè, kde v
zpatné vazbì jsou impedance Z (R) a Z (X ). Pøenos integrátoru : 12c
U (s)/U(s) = -(Z /Z ) = -(1/s.R.C)= -K(1/s). Na výstupu bude napìtí : 0i 21 i
U = -(1/RC).u .t+U . 01C0
Howlanduv integrátor (neinvert): Základem je integraèní èlánek s
pøenosem : U (s)/U(s)=1/(t .s+1). Po zavedení kladné jednotkové zpìtné 0i 0
vazby získame pøenos soustavy :U (s)/U(s)=1/(t (s)). Howlanduv integrátor 0i 1
zabezpeèuje, že vstupní napìtí má stejnou operaèní zem jako výstupní
napìtí obvodu. Obvykle se používá s nastavením R =R . Výhodou je snadné 12
nulování integrátoru. Lze ho taká použít jako pøevodník napìtí/proud.
V¾avo=Milleruv integrátor
Vpravo=Howlanduv integrátor
Dole
V¾avo = prechodová char (invert,
u neinvert to bude opaène)
Vpravo frekvenèní char.
Filtr se spinanym C, aliasing a jak mu zabranit
U klasických filtrù lze velmi složitým zpùsobem mìnit jejich parametry,
pøedevším pak pøeladìní jejich kmitoètových vlastností. Nabízí se zde
použití jiných filtrù. Rezistory v nich jsou nahraženy periodicky pøepínanými
kondenzátory, což dovoluje zmìnu jejich ekvivalentních odporù a následnì i
pøeladìní filtru úpravou pøepínacího kmitoètu. Proto jsou tyto filtry v literauøe
oznaèovány jako SCF (switching capacitors filtres). Princip spoèíve ve
støídavém nabíjení kapacitoru bìhem konstantní periody.
Aliasing : Aliasing, neboli pøekrývání ve frekvenèním spektru vzniká v
dùsledku pøepínání kondenzátoru, které je souèasnì vzorkováním. Aliasingu
se zamezuje vložením klasického filtru pøed filtr se spínaným
kondenzátorem. Filtr se spínaným kondenzátorem tedy zajistí požadovaný
øád a typ filtru (velkou strmost, malou chybu) a klasický (spojitý)
dolnopropustný filtr zajistí, aby ve spektru signálu vstupujícího do filtru se
spínaným kondenzátorem byly frekvence vyšší než dostateènì potlaèeny.
Tomuto zpùsobu zpracování øíkáme prefiltering.
Násobièe se používají jako zdroj vysokého napìtí. Jejich význam je i v
oblasti zdrojù nízkeho napìtí bez transformátorù. Horní varianta 2
zesilovaèe, první pracuje jako AKO generujíci impulsy se støídou 1:1.
Druhý zesilovaè je invertor. Polarita diod urèuje polaritu výstupního
napìtí. Dolní schéma je založená na použití SKO (Schmittova KO).
Výhodou zapojení je možnost volby dostateène vysoké vlastní frekvence
obvodu, aby kondenzátory mohli být miniaturní. Prvé hradlo pracuje jako
AKO a druhé jako invertor. Podle poètu a polarity diod dostávame na
výstupu n-násobek napájecího napìtí s požadovanou polaritou.
DC/DC menice
Step down menic
V ustáleném stavu platí: Win=Wout pøi Ui=konst. V èásti periódy Ta je spínaè
S1 sepnut a S2 rozepnut, v èásti periody Tb jsou oba spínaèe v opaèné
poloze. Roste-li výstupní prou roste i proud vstupní. Prekroèí-li se mez, kdy
akumulace cívky nestaèí krýt odbìr zaèíná se indukènost pøesycovat. To má
za následek prudký rùst proudu což ohrožuje zejména spinaè S1. Praktické
zapojení propustného mìnièe obvykle místo spínaèe S2 používá speciální
rychlou diodu. Podle polarity vstupního napìtí a polarity diody se jedná o
pozitivní nebo negativní propustný mìniè. Pro toto zapojení platí vztah u0=ui Zapojení se èasto modifikuje podle druhého obrázku. Zapojení
pracuje v zásadì stejnì ale rozdíl je na polaritì výstupního napìtí. To je
vždy obrácené proti napìtí vstupnímu. Obrácenou kombinaci vytvoøíme
otoèením diody. Základní problém u všech topologických variant
popisovaných mìnièù, které používají v roli jednoho ze spínaèù diodu je
právì v nestejných dynamických vlastnostech obou spínaèù. Pokud napø.
Spínaè S1 vypne døív než sepne dioda, energie mag. Pole indukènosti
zpùsobí napì ové špièky, které ohrožují ostatnou souèástkovou základnu.
IGBT (Insulated gate Bipolar Transistor)
Polem øízený bipolární transistor. Transistor IGBT má vysoké výkonové
zesílení (ovládá se jako MOSFET napìtím), ale jinak má vlastnosti
bipolárního transistoru. Unipolární transistor ovládá vodivost ètyøvrstvé
struktury PNPN, kterou lze nahradit pode b) dvojicí NPN a PNP. Proud
dvojice transistorù je ovládán odporem kanálù vstupního FETu. VA
charakteristika je podobna BJT. Aplikaèní oblast: støední a velký výkony,
napìtí 100 až 1500V, Ic 10A až 1000A. Vstupní kapacita Cin je menší
proti Cin u MOSFETù. IGBT pro napìtí nad 100V plnì nahrazuje BJT a
vykazuje lepší dynamické vlastnosti. Je vhodný pro aplikace s
opakovací frekvencí do 10kHz
MCT - MOS Controlled Thyristor
Je vytvoøen unipolární technologií v kombinaci s technologií bipolární - MCT.
Spojením obou technologií podobnì jako v pøípade IGBT vznikl spínací prvek s
vlastnostmi GTO, který je však øízen polem. Má proto velmi vysoké výkonové
zesílení a to jak pøi otevíraní tak i pøi zavíraní. Zbytkové napìtí je male a bývá pøi
nejvyšších výkonech cca 1V. Je to prvek s kladným teplotním koeficientem. To
umožòuje paralelní øazení stejných prvkù. Vynikající vlastnosti umožòují také
sériové spojení prvkù využívané napø. V energetice. Øízení regenerativního
otevøení dvojice komplementárních transistorù se provede záporným napìtím,
které otevírá P-MOS transistor a naopak zavíraní zpùsobí kladné napìtí na øídicí
elektrodì, které otevírá N-MOS transistor. Navrhovné jsou pro max. Teplotu èipu
T=150°C
GTO tyristor (Gate turn-off thyristor)
GTO má stejnì jako normální tyristor PNPN pøechody. Spíná se
stejnì jako tyristor malým kladným impulsem do øídicí elektrody,
avšak na rozdíl od normálního tyristoru mùžeme GTO vypnout
zavedením záporného impulsu na øídicí elektrodu. GTO se používají
na øízení výkonù v nejvyšších výkonových kategoriích. Spínací
parametry: 4000V a 3000A jsou pro GTO typické. Pøi spínaní takto
velkých proudù vznikají velké problémy s chlazením a proto jsou
kladeny neobyèejné nároky na pevnost mechanické konstrukce
pouzdra. Øízené zhášení záporným napìtím na øídicí elektrodu
pøináší pro obvodové øešení øídicích obvodù rovnìž jisté specifické
problémy. GTO je totiž z hlediska spínacích pøíkonù velmi
nesymetrickým prvkem. Pro vypnutí je potøeba |Igr| >= 750A Typické
aplikace: AC a DC. Øízení motorù, indukèní ohøev, øízení palivových
èlánkù, øízení velkých zálohových zdrojù UPS
BJT (Bipolar junction transistor
Je øízený proudem báze Ib. Pøechod B-E má vlastnosti diody.
Teplotní závislost proudu a napìtí uBE je lineární a záporná. Napìtí
uKB je závislé na stavu tranzistoru. Pøi zavøeném transistoru je
uKB>0 jestliže je otevøen na mezi saturace je uKB=0 a pøi stavu
pøesycení je uKB
Vloženo: 23.04.2009
Velikost: 1,20 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu X35ESY - Elektronické systémy
Reference vyučujících předmětu X35ESY - Elektronické systémy
Podobné materiály
- 36APC - Automatizace projektování číslicových systémů - VHDL Tahák
- X01MA2 - Matematika 2 - Tahák Tkadlec
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - Tahák
- X31EO2 - Elektrické obvody 2 - Tahák
- X35ESY - Elektronické systémy - Další tahák na zkoušku (optimalizace pro TI-89)
- X35ESY - Elektronické systémy - Další tahák na zkoušku
- Y01ALG - Úvod do algebry - tahák - definice ke zkoušce - TheBigOne
- X01MA1 - Matematika 1 - - Matika1 - vzorce (tahak)
- 34EL - Elektronika - tahak na pisomku
- X36PJV - Programování v jazyku Java - tahak html
- X36PJV - Programování v jazyku Java - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- X12BP1 - Bezpečnost v elektrotechnice 1 - tahak z becpecnosti
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak na konstanty
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - mikro tahak - vzorec
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak na priklady
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak teoria
- X13KAT - Konstrukce a technologie - tahak na 2. test
- X37SAS - Signály a systémy - tahak na 2. test
- X12MTE - Materiály a technologie pro elektroniku - tahak na skusku MTE
- X02FY1 - Fyzika 1 - Tahák zkouškových příkladů
- X02FY1 - Fyzika 1 - Souhrn materiálů na zkoušku
- A3B02FY1 - Fyzika 1 pro KyR - Vypracované otázky na zkoušku
Copyright 2024 unium.cz