- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiálzny hrany)
Tvar : skokový, pravouhlý, trojúhelníkový, pilový, exponenciální. Rúzné
tvary impulzu mužeme získat úpravami bìžných impulsu (seètením,
integraci, derivaci, omezením, separaci...)
Amplituda : absolutní hodnota mezi nejvyšším a nejnižším bodem
prubìhu. Pokud vuèí základnì existuji dva vrcholy, pak se amplituda
oznaèuje jako napìtí špièka-špièka.
Délka : dána èasovou vzdáleností hran impulsu a vyjadøuje dobu trvání
impulsu. U neideálních prubìhu se uvažuje vzdálenost mezi pruchody èela
a týlu impulsu 50% úrovnì z Um. Pøekmit se udáva v % amplitudy. ==>
Polarita: odpovídá znaménku derivace nábìžné hrany impulsu a je
vztažena vždy proti základnì.
Délka nábìžné a závìrné hrany : prubìhy nemají ideálnì strmé èelá a
týly, proto se definuje délka hrany. Je tedy vymezena mezi èasem, kdy
impuls dosáhne 10% až 90% z amplitudy
Periodické PULSY: Opakovací kmitoèet : perioda, èasová vzdálenost
stejných èástí dvou po sobì opakujících se impulsu.
Støída (d), pracovní èinitel k: d=(ti)/(t0-ti)=(k)/(1-k) Støída je pomìr mezi
délkou impulsu a periodou. K=ti/t0=d/(1+d) pracovní èinitel je pomìr mezi
délkou impulsu a periodou.
TTL - elementarni hradla, fce,nakreslit a popsat
NAND : Víceemitorový tranzistor T1 (až 8 vstupù - A, B, C, ...H) vytváøí
logický souèin. Rezistor R1 omezuje vstupní proud, tranzistor T2 øídí funkci
koncového stupnì složeného z tranzistorù T3 a T4. Rezistor R3 zajiš uje v
pøíslušném stavu zavírání tranzistoru T4 a totéž zajiš uje v opaèném
pøípadì pro tranzistor T3 posouvací dioda D. Rezistor R4 omezuje proud z
napájecího zdroje pøi pøechodech výstupu, kdy jsou souèasnì krátkodobì
otevøeny oba tranzistory T3 i T4. Diody na vstupech slouží k omezení
záporných napì ových špièek, které se mohou vytvoøit na sbìrnicích, na
dlouhých vedeních nebo pøi kapacitní vazbì. Nìkteré obvody staršího data
výroby tyto diody nemusí mít a z oznaèení to nemusí být patrné.
Poznámka : uvedená logická funkce NAND, podobnì jako i logické funkce
u dalších obvodù, platí pro tzv. pozitivní logiku (logická úroveò log. 1 je
reprezentována kladnìjší hodnotou napìtí)
NOR : Na obr. 2.2 je znázornìno vnitøní schéma zapojení obvodu NOR
standardní øady technologie TTL. Vstupní èást obvodu (tranzistory T1 a T2)
má funkci shodnou s tranzistorem T1 hradla NAND, výstupní èást
(tranzistory T5, T6, D) je shodná s výstupní èástí hradla NAND. U hradla
NOR je souètová èást realizována paralelnì zapojenými tranzistory T3 a
T4, které funkcí odpovídají tranzistoru T2 ve schématu hradla NAND (buï
v závislosti na signálu Asepne T3 nebo v závislosti na signálu B sepne T4
nebo oba). Hodnoty pasivních souèástek jsou shodné u obou typù hradel.
Z toho vyplývá, že vnìjší chování obou hradel (vyjma logické funkce) bude
po signálové stránce shodné.
Tristavova logika, co to je a pouziti
Jedná se o obvod, který muže kromì výstupních úrovní Log0 a Log1
nabývat ještì tøetího stavu, stavu vusoké impedance (odpojeno). Obvod je
doplnìn dalšími dvìma tranzistory, které zajiš ují uzavøení obou
výstupních tranzistoru a tím i stav Z. Pøibyl vstup nonE (enable), který
uzavírá ovládací tranzistory. Využití : pro pøipojení na signálovou sbìrnici,
budièe sbìrnic nebo pamìti atd.
Staticke vs dynamicke pameti RAM, principy, zpusob
prace s dyn. pameti RAM
Pamìti rozlišujeme podle zpusobu provozu na statické a dynamické.
Statické : Pamì ovou bunkou pro 1 bit je BKO, proto mají stály velký
pøíkon (s výjimkou CMOS). Pøíkladem je pamì SRAM. Uplatòuje se
bipolární aj unipolární technologie.
Dynamické : Zde se výhradnì používají tranzistory MOS a jejich kapacita
v øídicí elektrodì. Hodnota pamatovaného bitu je urèena velikostí
elektrického náboje. Uložený náboj však zaniká a proto je potøebné
obnovování (refresh) dat. Z toho plyne vìtší obovdová složitost, ale pøíkon
jenom pøi práci s pamìti.Vysoká hustota na èipu. Oznaèení DRAM.
Zpusob práce s dyn : k záznamu informace se využíva kapacita øídicí
elektrodym která tvoøí základ pamìti. Pøi zápisu se aktivuje pøíslušná
sbìrnice a datovou sbìrnicou se pøivede pøes T2 informace na C. Potom
zse T2 zavøe. Podobnì funguje i ètení, jenom se pomocí T3 pøenese inf z
C. Zotavování dat muže být postupné (poèas ètení nebo zápisu), nebo
planární (obnovení celé pamìti).
RWM, ROM, PROM, EPROM, EEPROM - vse, co vite...
Druh pamìti, který umožòuje pouze ètení trvale zaznamenané informace
vložené výrobcem, se oznaèuje ROM (read only memory).Výrobce
„naplní“ jednotlivé buòky pamìti jednou pro vždy požadovaným obsahem.
Její obsah není tedy možno mìnit.
PROM (programmable ROM). Pamìti typu PROM mají z výroby ve všech
pamì ových obvodech jednotnou úroveò, vìtšinou to bývá úroveò logické
jednièky. Uživatel má možnost pomocí vhodného programovacího postupu
na jednotlivých místech tuto jednièkovou úroveò zmìnit na nulovou
(vìtšinou pøepálením vnitøní spojky nebo jiným podobným postupem). Do
pamìti typu PROM je tedy možné pouze jednou urèitou informaci zapsat a
poté ji opakovanì èíst. Obsah pamìti však mùže urèit uživatel. Tento typ
pamìtí se dnes již témìø nepoužívá.
Pamì , která umožòuje smazat zaznamenaný obsah a nahradit ho jiným,
se oznaèuje RWM (read write memory). Zápis lze opakovanì èíst, zùstane
v pamìti ovšem pouze po dobu jejího pøipojení k napájecímu napìtí. Z
technologického hlediska se pamìti RWM dìlí na statické a dynamické.
Základ statických pamìtí je tvoøen bistabilním klopným obvodem, který se
pøeklopí do požadovaného stavu a setrvá v nìm dokud není pøivedena
nová informace a nebo není odpojeno napájecí napìtí.
Princip dynamických RAM pamìtí spoèívá v tom, že se parazitní kapacita
hradla tranzistoru MOS vùèi substrátu, kterou jinak pokládáme za
škodlivou, využije k uchování informace: kapacita se nabije pøes vhodný
tranzistor a napìtí na ní setrvá dostateènì dlouhou dobu (nejménì 2 ms).
Z toho vyplývá, že pro uchování informace v této pamìti je tøeba zajistit
proces jejich neustálé obnovy (refresh), což se dosahuje operací
periodického ètení obsahu a jeho zpìtného ukládání. Nevýhodu ztráty
zapsaných dat pøi odpojení napájecího napìtí odstraòuje další typ pamìti
oznaèovaný jako EPROM (Eraseble PROM). Obsah tìchto pamìtí lze
vymazat osvícením povrchu èipu ultrafialovým svìtlem s pøesnì
definovanou vlnovou délkou a intenzitou (k tomu slouží odkrývací okénko
z køemenného skla v pouzdru obvodu). Vzhledem k tomu, že na pamìti
tohoto typu je nejdražší pouzdro, objevily se na trhu pamìti bez okénka,
které díky tomu zastávají funkci pamìtí PROM pøi mnohem pøíznivìjší
cenové relaci. Posledním bìžnì používaným typem jsou pamìti
EEPROM, jejichž obsah lze vymazat elektricky.
Klopný obvod typu J-K je tvoøen dvìma klopnými obvody typu R-S,
tvoøenými dvojicí hradel NOR a dvojicí hradel NAND. Obvod je vybaven
dvìma datovými vstupy J a K, hodinovým vstupem CL a dále mùže mít
jeden asynchronní vstup R pro nulování, popø. druhý vstup S pro
nastavení. Datový signál postupuje obvodem ve dvou èasových
okamžicích, které jsou urèeny vzestupnou a sestupnou hranou
hodinového signálu CL. Na zaèátku celého cyklu je hodinový signál CL na
úrovni log. 0. Výstupy souèinových hradel jsou vzhledem k úrovni signálu
CL také na úrovni log. 0, takže interní klopný obvod R-S se nachází v
pamì ovém stavu.
Pøi nárùstu napìtí na vstupu CL se nejprve uzavírá dosud otevøený
tranzistor T1. Proto pøecházejí oba dva vstupní signály výstupního
klopného obvodu (slave) na úroveò log. 1, takže tento klopný obvod
pøechází do pamì ového stavu. Po prùchodu signálu CL rozhodovací
úrovní se na výstupech hradel objevují úrovnì odpovídající úrovním
signálù J a K a souèasnì se také do odpovídajícího stavu nastavuje
vnitøní klopný obvod. Pøi opaèné zmìnì úrovnì signálù CL, tzn. pøi jeho
sestupné hranì, se nejprve oba výstupy hradel vrátí na log. 0, èímž se
vnitøní klopný obvod zase uvede do pamì ového stavu, a nakonec se
otevøe ten z tranzistorù, na jehož bázi je napìtí odvozené od úrovnì log1.
Klopny obvod J-K (zapojeni, osvetlit cinnost...)
JK
J
K
Q
nonQ
C
MKO z TTL obvodu - 2 zapojeni
1. MKO s derivaèním RC obvodem 2. MKO s RS obvodem
MKO: obvody s jedním stabilním a s jedním kvázistabilním stavem. Doba
kvázistabilního stavu závisí od pøechodového dìje uvnitø obvodu. MKO patøí mezi
èasovací obvody, slouží na zkracovanái, nebo prodloužování impulsu. MKO s
TTL
Vloženo: 23.04.2009
Velikost: 1,20 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Mohlo by tě zajímat:
Skupina předmětu X35ESY - Elektronické systémy
Reference vyučujících předmětu X35ESY - Elektronické systémy
Podobné materiály
- 36APC - Automatizace projektování číslicových systémů - VHDL Tahák
- X01MA2 - Matematika 2 - Tahák Tkadlec
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - Tahák
- X31EO2 - Elektrické obvody 2 - Tahák
- X35ESY - Elektronické systémy - Další tahák na zkoušku (optimalizace pro TI-89)
- X35ESY - Elektronické systémy - Další tahák na zkoušku
- Y01ALG - Úvod do algebry - tahák - definice ke zkoušce - TheBigOne
- X01MA1 - Matematika 1 - - Matika1 - vzorce (tahak)
- 34EL - Elektronika - tahak na pisomku
- X36PJV - Programování v jazyku Java - tahak html
- X36PJV - Programování v jazyku Java - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- 01UA - Úvod do algebry - tahak
- X12BP1 - Bezpečnost v elektrotechnice 1 - tahak z becpecnosti
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak na konstanty
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - mikro tahak - vzorec
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak na priklady
- X12UEM - Úvod do elektrotechnických materiálů - tahak teoria
- X13KAT - Konstrukce a technologie - tahak na 2. test
- X37SAS - Signály a systémy - tahak na 2. test
- X12MTE - Materiály a technologie pro elektroniku - tahak na skusku MTE
- X02FY1 - Fyzika 1 - Tahák zkouškových příkladů
- X02FY1 - Fyzika 1 - Souhrn materiálů na zkoušku
- A3B02FY1 - Fyzika 1 pro KyR - Vypracované otázky na zkoušku
Copyright 2024 unium.cz