- Stahuj zápisky z přednášek a ostatní studijní materiály
- Zapisuj si jen kvalitní vyučující (obsáhlá databáze referencí)
- Nastav si své předměty a buď stále v obraze
- Zapoj se svojí aktivitou do soutěže o ceny
- Založ si svůj profil, aby tě tví spolužáci mohli najít
- Najdi své přátele podle místa kde bydlíš nebo školy kterou studuješ
- Diskutuj ve skupinách o tématech, které tě zajímají
Studijní materiály
Hromadně přidat materiály
prvych 30 uloh
X31EOS - Elektronické obvody pro sdělovací techniku
Hodnocení materiálu:
Zjednodušená ukázka:
Stáhnout celý tento materiál1. Nelineární model bipolárního tranzistoru
Tranzistorový jev je reprezentován zdrojem proudu. V normálním režimu se tranzistor řídí napětím BE, v inverzním BC. Je rozdělen na aktivní tranzistorovou oblast a pasivní diodovou což umožňuje lépe modelovat jevy než Ebers-Mollův model.
2. Lineární model bipolárního tranzistoru
Jedna z cest, kterou je možno dospět k lineárnímu modelu tranzistoru, platnému pro malé zrněny obvodových veličin, je linearizace G-P nelineárního modelu. Určité zjednodušení přinese skutečnost, že praktický význam má ve většině případů model pro normální aktivní oblast činnosti, výjimečně inverzní aktivní oblast. Pro takový případ můžeme nakreslit lineární obvod podle následujícího obrázku:
Linearizovaný náhradní obvod tranzistoru odvozený z G-P modelu
Rc – seriový odpor kolektoru
Re – seriový odpor emitoru
Rb – seriový odpor báze
Ze vstahů platný pro dynamický nelineární model lze pro lineární model platný v klidovém pracovním bodě ICEP, UCEP odvodit:
Cs – kapacita mezi kolektorem a substrátem, závislá na jejím fyzikálním původu
C - difuzní kapacita přechodu B-E = CDE
Cµ - bariérová kapacita přechodu B-C =
CjX – část bariérové kapacity přechodu B - C
-
- vstupní odpor v SE
gµ - je paralelní vodivost uzavřeného přechodu C – B
g0 – vodivost způsobená Earlyho jevem
Nezávisle na G-P modelu byl publikován lineární náhradní obvod, který se označuje jako Giaccolettův model, jindy také jako model ve tvaru . Ten je uveden na dalším obr. Pro tento model zanedbáním některých elementů z předchozího modelu snadno nalezneme shodu .
Lineární širokopásmový model bipolárního tranzistoru
gm = gmrbb = rB
Cbe = CCcb = Cµ
gbe = ggcb = gµ
gce= g0CCS = CS
3. Nelineární model unipolárního tranzistoru MOSFET
V modelu MOSFET pusobi navic kondenzatory vytvorene ridici elektrodou a dalsimi strukturami v subrstratu.
4. Lineární model unipolárního tranzistoru MOSFET
Z hlediska reseni linearizovanih obvodu, pracujicich s malymi signali, jsou nejpodstatnejsi parametry gm a gds.Diferencialni vodivost tranzistoru, treba ve funkci sepnuteho spinace, pracujiciho s malym proudem v okoli pocatku charakteristik.
5. Proudové zrcadlo
NPNMOSFET
PNP
Jsou-li oba tranzistory shodné a sdílejí stejnou vnitřní teplotu, je výstupní proud I2 téměř shodný s proudem I1, který je do vstupu obvodu zaváděn.
BJT: Proudové zrcadlo se skládá ze dvou stejných tranzistorů T1 a T2, jejichž báze a emitory jsou spojeny, a tudíž mají stejné napětí UBE. Navíc, tranzistor T1 je zapojen jako dioda, protože má zkratovaný kolektor s bází.
Předpokládáme, že BJTs mají velký , a tudíž proudy bází jsou zanedbatelné. Vstupní proud I1 teče skrz T1, tím se vytvoří na T1 úbytek napětí, který odpovídá hodnotě proudu I1. Toto napětí se objeví mezi bází a emitorem tranzistoru T2. Protože jsou tranzistory shodné, emitorový proud tranzistoru T2 bude stejný jako proud I1.
Vliv :
=>
Pro >> 1 je poměr 1. Přesto může být odchylka relativně vysoká, např. pro = 100 je chyba 2%. Z toho vyplývá, že proudy nejsou úplně stejné. Další faktor ovlivňující rovnost proudů je lineární závislost kolektorového proudu T2 na kolektorovém napětí T2.
MOSFET:
Proud protékající T1 souvisí s VGS1. Jestliže VGS1= VGS2, potom proud protékající tranzistorem T2 bude v ideálním případě roven ID1, případně jeho násobku. Při dodržení T1 = T2 budou proudy shodné pokud T2 zůstane v saturaci. Proud ID1:
zatímco výstupní proud, T2 předpokládáme v saturaci, je:
Při VGS1= VGS2 je poměr proudů dán:
poměrem W/L MOS tranzistorů nastavíme požadovanou velikost proudu ID2.
6. Kaskodový zesilovač SE-SB s obvody pro nastavení pracovního bodu
Hlavní výhodou je potlačení zpětného přenosu – Millerovy kapacity. Přenos je zhruba stejný jako zapojení SE.
7. Zesilovač SC-SB s obvody pro nastavení a stabilizaci pracovního bodu
8. Diferenční stupeň se dvěma bipolárními tranzistory
Pokud přivedu souhlasné napětí, tak zdroj proudu protlačuje stejný proud a změní se hodnota napětí na zdroji proudu (napětí BE se nemění)
Pokud přivedu rozdílové napětí, tak jeden tranzistor se otevře více a druhý přivře – vetší změna než jenom na jednom tranzistoru.
R – nastavuje pracovní bod
Tranzistory – musí být stejné a na stejné teplotě
Zdroj proudu – protlačuje stejný proud, zejména pro potlačení souhlasného napětí
9. Logaritmující obvod s OZ
Tranzistor pracuje v zapojeni SB na napeti Ucb=0 vlivem ZZV a virtuelniho zkratu pres transistor je uzavrena s
Vloženo: 21.06.2009
Velikost: 5,37 MB
Komentáře
Tento materiál neobsahuje žádné komentáře.
Copyright 2024 unium.cz